TD-SCDMA网络的Iu-CS接口监测方法研究

针对TD-SCDMA网络的监测与维护,结合目前网络的快速演进与商用现状,重点探讨了一种基于TD-SCDMA网络的Iu-CS接口监测方法,提出了接口合成算法、接口关联方法以及性能统计方法,并通过软件开发实现该监测方法的研究,目前已应用到TD-SCDMA集中监测系统的监测处理中,运行效果良好。

TD-SCDMA网络Iu-CS接口CDR合成监测设计与实现

Iu-CS接口作为TD-SCDMA网络一个重要接口,其CDR合成监测技术的研究和开发在TD-SCDMA集中监测系统开发中占有不可或缺的地位。以TD-SCDMA集中监测系统为研究背景,深入研究了Iu-CS接口在网络中的功能、协议栈结构,针对以往Iu-CS接口CDR合成算法的不足,提出了一种新的父子CDR合成方案并深入剖析了该方案的设计和实现,最后,结合现网实测数据,将该方案在已商用的TD-SCDMA集中监测系统中进行了测试和验证,实测结果表明,该设计方案效果良好。

TD-SCDMA网络中Iu-CS接口用户平面AAL2链路假活问题研究

随着TD-SCDMA网络的规模商用,Iu-CS接口用户平面AAL2链路假活问题对网络的影响日益明显,如何解决AAL2链路假活故障是TD-SCDMA网络建设中的重要课题。本文通过对TD-SCDMA网络Iu-CS接口用户平面AAL2链路假活产生原因的分析,提出了一种假活故障检测处理方案,并用代码实现了检测处理算法,最后通过系统补丁方式将故障检测处理方案在某市TD-SCDMA网络中进行了测试与应用,测试与应用结果显示该方案切实可行,可以有效解决Iu-CS接口用户平面AAL2链路假活故障。

WCDMA系统Iu-CS接口ATM组网数据配置

随着3G网络的正式商用,进行WCDMA网络的数据配置已成为摆在广大技术人员面前的一项重要任务。而RNC在WCDMA网中的地位举足轻重,其数据配置也十分复杂。文章从实际应用角度出发,并以华为BSC6800系统为例,详细阐述了RNC Iu-CS接口ATM组网时数据的配置步骤及方法。

Cs对铝/钢激光熔钎焊接头组织及性能的影响

以无Cs型和含Cs型AlSi12药芯焊丝为填充金属,进行6061铝合金和Q235钢激光熔钎焊试验研究,用光学显微镜、扫描电子显微镜对熔钎焊接头的宏观形貌、微观组织进行分析,探讨药芯焊丝中Cs元素对AlSi12焊丝在钢表面的润湿铺展性能、接头微观组织及拉伸性能的影响。研究结果表明,药芯焊丝中加Cs元素,大大提高了熔融的焊丝在母材背面的润湿铺展性能,从而获得饱满美观的铝合金/钢激光熔钎焊接头形貌。Cs元素通过冶金反应过渡进入铝合金/钢焊接接头中,一定程度上阻碍了Al,Fe之间的反应,降低了接头界面反应层的金属间化合物层(IMCs)厚度,但是略微降低了接头的抗拉强度。

新型铝-钢复合材料制备工艺研究

采用爆炸焊接技术直接实现铝合金与钢材的有效连接,从而生产出新型铝-钢复合材料。爆炸焊接后复合材料外观完整,表面无烧灼、褶皱等缺陷,渗透检测结果显示:铝合金与钢材料结合良好,无分层、裂纹等缺陷。对复合材料进行微观组织和力学性能检测,以评估复合材料的结合质量,试验结果显示:铝合金与钢材料界面呈现波状结合,均匀无分层,但是波峰前端有断续的熔化块,个别熔化块内部有裂纹。力学性能检测结果显示:复合材料的平均剪切强度为74MPa,达到标准要求。弯曲试验结果表明:复合材料界面未出现分层和裂纹,结合质量良好。因此,这种新型铝-钢复合材料可以满足工程使用需求。

