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C/C-SiC复合材料表面ZrB_2基陶瓷涂层的制备及高温烧结机理 被引量:10
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作者 张响 陈招科 熊翔 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期1-6,共6页
采用刷涂-烧结法,分别在C/C-SiC复合材料和C/C复合材料表面制备了ZrB2基陶瓷复合涂层。利用EDS,SEM分析陶瓷涂层的成分及微观形貌,通过对比C/C-SiC基体和C/C基体的表面涂层,对C/C-SiC基体表面涂层的高温烧结机理进行了探究。结果表明:... 采用刷涂-烧结法,分别在C/C-SiC复合材料和C/C复合材料表面制备了ZrB2基陶瓷复合涂层。利用EDS,SEM分析陶瓷涂层的成分及微观形貌,通过对比C/C-SiC基体和C/C基体的表面涂层,对C/C-SiC基体表面涂层的高温烧结机理进行了探究。结果表明:高温下C/C-SiC基体中的硅组元会溢出,造成样品质量损失;同时,溢出的硅组元能渗入到陶瓷涂层中,形成了以硅为主要黏结相,ZrB2等陶瓷相弥散分布的陶瓷涂层;与C/C基体相比,硅组元的溢出能有效促进涂层与基体之间的界面结合。在对基体进行预处理的基础上,采用低温真空脱胶,高温常压烧结,能够制备出结构致密、无裂纹并与基体结合牢固的ZrB2基陶瓷涂层。 展开更多
关键词 C/c-sic复合材料 ZRB2 陶瓷涂层 刷涂法
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复合材料C/C-SiC及Ti植骨界面Caspase-3、Bcl-2、Bax表达比较研究
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作者 周群 郑通达 《口腔医学》 CAS 2013年第3期151-154,共4页
目的观察C/C-SiC复合材料对周围骨组织细胞凋亡情况的影响。方法选用8只日本大耳白兔,雄性,随机分为2组(每组4只)。将实验材料(C/C-SiC复合材料)和对照材料(Ti)各8枚植入兔子股骨内。3个月后,将带有实验材料和对照材料股骨标本脱钙、进... 目的观察C/C-SiC复合材料对周围骨组织细胞凋亡情况的影响。方法选用8只日本大耳白兔,雄性,随机分为2组(每组4只)。将实验材料(C/C-SiC复合材料)和对照材料(Ti)各8枚植入兔子股骨内。3个月后,将带有实验材料和对照材料股骨标本脱钙、进行免疫组化(Caspase-3、Bax、Bcl-2)染色。观察植入材料周围骨组织细胞生长和凋亡的表达情况,并利用Imagepro Plus 6.0图像分析软件分析棕染细胞的灰度值。然后利用SPSS 17.0统计软件进行独立样本t检验分析结果。结果实验动物麻醉及手术效果较理想。植入材料与骨结合紧密、无松动,大部分植入材料表面有新生骨组织。光镜下观察,Caspase-3、Bcl-2、Bax免疫组化呈阳性反应骨细胞胞质及部分细胞膜棕褐色染色。C/C-SiC实验组棕褐色染色平均灰度值与纯钛对照组棕褐色染色平均灰度值相比无显著差别。结论 C/C-SiC复合材料植入兔股骨内术后3个月,材料周围骨细胞凋亡程度与纯钛材料无显著差别。 展开更多
关键词 C c-sic复合材料 CASPASE-3 Bcl-2 BAX 组织学研究 日本大耳白兔
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SiO_(2)与ZrO_(2)组元对铜基摩擦材料与C/C-SiC复合材料配副摩擦磨损性能的影响 被引量:1
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作者 李陈鑫 刘如铁 +3 位作者 林雪杨 陈洁 熊翔 廖宁 《粉末冶金材料科学与工程》 2023年第1期44-54,共11页
在粉末冶金铜基摩擦材料中分别添加SiO_(2)和ZrO_(2),研究SiO_(2)和ZrO_(2)对粉末冶金铜基摩擦材料与C/C-SiC复合材料配副时摩擦磨损性能的影响,并分析两者影响机制的内在关联。结果表明,含SiO_(2)或ZrO_(2)的铜基摩擦材料与C/C-SiC复... 在粉末冶金铜基摩擦材料中分别添加SiO_(2)和ZrO_(2),研究SiO_(2)和ZrO_(2)对粉末冶金铜基摩擦材料与C/C-SiC复合材料配副时摩擦磨损性能的影响,并分析两者影响机制的内在关联。结果表明,含SiO_(2)或ZrO_(2)的铜基摩擦材料与C/C-SiC复合材料配副时,能在高制动速度下保持较高的平均摩擦因数,分别为0.3758和0.3424,摩擦材料的磨损量较低,为1.44μm/次和0.95μm/次,配副材料几乎无磨损。SiO_(2)在制动过程中易脱落,形成磨粒,对摩擦材料与配副材料表面造成磨粒磨损,而ZrO_(2)在基体中保持完整,以硬质微凸体的形式对C/C-SiC复合材料摩擦表面产生犁削作用。SiO_(2)在高制动速度下破碎脱落后易嵌入C/C-SiC复合材料表面摩擦膜,有利于以Cu及Cu的化合物为主的磨屑在其周围积累,促进摩擦转移膜在C/C-SiC复合材料摩擦表面的形成,从而改善材料的摩擦磨损性能。 展开更多
关键词 铜基摩擦材料 C/c-sic复合材料 摩擦磨损 SiO_(2) ZrO_(2)
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The influence of ablation products on the ablation resistance of C/C-SiC composites and the growth mechanism of SiO_2 nanowires
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作者 李县辉 燕青芝 +3 位作者 米应映 韩永军 温馨 葛昌纯 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期7-11,共5页
