硅MOS结构C-t瞬态分析中产生区宽度的新模型

在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上 ,提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型 ,它也可以看作是对 Zerbst模型的一种修正 .新模型的标准偏差小于 Pierret模型的标准偏差 .实验数据的分析表明 ,用该模型得到的产生寿命值与