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C-H-O和C-H-N体系生长金刚石膜的气相化学模拟 被引量:2
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作者 戚学贵 陈则韶 +1 位作者 王冠中 廖源 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期404-410,共7页
数值模拟了C-H-O和C-H-N体系的气相化学,构建了含氧和含氮气源化学气相沉积金刚石膜的三元相图,探讨了加氧和加氮影响金刚石膜生长的途径.结果表明,甲基是金刚石生长主要的前驱基团,乙炔导致非金刚石碳沉积,原子氢刻蚀非金刚石碳.通过... 数值模拟了C-H-O和C-H-N体系的气相化学,构建了含氧和含氮气源化学气相沉积金刚石膜的三元相图,探讨了加氧和加氮影响金刚石膜生长的途径.结果表明,甲基是金刚石生长主要的前驱基团,乙炔导致非金刚石碳沉积,原子氢刻蚀非金刚石碳.通过气相反应改变这些基团的浓度是加氧的一个重要作用途径,而加氮在改变这些基团浓度的同时,CN等含氮基团还强烈地参与了金刚石膜成核和生长的表面过程. 展开更多
关键词 化学气相沉积 金刚石膜 气相化学 相图 数值模拟 c-h-o体系 C-H-N体系 薄膜生长
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