Ablation under oxyacetylene torch with heat flux of 4186.8(10%kW/m2 for 20 s was performed to evaluate the ablation resistance of C/C-SiC composites fabricated by chemical vapor infiltration(CVI) combined with liqu... Ablation under oxyacetylene torch with heat flux of 4186.8(10%kW/m2 for 20 s was performed to evaluate the ablation resistance of C/C-SiC composites fabricated by chemical vapor infiltration(CVI) combined with liquid silicon infiltration(LSI) process.The results indicated that C/C-SiC composites present a better ablation resistance than C/C composites without doped SiC.The doped SiC and the ablation products SiO2 derived from it play key roles in ablation process.Bulk quantities of SiO2 nanowires with diameter of 80 nm-150 nm and length of tens microns were observed on the surface of specimens after ablation.The growth mechanism of the SiO_2 nanowires was interpreted with a developed vapor-liquid-solid(VLS) driven by the temperature gradient. 展开更多
关键词 C/c-sic composites ablation products SiO2 nanowires growth mechanism
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热压烧结C-SiC-B_4C复合材料组织与性能(Ⅱ):氧化行为
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作者 喻亮 茹红强 +1 位作者 蔡继东 左良 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1709-1712,共4页
以C鳞片,SiC,B4C和TiO2为原料,在2000℃热压合成C-SiC-B4C-TiB2复合材料.研究复合材料在600~1400℃静态空气中的恒温氧化行为,利用TG/DTA研究复合材料氧化机理,利用XRD,SEM研究复合材料恒温氧化后表面相组成和氧化层剖面的显... 以C鳞片,SiC,B4C和TiO2为原料,在2000℃热压合成C-SiC-B4C-TiB2复合材料.研究复合材料在600~1400℃静态空气中的恒温氧化行为,利用TG/DTA研究复合材料氧化机理,利用XRD,SEM研究复合材料恒温氧化后表面相组成和氧化层剖面的显微结构.结果表明不同C鳞片含量的复合材料的氧化动力学曲线均为抛物线,氧化层可分成氧化膜和过渡层,C鳞片质量分数为20%的复合材料在1400℃时有很好的抗氧化自还原能力,表面生成致密的氧化膜,氧化膜的成分为未形成玻璃态的TiO2或SiO2·TiO2固溶体,组织形貌为枝条状. 展开更多
关键词 复合材料 c-sic—bac-tib2 C鳞片 氧化行为 自还原能力 热压
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C/C-SiC复合材料的制备及其烧蚀性能 被引量:4
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作者 左亚卓 李红 +4 位作者 耿真真 王少雷 杨敏 任慕苏 孙晋良 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期841-850,共10页
采用料浆喷涂法将SiC粉添加到针刺碳毡中,利用化学气相渗透(chemical vapor infiltration,CVI)与前驱体浸渍裂解(precursor infiltration pyrolysis,PIP)复合工艺制备C/CSiC复合材料.借助X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)与扫描电子显... 采用料浆喷涂法将SiC粉添加到针刺碳毡中,利用化学气相渗透(chemical vapor infiltration,CVI)与前驱体浸渍裂解(precursor infiltration pyrolysis,PIP)复合工艺制备C/CSiC复合材料.借助X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)与扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)观察材料的微观结构,利用H_2-O_2焰烧蚀实验测试材料的抗烧蚀性能,分析其烧蚀行为.结果表明:烧蚀500 s后,SiC含量为9%的C/C-SiC复合材料的抗烧蚀性能显著优于C/C复合材料,其线烧蚀率降低了63%,质量烧蚀率降低了76%.烧蚀中心区,烧蚀最严重,且材料的烧蚀主要是升华和机械剥蚀,并伴有氧化.烧蚀过渡区,熔融SiO_2能够弥合材料的裂纹、孔隙等缺陷,阻挡氧化性气氛进入材料内部,使材料表现出优异的抗烧蚀性能.材料的烧蚀主要是热氧化和H_2-O_2流的剪切剥蚀.在烧蚀边缘区,烧蚀轻微,热氧化起主要作用. 展开更多
关键词 料浆喷涂法 C/c-sic复合材料 SiC粉 H2-O2焰烧蚀
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(C-SiC)f/C复合材料的烧蚀性能 被引量:2
