期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
碳还原锆英石的Si-C-O系中C和CO优势图 被引量:1
1
作者 袁章福 曾加庆 +3 位作者 万天骥 张鉴 罗胜昌 樊友三 《化工冶金》 CSCD 北大核心 1996年第3期189-195,共7页
对联还原锆英石中SiO2进行了温度、配碳量、时间和粒度的实验研究,得到相应的脱硅率的影响规律.建立了Si-C-O系中C-CO型优势图,讨论了SiO分压和StO2活度等对脱硅率的影响,得到温度与StO2最低含量的理论关系.配碳量为7.5%时的... 对联还原锆英石中SiO2进行了温度、配碳量、时间和粒度的实验研究,得到相应的脱硅率的影响规律.建立了Si-C-O系中C-CO型优势图,讨论了SiO分压和StO2活度等对脱硅率的影响,得到温度与StO2最低含量的理论关系.配碳量为7.5%时的脱硅率达到极大值97.22%,在1873~2273K温度范围内的化学反应表现活化能为282.0kJ/mol。 展开更多
关键词 锆英石 氧化硅 还原 Si-C-O系 c-co型 优势图
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部