1
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6H-SiC氧化层中Na离子的C-V测试研究 |
牟维兵
龚敏
曹群
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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2
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面向智能网联路侧基础设施的测试评价方法 |
王鹏
冀建宇
许瑞琛
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《汽车与新动力》
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2024 |
0 |
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3
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准静态C-V法测量硅表面态密度分布及数据处理 |
钱敏
刘蓓
辛煜
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
3
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4
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^(60)CO-γ辐照感生Si/SiO_2慢界面态及其对高频C-V测试的影响 |
高文钰
严荣良
任迪远
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1995 |
2
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5
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电容—电压测试在TiO_2压敏材料晶界势垒研究中的应用 |
张永强
苏文斌
程杰
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《枣庄学院学报》
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2007 |
1
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6
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InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究 |
王永生
周凤林
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1991 |
0 |
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7
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微机C—V测试系统 |
武希君
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《自动化与仪表》
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1989 |
0 |
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8
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利用高频C-V特性评价CMOS工艺 |
熊海
孔学东
章晓文
汪顺婷
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
1
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9
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集成电路中栅介质膜的C-V测试误差分析及其修正模型 |
陈永珍
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1994 |
4
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外延层电阻率四探针与C-V测试的差异及校正 |
梁卿才
陈建国
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《集成电路通讯》
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2001 |
0 |
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11
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碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试 |
汤晓燕
张义门
张鹤鸣
张玉明
戴显英
胡辉勇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
1
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12
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Er_2O_3栅介质积累端电容频率色散效应的研究 |
姚博
方泽波
朱燕艳
陈圣
李海蓉
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《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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13
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Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应 |
于振瑞
杜金会
张加友
李长安
Aceves M
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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14
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氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响 |
杨涛涛
韩军
林文魁
曾春红
张璇
孙玉华
张宝顺
鞠涛
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
3
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15
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微波退火对高k/金属栅中缺陷的修复 |
陈玫瑰
许鹏
潘建峰
吴东平
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
1
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16
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化学清洗对硅-二氧化硅界面的影响 |
邹继鑫
郭群英
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《集成电路通讯》
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2000 |
1
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Si-MOS结构制备及固定电荷/可动电荷密度测量 |
王旭辉
程军
杨明超
张莉丽
雷冰洁
耿莉
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《实验室研究与探索》
CAS
北大核心
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2022 |
0 |
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用于水下金属探测成像的压电式微机械超声波换能器 |
杨晋玲
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《中国测试》
CAS
北大核心
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2019 |
0 |
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一种用于C-V测度的硅栅电容制作方法 |
张辉然
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《集成电路通讯》
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2001 |
0 |
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20
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基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制 |
王月
何常德
张文栋
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《压电与声光》
CAS
北大核心
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2021 |
1
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