c轴倾斜CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜的外延生长

采用脉冲激光沉积技术在0°,5°,10°c轴倾斜ɑ-Al_2O_3(0001)衬底上制备出c轴生长CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜。用X射线衍射Φ扫描分析薄膜与衬底(0001)晶面的结晶取向关系为<1100>CuCrO_2∥<1120>ɑ-Al_2O_3,并进一步通过θ扫描、2θ扫描表征5°和10°c轴倾斜衬底上CuCrO_2薄膜与衬底(0006)晶面之间的倾斜角度差值由0.43°增加到1.76°,得到薄膜c轴外延性随衬底倾斜角变大而变差。AFM观察生长在ɑ-Al_2O_3(0001)衬底上的CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜为层状形貌,且倾斜衬底上薄膜晶粒尺寸减小,晶界增加。ρ-T测量曲线表明:相比平直衬底,10°倾斜衬底上CuCrO_2薄膜的电阻率略有升高,这是由于倾斜衬底上薄膜结晶质量较差及晶界对载流子散射增强所致,与XRD和AFM结果相一致。

C轴倾斜AlN薄膜的制备研究

采用射频磁控反应溅射,利用两步气压法在Pt电极上制备C轴倾斜的A1N压电薄膜.用X射线衍射仪(XRD)分析两步气压下制备的A1N薄膜的择优取向,用扫描电镜(SEM)观察薄膜的截面形貌.实验结果表明在优化工艺参数条件下制备的AlN薄膜为C轴倾斜的柱状晶,且柱状晶与C轴的倾斜角度达到5°.并且初步探讨两步气压法制备C轴倾斜AlN薄膜的生长机理.

射频反应溅射制备倾斜AlN薄膜

采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理。分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AlN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°。