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Hittite Microwave公司推出低噪声C波段MMIC VCO
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作者 陈裕权 《半导体信息》 2004年第2期36-36,共1页
Hittite Microwave公司开发出一对GaAs/InGaP HBT MMIC压控振荡器(VCO),VCO与电阻、负阻器件、变容二极管及缓冲放大器集成,其工作频率为5.0—6.1GHz。这两种型号为HMC430LP4和HMC431LP4的VCO适用于C波段无线局域网。
关键词 压控振荡器 负阻器件 c波段mmic VcO 无线局域网 缓冲放大器 变容二极管 工作频率 相噪 输出功率 单电源
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低噪声C波段MMIC VCO
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作者 江兴 《半导体信息》 2004年第5期35-36,共2页
Hittite Microwave公司新近开发出一对GaAs/InGaP HBT MMIC压控振荡器(VCO),VCO与电阻、负阻器件、变容二极管及缓冲放大器集成,其工作频率为5.0~6.1GHz。这两种型号为HMC430LP4和HMC431LP4的VCO适用于C波段无线局域网、甚小孔径终端... Hittite Microwave公司新近开发出一对GaAs/InGaP HBT MMIC压控振荡器(VCO),VCO与电阻、负阻器件、变容二极管及缓冲放大器集成,其工作频率为5.0~6.1GHz。这两种型号为HMC430LP4和HMC431LP4的VCO适用于C波段无线局域网、甚小孔径终端、点到点无线电设备等。上述两种型号的VCO无需外部元件,使用+3V单电源,耗电27mA。其封装为塑料表面安装封装。 HMC430LP4在5.0~5.5GHz、100KHz相噪偏移下的缓冲输出功率为+2dBm,相噪仅—103dBc/Hz;HMC431LP4在5.5~6.1GHz。 展开更多
关键词 压控振荡器 相噪 负阻器件 输出功率 c波段mmic VcO 无线局域网 缓冲放大器 无线电设备 变容二极管 工作频率
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