低剂量电离辐射对C6脑肿瘤干细胞增殖分化及凋亡的影响

目的观察低剂量电离辐射对C6 BTSCs增殖、分化及凋亡的影响。方法进行C6 BTSCs的悬浮培养,应用倒置相差显微镜观察干细胞的生长特性,通过Brd U和CD133免疫荧光染色法明确C6 BTSCs的增殖情况,流式细胞分析法观察低剂量电离辐射后C6 BTSCs的凋亡情况。结果在无血清条件培养基的作用下,悬浮培养的C6 BTSCs增殖速度快,干细胞数量较多;低剂量电离辐射后,0.3 Gy组促进C6 BTSCs增殖和分化能力,且0.3Gy组C6 BTSCs存活细胞数量较多,凋亡的细胞数量较少,与对照组或3.0 Gy组比较,差异有统计学意义(P<0.05)。结论 C6胶质瘤细胞系中存在具有干细胞特性的C6 BTSCs,且低剂量电离辐射刺激对C6 BTSCs的增殖、分化具有促进作用。

C6胶质瘤细胞系中脑肿瘤干细胞的悬浮培养和鉴定

目的观察C6胶质瘤细胞系中脑肿瘤干细胞的悬浮培养、增殖、分化的生物学特征。方法进行C6BTSCs的悬浮培养,应用倒置相差显微镜观察干细胞的生长特性;免疫荧光染色观察Brd U、CD133和Nestin的表达情况。结果在无血清条件培养基中,悬浮培养的C6 BTSCs增殖速度快,具有较强的增殖分裂能力,呈BrdU、CD133和Nestin强阳性,其中Brd U阳性细胞数占CD133阳性细胞数的65%以上;在含血清培养基中,BTSCs呈神经样细胞分化,其细胞形态与贴壁培养的C6胶质瘤细胞在形态上无差别。结论 C6胶质瘤细胞系中存在脑肿瘤干细胞,且该细胞可悬浮培养、增殖和分化。