利用微电子测试图形监控CCD工艺

本文根据硅CCD摄像器件的特点和要求,设计出一套可用来监控硅CCD工艺的测试图形,并把此套图形应用于实际的CCD工艺。实验分析其它工艺参数的同时,重点对存贮时间Tc和界面态密度Nss进行了研究。认为工艺过程引起存贮时间的下降,是由于工艺诱生位错的影响,而工艺诱生位错主要由多晶硅层上二次栅氧化的界面应力所导致;认为界面态密度主要取决于栅氧化和退火工艺,与中间工序的关系不明显。整个实验表明,用微电子测试图形监控CCD工艺、分析器件失效,是可行可靠的。

用日新月异的新技术改造共聚焦显微镜

随着计算机、光学显微镜、大数值孔径复消色差物镜、高分辨率分析显示、激光源、激光功率、高敏感度探测器、声光转换电子控制和各种荧光标记物的发展，共聚焦显微镜向更精、更快、多维和无损伤性分析的方向发展。技术进步不断使共聚焦显微镜产生革新，我们重点关注三大共聚焦显微镜制造商奥林巴斯（Olympus），尼康(Nikon)和卡尔蔡司（Carl Zeiss）在这场技术革命中的所作所为。