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IGBT^4技术提高了应用性能 半导体技术与封装——完美的匹配
1
作者
拉尔夫.安纳克
赖茵哈特.赫茨
《变频器世界》
2007年第7期52-54,共3页
本文讨论IGBT^2、IGBT^3以及SEMITRANS~模块采用的新GBT^4半导体技术之间的区别,并展示在某些情况下新IGBT^4技术和CAL4二极管给SEMITRANS~模块所带来的性能提升。
关键词
IGBT^
4
CAL^
4
二极管
SEMITRANS模块
变频器
下载PDF
职称材料
题名
IGBT^4技术提高了应用性能 半导体技术与封装——完美的匹配
1
作者
拉尔夫.安纳克
赖茵哈特.赫茨
机构
Semikron International公司
出处
《变频器世界》
2007年第7期52-54,共3页
文摘
本文讨论IGBT^2、IGBT^3以及SEMITRANS~模块采用的新GBT^4半导体技术之间的区别,并展示在某些情况下新IGBT^4技术和CAL4二极管给SEMITRANS~模块所带来的性能提升。
关键词
IGBT^
4
CAL^
4
二极管
SEMITRANS模块
变频器
Keywords
IGBT^
4
CAL
4
diode SEMITRANS module Inverter
分类号
TM341 [电气工程—电机]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IGBT^4技术提高了应用性能 半导体技术与封装——完美的匹配
拉尔夫.安纳克
赖茵哈特.赫茨
《变频器世界》
2007
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