电荷耦合器件(CCD)应用概述

CCD实质是MOS电容器的新应用,目前国外发展很快,已趋于成熟,应用领域不断扩展。本文主要叙述CCD基本原理及应用概况。

电荷耦合器件(CCD)

介绍 CCD器件的工作原理。

电荷耦合器件(CCD)在单缝衍射光强分布测量中的应用

通过CCD传感技术把光学量——单缝衍射光强转化为电学模拟量,继而进行模数转换,最后用单片机系统进行数据处理,降低光学量测量的工作强度,获得较高的实验精度,取得较好的实验效果。

电荷耦合器件CCD固体摄像机的基本工作原理

本文介绍了电荷耦合CCD固体摄像机的势阱、电荷的转移及几种基本类型。

LPCVD多晶硅膜的制备和在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)中的应用

本文介绍热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)制备多晶硅膜的淀积变量,影响膜层质量的因素。其次简述了多晶硅膜的等离子刻蚀情况及其在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(Ptsi-SBIRCCD)研制中的应用。

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi—SBIRCCD)的暗电流密度分析

本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和PtSi-SBIR CCD的暗电流来源以及降低暗电流尖峰、改善器件性能的工艺措施.

电荷耦合器件(CCD)TCD132D的驱动电路

电荷耦合器件简称CCD,它具有光电转换、信号存储和信号传输(自扫描)的功能,在图象传感、信息处理和信息存储等方面应用广泛。在使用时除了电源外,还需要与之配套的驱动电路,以提供电荷转移所必需的各种时钟脉冲以及输入、输出所需的复位脉冲。CCD的性能受驱动电路的影响很大,诸如信号处理能力、

致冷式高性能电荷耦合器件(HCCD)摄象机

致冷式高性能电荷耦合器件(HCCD)已成为高要求成象的必选仪器,并且在大量增加的象应用方面也成为传统的基于化学照相法的替代品。本文讨论致冷式 CCD 摄象机的工作理,重点放在其性能和应用方面。同时也给出一些当今能达到的表明其不同寻常性能水平多种成象的致冷式 CCD 摄象机的数据。

面阵CCD电荷耦合器件的特点及原理分析

较为详细地分析了帧转移型、行间转移型和帧—行转移型面阵CCD电荷耦合器件的光电转换原理、电荷转移方式及其优缺点.

应用高清晰度CCD（电荷耦合器件）技术实现纱线条干质量的精确检测及其数据处理与修正

0引言 众所周知，纱线的质量检测对于纱线的生产乃至整个纺织产业都是至关重要的。纱线质量检验的结果一方面为纱线生产企业提供生产和工艺调控的可靠依据，另一方面为使用单位和贸易企业提供可靠的质量信息，以实行优质优价、按质论价。防止伪劣、残次产品流入市场，维护纺织品生产企业、贸易企业和消费者三个方面的利益。

电子轰击一电荷耦合器件(EBS-CCD)型微光摄像器件的发展历史和现状

本文综述了EBS-CCD摄像器件的发展历史和现状,讨论了EBS-CCD摄像技术存在的技术困难及解决方法。综合讨论了EBS-CCD微光摄像器件的优缺点,为设计和研制该器件的科技人员提供了技术上的参考。

电荷耦合器件光电响应特性标定研究

电荷耦合器件(CCD)光电输入输出响应特性是其用于光束远近场能量分布测量的重要参数,介绍一种新的标定方法———小孔衍射方法:即利用小孔衍射图像的零级谱的能量相对分布作为CCD能量的标准参考输入,依据最小二乘拟合准则,根据CCD的灰度输出标定其响应特性。介绍了数据处理方法并完成了校核实验及误差分析。