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作者 左亚卓 李红 +3 位作者 王少雷 杨敏 任慕苏 孙晋良 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期1141-1146,共6页
将SiC纤维毡与C纤维毡交替层叠,通过针刺工艺制备(C-SiC)_f/C预制体,采用化学气相渗透与前驱体浸渍裂解复合工艺(CVI+PIP)制备(C-SiC)_f/C复合材料,研究(C-SiC)_f/C复合材料H_2-O_2焰烧蚀性能。利用SEM、EDS和XRD对烧蚀前后材料的微观... 将SiC纤维毡与C纤维毡交替层叠,通过针刺工艺制备(C-SiC)_f/C预制体,采用化学气相渗透与前驱体浸渍裂解复合工艺(CVI+PIP)制备(C-SiC)_f/C复合材料,研究(C-SiC)_f/C复合材料H_2-O_2焰烧蚀性能。利用SEM、EDS和XRD对烧蚀前后材料的微观结构和物相组成进行分析,探讨材料抗烧蚀机理。结果表明:(C-SiC)_f/C复合材料表现出更优异的耐烧蚀性能。烧蚀750 s后,(C-SiC)_f/C复合材料的线烧蚀率为1.88mm/s,质量烧蚀率为2.16 mg/s。与C/C复合材料相比,其线烧蚀率降低了64.5%,质量烧蚀率降低了73.5%;SiC纤维毡在烧蚀中心区表面形成的网络状保护膜可以有效抵御高温热流对材料的破坏;在烧蚀过渡区和烧蚀边缘区形成的熔融Si O2能够弥合材料的裂纹、孔洞等缺陷,阻挡氧化性气氛进入材料内部,使材料表现出优异的抗烧蚀性能。 展开更多
关键词 (c-sic)f/C复合材料 SIC纤维 H2-O2焰烧蚀 SiO2保护膜
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B_(4)C改性Cu基刹车片配对C/C-SiC的摩擦学行为及机理 被引量:1
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作者 罗勇 李专 吴佳琦 《粉末冶金材料科学与工程》 2023年第3期262-275,共14页
Cu基刹车片在高速循环制动过程中存在基体软化和摩擦膜破裂的问题。采用粉末冶金法制备碳化硼(B_(4)C)质量分数为0~6%的Cu基刹车片,并选取C/C-SiC制动盘作为对偶件,研究制动过程中形成的B_(2)O_(3)摩擦膜对摩擦磨损性能的影响,并分析磨... Cu基刹车片在高速循环制动过程中存在基体软化和摩擦膜破裂的问题。采用粉末冶金法制备碳化硼(B_(4)C)质量分数为0~6%的Cu基刹车片,并选取C/C-SiC制动盘作为对偶件,研究制动过程中形成的B_(2)O_(3)摩擦膜对摩擦磨损性能的影响,并分析磨损机制。结果表明,通过B_(4)C改性可降低Cu基摩擦材料的密度,w(B4C)为4%和6%时,材料密度显著降低,强度大幅提高,并分别获得最优的抗热衰退性能和最低磨损率。制动过程中B_(4)C氧化形成的B_(2)O_(3)具有类似于MoS_(2)和石墨的层状晶体结构,在滑动界面处容易剪切,从而提高平均摩擦稳定系数并降低磨损率。在B4C表面形成的B_(2)O_(3)与Cu基体结合良好。当B_(4)C质量分数超过4%时,Cu基刹车片的磨损机制从分层磨损为主转变为氧化磨损为主。 展开更多
关键词 B_(4)C B_(2)O_(3) Cu基刹车片 C/c-sic 磨损机制
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以石墨烯为碳源对SiC纳米颗粒的制备和表征
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作者 唐侠侠 姚宝殿 郝惠莲 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期121-124,共4页
采用石墨烯和Si粉为原材料,利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——Si C纳米颗粒,并研究不同的煅烧条件对实验样品的影响。实验样品经X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微... 采用石墨烯和Si粉为原材料,利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——Si C纳米颗粒,并研究不同的煅烧条件对实验样品的影响。实验样品经X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱(Raman)等手段进行分析表征测试。结果表明,在没有催化剂参与的情况下,将石墨烯和Si粉置于石墨坩埚中,并抽真空10^(-3)Pa条件下成功制备了3C-Si C和2H-Si C混合晶型的纳米颗粒。 展开更多
关键词 3c-sic 2H-SiC 石墨烯 气固法
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非共格晶界及其偏析对3C-SiC在超临界二氧化碳中氧化影响的Reaxff-MD模拟
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作者 周起印 刘珠 +2 位作者 张乐福 龙家琛 郭相龙 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期284-289,共6页
为理解SiC材料在超临界二氧化碳(sCO_(2))反应堆中的腐蚀失效机理,本文通过分子动力学模拟研究了3C-SiC在sCO_(2)环境中的氧化行为,并深入探讨了非共格晶界处元素偏析对氧化的影响。结果显示,非共格晶界区域的氧化速度比单晶快,且硅元... 为理解SiC材料在超临界二氧化碳(sCO_(2))反应堆中的腐蚀失效机理,本文通过分子动力学模拟研究了3C-SiC在sCO_(2)环境中的氧化行为,并深入探讨了非共格晶界处元素偏析对氧化的影响。结果显示,非共格晶界区域的氧化速度比单晶快,且硅元素或碳元素的偏析均会加剧非共格晶界处的氧化。非共格晶界的加速氧化归因于晶界区域内的未完全配位硅原子,这些硅原子更容易与氧原子成键。非共格晶界的元素偏析进一步加强了非共格晶界处SiC的氧化速度,其中硅元素的偏析使硅原子更难以完全配位,这导致晶界处有更多的硅原子带较低的正电荷,而碳元素的偏析则使得晶界处自由体积更大,氧原子可以与更深层的硅原子成键。本研究揭示了3C-SiC在sCO_(2)中的腐蚀机理以及非共格晶界加速腐蚀的原因,为SiC材料在sCO_(2)反应堆中的退化机制提供了理论支持。 展开更多
