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利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构
1
作者
郑晓思
符斯列
《物理实验》
2020年第5期1-5,共5页
利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,...
利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,阱层的平均杂质浓度为7.12×1018 cm^-3,GaN垒层的平均垒宽为12.32 nm,垒层的平均杂质浓度为0.82×1018 cm^-3.温度降低,InGaN阱宽变窄,杂质浓度增大,而GaN垒宽变宽,杂质浓度降低.
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关键词
c-v测量法
GAN基蓝光LED
多量子阱
下载PDF
职称材料
Origin软件在“电容-电压法测半导体杂质浓度分布”实验中的应用
被引量:
3
2
作者
丁格曼
张军朋
《大学物理实验》
2016年第2期90-93,共4页
基于电容-电压法(简称C-V法)来测量半导体杂质浓度分布,简单快速且不破坏样品。为更快速、精确求得半导体杂质浓度分布,利用Origin软件绘出样品的C-V曲线、1/C^2-V曲线的线性拟合,快速求出杂质浓度、自建场及绘制相应的杂质浓度分布曲线。
关键词
c-v测量法
ORIGIN
杂质浓度分布
PN结
下载PDF
职称材料
题名
利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构
1
作者
郑晓思
符斯列
机构
华南师范大学物理与电信工程学院
出处
《物理实验》
2020年第5期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金资助(No.10575039)
广东省自然科学基金资助(No.S2013010012548)
广东省高校特色创新项目资助(No.2018KTSCX121)。
文摘
利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,阱层的平均杂质浓度为7.12×1018 cm^-3,GaN垒层的平均垒宽为12.32 nm,垒层的平均杂质浓度为0.82×1018 cm^-3.温度降低,InGaN阱宽变窄,杂质浓度增大,而GaN垒宽变宽,杂质浓度降低.
关键词
c-v测量法
GAN基蓝光LED
多量子阱
Keywords
c-v
measurement
GaN-based LED
multiple quantum well
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
Origin软件在“电容-电压法测半导体杂质浓度分布”实验中的应用
被引量:
3
2
作者
丁格曼
张军朋
机构
华南师范大学
出处
《大学物理实验》
2016年第2期90-93,共4页
文摘
基于电容-电压法(简称C-V法)来测量半导体杂质浓度分布,简单快速且不破坏样品。为更快速、精确求得半导体杂质浓度分布,利用Origin软件绘出样品的C-V曲线、1/C^2-V曲线的线性拟合,快速求出杂质浓度、自建场及绘制相应的杂质浓度分布曲线。
关键词
c-v测量法
ORIGIN
杂质浓度分布
PN结
Keywords
c-v
measurement
Origin
impurity concentration distribution
p-n junction
分类号
O4-39 [理学—物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构
郑晓思
符斯列
《物理实验》
2020
0
下载PDF
职称材料
2
Origin软件在“电容-电压法测半导体杂质浓度分布”实验中的应用
丁格曼
张军朋
《大学物理实验》
2016
3
下载PDF
职称材料
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