电荷耦合器件及其应用进展

电荷耦合器件 (CCD)是基于金属 氧化物 半导体 (MOS)技术的光敏元件。目前CCD已具有光谱响应范围宽、检出限低、动态范围宽、暗电流和读出噪声低以及具有积分信号、多道同时检测信号和实时监测等能力的优点。目前它已经广泛地应用在各个领域。本文扼要介绍了CCD的基本工作原理 ,特点及性能表征。评述了CCD在光谱检测和成象领域中较活跃的应用及发展前景。指出了CCD技术的发展给光谱分析领域带来了革命性的进展。

皮秒激光对电荷耦合器件多脉冲损伤效应研究

为了研究短脉冲激光对光电系统的作用机理,开展了高重频皮秒激光对行间转移Wat-902B型电荷耦合器件（CCD）的损伤实验研究,并对损伤机理进行了分析。调整皮秒激光指向相机光学系统入瞳位置,并使用电动转台方法控制激光与光学系统的交汇时间,从而控制到达光电探测器的脉冲个数。采用激光传输的二阶矩理论获得了激光到达CCD靶面的光斑能量分布,光斑测试精度优于20.3%.考虑到实验误差,1.5 ns、400 ps千赫兹高重频激光条件下,转台转速201°/s,器件功能性损伤阈值为13.6-121.0 mJ/cm2,显著小于单脉冲损伤阈值263-1 146 mJ/cm2.单脉冲器件功能性失效机理为垂直转移电路电极间短路,多脉冲激光条件下的器件功能性失效机理与单脉冲损伤显著不同,表现为多线损伤的积累过程。

电荷耦合器件(CCDs)正走着IC发展之路

电荷耦合器件一经问世就得到广泛的应用。虽然影视摄像是其主要市场,但其迅速的普及却是四种主要技术发展的结果。器件本身性能的改进;接口线路及器件小型化;在局域和广域数字宽带网传输高质量图象能力的提高即所谓信息高速公路的出现;PC机图象处理能力的飞速发展,这四大技术的进步使CCDs的应用已深入到信息产业的每一个角落。

中子辐照导致线阵电荷耦合器件电荷转移效率退化实验研究

利用TRIGA型脉冲反应堆提供的快中子,对线阵电荷耦合器件进行中子辐照实验研究。研究结果表明:在1012-1013cm-2中子注量范围内,该器件的电荷转移效率(CTE)随辐照中子注量的增加而线性下降;电荷转移效率的下降与电荷包在沟道中的转移时间及转移电荷包的电量有关。

电荷耦合器件辐射损伤机理分析

简要介绍了CCD的基本器件结构与工作机制,跟踪了国外CCD器件辐射效应方面的研究进展,分析了CCD器件电离效应和位移损伤机理,给出了国外在暗电流密度、RTS、电荷转移损失率等特征参数辐射效应的试验测试结果,以及相应的数学物理模型。

质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响

对国产工艺的电荷耦合器件进行了质子、中子、^(60)Co-γ射线辐照试验,研究了不同粒子辐照对器件饱和输出电压的影响。试验结果显示在质子、γ射线辐照下,电荷耦合器件的饱和输出电压显著退化,而在1 Me V中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力。分析认为饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响,一方面辐射感生界面态导致阈值电压正向漂移使耗尽层可存储最大电荷量下降;另一方面电离辐射损伤使电荷耦合器件片上放大器增益减小导致饱和输出电压下降。

如何选用电荷耦合器件(CCD)阵列

引言 由于科学研究和高技术的需要,生产电荷耦合器件(CCD)阵列的厂家越来越多,因此选用哪一种CCD更适合应用上特殊的需要,这是一个值得讨论的实际问题。在选用时应考虑的因素有:CCD阵列的尺寸;光谱响应;动态范围以及扫描速率等。必须经过慎审的权衡,最终选出既经济又实用的CCD阵列。

Intersil推出新款电荷耦合器件(CCD)驱动器ISL55112

Intersil公司推出新款电荷耦合器件（CCD）驱动器——ISL55112。为数码成像产品提供了业内最快、最精确的图像传感器驱动解决方案。