关键词 非共格晶界 偏析 3c-sic 超临界二氧化碳(sCO_(2)) 氧化 分子动力学
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Fabrication and mechanical behavior of 2D-C_(f)/Ta_(x)Hf_(1−x)C–SiC composites by a low-temperature and highly-efficient route
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作者 Xuegang Zou Dewei Ni +6 位作者 Bowen Chen Feiyan Cai Le Gao Ping He Yusheng Ding Xiangyu Zhang Shaoming Dong 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第10期1961-1972,共12页
C_(f)/Ta_(x)Hf_(1−x)C–SiC composites are ideal thermal structural materials for service under extreme conditions of hypersonic vehicles.However,how to synthesize TaxHf1-xC powders and efficiently fabricate C_(f)/Ta_(... C_(f)/Ta_(x)Hf_(1−x)C–SiC composites are ideal thermal structural materials for service under extreme conditions of hypersonic vehicles.However,how to synthesize TaxHf1-xC powders and efficiently fabricate C_(f)/Ta_(x)Hf_(1−x)C–SiC composites still faces some challenges.Furthermore,mechanical properties and thermophysical properties of Ta_(x)Hf_(1−x)C vary with the composition,but not monotonically.In-depth analysis of mechanical behaviors of the C_(f)/Ta_(x)Hf_(1−x)C–SiC composites is extremely important for their development and applications.In this study,the Ta_(x)Hf_(1−x)C powders(x=0.2,0.5,0.8)were successfully synthesized via solid solution of TaC and HfC at a relatively low temperature of 1800℃,with a small amount of Si as an additive.Subsequently,the efficient fabrication of 2D-C_(f)/Ta_(x)Hf_(1−x)C–SiC composites was achieved by slurry impregnation and lamination(SIL)combined with precursor infiltration and pyrolysis(PIP).In addition,the mechanical behavior of the composites was investigated systematically.It is demonstrated that the composites present remarkable non-brittle fractures,including a large number of fiber pull out and interphase debonding.Also,the fracture failure involves a complex process of microcrack generation and propagation,matrix cracking,and layer fracture.Moreover,the interfacial bonding between the fibers and the matrix is enhanced as the Ta∶Hf ratio decreases from 4∶1 to 1∶4.As a result,C_(f)/Ta_(0.2)Hf_(0.8)C–SiC composites exhibit exceptional flexural strength of 437±19 MPa,improved by 46%compared with C_(f)/Ta_(0.8)Hf_(0.2)C–SiC(299±19 MPa).This study provides a new perception of design and fabrication of ultra-high-temperature ceramic(UHTC)matrix composites with high performance. 展开更多
关键词 mechanical properties microstructure FABRICATION 2D-C_(f)/Ta_(x)Hf_(1−x)c-sic composites
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