基于连续复利因子的通货膨胀下的非线性C-V-P模型

常态下的本量利(C-V-P)模型是线性的,然而当出现显著的通货膨胀并且其影响是连续的情形时,企业的线性本量利模型将演变为非线性的.本文利用连续复利因子来测度通货膨胀对企业利润的影响,并给出一个相应的非线性模型.

氮在非调质钢中的作用

介绍了氮在非调质钢中所起的有益作用。在Nb ,V ,Ti三种微合金化元素中 ,钒有较高的溶解度 ,是非调质钢最常用也是最有效的强化元素。钒在钢中通过形成细小析出相起细化晶粒和沉淀强化作用。与碳相比 ,氮与钒有更强的亲和力 ,且氮化物更稳定 ,因此 ,氮对控制钒的析出起更重要的作用。大量研究结果表明 ,非调质钢中增氮改变了钒在相间的分布 ,促进V(C ,N)析出 ,使析出相的颗粒尺寸明显减小。因而氮增强了非调质钢中钒的沉淀强化作用 ,大幅度提高钢的强度。氮通过促进V(C ,N)析出 ,有效地钉扎奥氏体 -铁素体晶界 ,细化了铁素体晶粒。细小的V(C ,N)析出相促进晶内铁素体的形成 ,进一步细化了铁素体组织。对微钛处理非调质钢 ,增氮还提高TiN颗粒的稳定性 ,更有效地阻止奥氏体晶粒长大。充分利用廉价而丰富的氮 ,在保证一定的强度水平下 ,可节约贵重钒合金 ,进一步降低非调质钢的成本。因此 ,氮是非调质钢中经济有效的微合金化元素。

基于VPMELM的滚动轴承劣化状态辨识方法

针对变量预测模型模式识别方法(VPMCD)仅仅包含几种简单数学模型的问题,所建立的预测模型不足以反映特征值之间的复杂关系;极限学习机(ELM)回归模型是一种复杂且被广泛应用的模型,其模型可以反映特征之间的相互关系。结合极限学习机回归模型和VPMCD方法的优点,提出了一种基于极限学习机的变量预测模型(VPMELM)模式识别方法,并将该方法应用于滚动轴承劣化状态实验中。实验表明,基于VPMELM的辨识方法可以有效地对滚动轴承的劣化状态进行识别。

变形链球菌表面蛋白V区、P区及C末端遗传多态性与龋病发生关系的研究

目的 了解变形链球菌表面蛋白 V区、P区及 C末端遗传多态性与其粘附性能的关系。方法 实验菌株选自本实验室前期工作所获得的粘附力较强和较弱的血清 c型变形链球菌临床分离株 ,提取全菌 DNA ,经PCR分别扩增表面蛋白 V区、P区编码基因 spa P- pv(2 0 6 0～ 315 7bp)、C末端编码基因 spa P- c(4 0 0 3～ 4 85 1bp)后 ,用限制性内切酶 Alu 进行限制性片段长度多态性分析。结果 两组不同粘附力的变形链球菌 (血清 c型 )临床分离株全菌 DNA扩增产物 spa P- pv经 Alu 酶切后 ,出现了两种基因型 a、b。两种基因型在不同粘附力菌株的分布不同 (P<0 .0 5 ) ,a型在低粘附力菌株中的比例高于高粘附力菌株 ,而 b型在高粘附力菌株中的比例高于低粘附力菌株。 spa P- c经 Alu 酶切后 ,共呈现两种基因型 c、d。 d型在高、低粘附力的菌株中各占 1例 ,其分布无统计学差异。结论 spa P-

对范德瓦耳斯气体的热力学函数及热容量的研究

由热力学函数的定义，并结合范德瓦耳斯方程，推导出范德瓦耳斯气体的几个基本热力学函数，分析了其特性，并研究了范德瓦耳斯气体的定容摩尔热容量和定压摩尔热容量的一些性质，指出了其同理想气体的区别。

C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用

全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性及杂质浓度的纵向分布。

真实气体C_p-C_V值的理论分析

计算了范德瓦耳斯气体与列纳德-琼斯气体的Cp-CV理论值,并与实验值进行了对比.

先进制造环境下的成本决策方法研究

与先进制造环境相适应的基于作业的成本核算方法的产生和应用，从根本上动摇了传统成本决策理论的信息基础和理论依据，从而诱发了成本决策方法的变革，本文对先进制造环境下基于作业成本核算的成本决策方法进行了较为深入的研究．

弹性腔流激耦合共振及声辐射机理研究

利用Elder空腔声学模型,分析了典型空腔腔口剪切振荡和刚性壁腔体声模态的频率特征。采用模态法建立了弹性壁腔体模态声阻抗计算模型,并计算分析了腔口剪切振荡与弹性腔体耦合的归一化声辐射函数。研究表明弹性壁提供的附加压缩性,降低了空腔模态频率,增大了腔口剪切振荡与空腔模态耦合共振及强声辐射的可能性,并由试验验证了计算结果。

二极管非超突变结C-V幂律分析

基于杂质浓度分布的突变结或线性缓变结模型,二极管p-n结(电)容—(电)压关系可简单地由C-V幂律描述。精密的实验测量数据显示,采用指数n=1/2或n=1/3不足以全面描述非超突变结C-V关系。通过引入杂质浓度幂函数分布规律并利用泊松方程,从而获得二极管p-n结C-V幂律通式,而指数n=1/2或n=1/3仅是新模型的特例。运用合理的数据处理技术,由一系列实验结果说明该幂律分析方法更具普适性。

