DRAM介质刻蚀工艺和设备发展简述

本文从动态随机存储(DRAM)架构和制造出发,介绍DRAM刻蚀工艺,包括图形、材料、化学气体以及设备;重点阐述20 nm以下DRAM介质刻蚀的工艺挑战,分析工艺类型、工艺特点并提出解决方案;从工艺概念和硬件功能两方面追踪对应的CCP刻蚀设备发展现状,并展望发展趋势。