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C芯SiC纤维制备技术研究
被引量:
1
1
作者
黄浩
闫曦
+2 位作者
陈大明
仝建峰
李臻熙
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第S1期562-566,共5页
在自行设计制造的直流电阻加热CVD装置上制备出C芯SiC纤维,C芯SiC比W芯具有更高的力学性能,更好的界面相容性,更低的密度,成为制备SiC/Ti基复合材料的最佳增强体。研究CH3SiHCl2-CH3SiCl3-H2-Ar体系中在C芯表面化学气相沉积SiC涂层工艺...
在自行设计制造的直流电阻加热CVD装置上制备出C芯SiC纤维,C芯SiC比W芯具有更高的力学性能,更好的界面相容性,更低的密度,成为制备SiC/Ti基复合材料的最佳增强体。研究CH3SiHCl2-CH3SiCl3-H2-Ar体系中在C芯表面化学气相沉积SiC涂层工艺,考察沉积温度,[H2]/[silane],气流量,Ar气流量对化学气相沉积SiC涂层的结构、性能的影响。并对涂层表面形貌及结构成分进行SEM,XRD,raman,AES分析。结果表明:在温度1200℃,[H2]/[silane]=1.4,气体流量4.89L/min,稀释气体0.2L/min时,纤维拉伸强度最好为3392MPa。其中纤维的性能对沉积温度,[H2]/[silane]最敏感。
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关键词
c芯sic纤维
化学气相沉积
原文传递
题名
C芯SiC纤维制备技术研究
被引量:
1
1
作者
黄浩
闫曦
陈大明
仝建峰
李臻熙
机构
北京航空材料研究院
中国科学院山西煤炭化学研究所
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第S1期562-566,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB613803)
文摘
在自行设计制造的直流电阻加热CVD装置上制备出C芯SiC纤维,C芯SiC比W芯具有更高的力学性能,更好的界面相容性,更低的密度,成为制备SiC/Ti基复合材料的最佳增强体。研究CH3SiHCl2-CH3SiCl3-H2-Ar体系中在C芯表面化学气相沉积SiC涂层工艺,考察沉积温度,[H2]/[silane],气流量,Ar气流量对化学气相沉积SiC涂层的结构、性能的影响。并对涂层表面形貌及结构成分进行SEM,XRD,raman,AES分析。结果表明:在温度1200℃,[H2]/[silane]=1.4,气体流量4.89L/min,稀释气体0.2L/min时,纤维拉伸强度最好为3392MPa。其中纤维的性能对沉积温度,[H2]/[silane]最敏感。
关键词
c芯sic纤维
化学气相沉积
Keywords
c
-
c
ore
sic
filaments
c
hemi
c
al vapour deposition
分类号
TQ343.6 [化学工程—化纤工业]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
C芯SiC纤维制备技术研究
黄浩
闫曦
陈大明
仝建峰
李臻熙
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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