葡萄卷叶伴随病毒1号和3号宁夏分离物部分基因序列分析

为明确葡萄卷叶伴随病毒(GLRaVs)在宁夏贺兰山东麓酿酒葡萄上的侵染状况,采用RT-PCR技术对40份酿酒葡萄样品中的GLRaV-1~GLRaV-5进行了外壳蛋白(CP)、复制酶(RdRp)和热激蛋白(HSP70)基因序列的克隆和分析。检测结果表明,在所检测的5种病毒中,除GLRaV-2和GLRaV-4未检测到外,GLRaV-1和GLRaV-3的检出率最高,分别为20.0%和32.5%,GLRaV-5的检出率仅为5.0%;有6个样品存在GLRaV-1和GLRaV-3两种病毒复合侵染。序列分析表明,GLRaV-1宁夏分离物的部分CP基因序列长度为232nt,其两种分离物间的核苷酸序列同源率为90%,与已报道的国内外其他分离物CP基因序列相比,其同源率为90%~99%;GLRaV-3宁夏分离物的CP基因序列长度为942nt,其两种分离物间的核苷酸序列同源率为40%,与已报道的国内外其他分离物CP基因序列相比,其同源率为40%~99%;GLRaV-3宁夏分离物的RdRp基因序列长度为683nt,其各分离物间的核苷酸序列同源率为90%以上,与已报道的国内外其他分离物RdRp基因序列相比,其同源率为90%~99%;GLRaV-3宁夏分离物的HSP70基因序列长度为546nt,其两种分离物间的核苷酸序列同源率为96%,与已报道的国内外其他分离物HSP70基因序列相比,其同源率为96%~99%。

n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究

采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。

cBN/SiN-p异质结的电学性质研究

用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8～ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。

铁电存储器1T单元C-V特性的计算机模拟

依据传统的铁电材料的P-E特性建模的方法,引入电压影响因子,得到了更为适合的P-V特性的新模型。另外,通过对P-V特性的分析、整合,从理论上得到了铁电存储器内铁电电容的C-V特性。从而系统地建立铁电存储器IT单元特性模型,该模型简单、准确、可移植性强。通过计算机模拟得到的仿真结果和现实器件特性结果相比对,验证了模型的正确性。

左氧氟沙星治疗社区获得性肺炎的临床评价及对血清C反应蛋白及白细胞的影响

目的 探讨左氧氟沙星治疗社区获得性肺炎,对患者血清C反应蛋白（CRP）及白细胞（WBC）的影响,并分析临床疗效。方法 选择2010年1月~2013年12月于宁波大学医学院附属医院就诊的60例社区获得性肺炎患者,按抽签法分为对照组（n=30）及研究组（n=30）,对照组采用阿莫西林克拉维酸钾联合阿奇霉素治疗,研究组采用左氧氟沙星单药治疗,比较2组临床效果,临床表现消失时间,CRP、WBC,免疫功能和安全性。结果 2组有效率比较差异无统计学意义。研究组发热、咳嗽及肺部湿啰音消失分别为（3.23±0.48）d、（7.84±1.12）d、（8.26±1.18）d,时间少于对照组（4.69±0.66）d、（9.30±1.34）d、（9.87±1.43）d,差异有统计学意义（P〈0.05）。治疗后,研究组CRP、WBC分别为（29.54±4.15）mg/L、（7.11±1.10）×109/L,低于对照组（36.41±5.17）mg/L、（8.25±1.15）×109/L,差异有统计学意义（P〈0.05）。研究组免疫功能改善较对照组更明显,差异有统计学意义（P〈0.05）。2组安全性比较差异无统计学意义。结论 左氧氟沙星治疗社区获得性肺炎效果更好。

结合模糊(C+P)均值聚类和SP-V-支持向量机的TSK分类器

为获得具有模糊规则自适应约简性能和较好的泛化性能的TSK分类器,本文提出了一种结合模糊(C+P)均值聚类(FCPM)算法和SP-V-支持向量机(SVM)分类算法来构建TSK(Takagi-Sugeno-Kang)分类器的方法。该方法首先用FCPM聚类算法对训练数据进行聚类;然后根据聚类结果确定TSK分类器的模糊规则前件中的高斯隶属度函数的中心和宽度参数;最后采用成组稀疏约束SP-V-SVM算法对模糊规则后件参数进行学习,该算法不仅改善了系统的泛化性能,还使系统具有模糊规则自适应约简功能,使得系统更为紧凑。与相关算法在UCI和IDA标准数据集分类实验中的模糊规则数和分类性能对比表明:用提出的分类算法所构造的TSK分类器不仅具有较好的分类性能,而且模糊规则数少,有利于构建更为紧凑的模糊分类系统。

关于不确定性本－量－利分析的理论探讨

根据市场经济条件下，成本、产销量及利润不确定的特点，讨论了具有现实意义的不确定性本－量－利决策模型的分类和一般分析，并建立了多品种，多不确定因素本－量－利决策模型．

An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬底抛光面上淀积含Ｃ６０聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｎ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构．通过常温及温偏处理后的不同Ｃ－Ｖ特性，推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数，并对经过温偏处理后Ｃ－Ｖ曲线的畸变做了讨论．

MFMIS铁电电容器的模型改进

为了考虑铁电薄膜的历史电场效应,本文结合偶极子转换理论和MOS电容器的半导体物理理论,提出了一种描述MFMIS电容器电学性能的改进模型。利用该模型,模拟了铁电薄膜的极化强度-电压(P-E)特性和MFMIS电容器的电容-电压(C-V)特性,并与实验结果进行了对比。模拟结果与实验结果符合较好。本改进模型可被推广应用至MFMIS结构类器件中。