均流接口电路的均流控制器设计

结合现有的电流检测、电流编程和电流控制技术,对均流接口电路的均流(CS)控制器进行了设计.得到并定义了8种不同类型的均流控制器,选择并详细介绍了其中的2种——"最小主从模式脉宽调制(PWM)和"平均模式滞环"均流控制器.对这2种均流控制器以及所对应均流接口电路的稳态均流特性和工作频率特性进行了测试,仿真和实验数据都与理论分析值基本吻合.基于测试的结果,总结了这2种均流控制器以及所对应均流接口电路在均流效果等5方面的性能.在这2种均流控制器的作用下,均流接口电路都能达到良好的均流效果."最小主从模式PWM"均流接口电路的均流效果与其通道数几乎无关.

基于平行架构的接口制约与层次组合模型研究

本文在Jackendoff平行架构PA下在系统研究计算心智的多模态概念结构(CS)、句法-语义表征接口规则、三分平行结构的基础上,重组了合并题元信息和算子-变量复合体的概念结构语义表征,在跨语言数据分析基础上构建并论证了合并函数(功能)结构的题元层、宏观角色层与合并模态结构且编码量化、约束关系的所指层组成的命题层与编码焦点信息的信息结构层共同组成CS语义计算的层次组合模型TCM。本文在论证CI系统是CS系统与语用力IF系统的组合的基础上进一步推出研究的问题。

670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长

重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法,用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素,指出室温光荧光主要来源于带-带复合,荧光谱线宽度的减小是应变量子阱轻重空穴能级分离的结果,并不意味着量子阱界面质量的改进。同时介绍了二乙基锌(DEZn)的掺杂技术和掺杂浓度,通过优化掺杂条件和退火条件,p型AlInP材料获得了0.9×1018/cm3的空穴密度。外延材料制作成200μm×200μm尺寸的LED管芯,在20mA工作电流下亮度为22～24mcd。器件结果表明,用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂可以制作出高亮度的670nm LED外延材料。

第三代移动通信网的Iu接口

Ｉｕ接口是第三代移动通信网中无线接入网和核心网之间的接口。它与 ＣＤＭＡ－９５的 Ａ接口有非常大的区别。它是一个开放的接口。本文主要介绍了对Ｉｕ接口的要求，Ｉｕ接口的结构及功能，Ｉｕ接口的协议结构及相关的协议。

TD-SCDMA网络集中监测系统3G-324M协议监测方案研究

为提高语音和视频通话质量,在介绍TD-SCDMA集中监测系统整体结构和功能的基础上,分析了3G-324M协议在Iub和Iu-CS接口协议栈中的承载方式以及内部各子协议之间的协作关系,创新性地提出了一种TD-SCDMA集中监测系统中3G-324M协议测试算法,并根据算法思想进行了设计与实现。方案已应用于TD-SCDMA集中监测系统中,效果良好。

像差校正高分辨透射电子显微术及其在表征功能氧化物材料结构及界面中的应用

简要介绍基于像差校正高分辨透射电子显微镜的负球差成像技术及其在研究功能氧化物材料原子构型中的应用。在亚埃尺度的空间分辨率下,负球差成像技术不但可以获得高衬度的原子尺度结构像,而且可以在皮米精度测量材料中的原子的相对位移,从而精确表征材料结构、晶格缺陷的细微变化及其对材料性能的影响。负球差成像技术为定量解析材料中包含轻原子(例如,氧)在内的精细结构问题提供了有力的手段。重点介绍了负球差成像技术在表征铁电材料电偶极矩、畴结构及畴壁,氧化物异质界面和三维Mg O晶体表面精细结构中的应用。

微型计算机存贮器译码片选的一种控制方法

介绍存贮器接口设计中译码片选法使用地址线的一种控制方法及其对应芯片的地址特点.