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CCTO/Cu巨介电陶瓷 被引量:2
1
作者 郑兴华 肖娟 +2 位作者 严容 黄旭 郑可炉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期304-308,共5页
采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)/Cu陶瓷,Cu改善了CCTO陶瓷的烧结性能。Cu添加较少时,CCTO/Cu陶瓷为CCTO单相;而当Cu添加较多时,CCTO/Cu陶瓷中出现第二相,并且随烧结温度的升高,第二相由CuO变成Cu2O。CCTO/Cu陶瓷存在明显的晶粒... 采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)/Cu陶瓷,Cu改善了CCTO陶瓷的烧结性能。Cu添加较少时,CCTO/Cu陶瓷为CCTO单相;而当Cu添加较多时,CCTO/Cu陶瓷中出现第二相,并且随烧结温度的升高,第二相由CuO变成Cu2O。CCTO/Cu陶瓷存在明显的晶粒异常长大和层状晶界相。但是,当Cu添加量达到3wt%时,层状富铜晶界相大大减少且分布不均匀。CCTO/Cu陶瓷均具有巨介电常数(>104,1kHz)和较低的损耗(~10-1)。CCTO/Cu陶瓷的巨介电常数与其半导体部分密切相关。相对于CCTO陶瓷,CCTO/Cu陶瓷介电常数具有更强的温度依赖性。 展开更多
关键词 巨介电常数 烧结温度 ccto/Cu陶瓷
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低损耗高介电常数CCTO陶瓷的制备与性能研究 被引量:3
2
作者 邵守福 董凡 张家良 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期21-24,共4页
为了降低CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料的介质损耗,采用传统固相反应法制备了组分为CaCu3–yZry/2Ti4O12(CCZTO)的陶瓷样品。研究了ZrO2掺杂对CCTO陶瓷性能的影响。结果表明:所制CCZTO陶瓷样品在维持了CCTO陶瓷材料介电常数大、低频介电常... 为了降低CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料的介质损耗,采用传统固相反应法制备了组分为CaCu3–yZry/2Ti4O12(CCZTO)的陶瓷样品。研究了ZrO2掺杂对CCTO陶瓷性能的影响。结果表明:所制CCZTO陶瓷样品在维持了CCTO陶瓷材料介电常数大、低频介电常数随频率和温度变化小的优点的同时,介质损耗大幅降低;其介电常数和介质损耗的指标满足美国电子工业协会EIAZ5U标准,而温度系数αc性能指标优于EIAX7A标准所规定的±55×10–6/℃,是一种综合性能技术指标优良的新型高介电常数陶瓷材料。 展开更多
关键词 ccto 高介电常数 介质损耗 ZRO2 掺杂
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La_2O_3、Cr_2O_3共掺杂的CCTO陶瓷介电性能研究 被引量:1
3
作者 蒲永平 董子靖 《陕西科技大学学报(自然科学版)》 2013年第2期23-25,61,共4页
采用氧化物混合工艺制备了La2O3和Cr2O3共掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料。通过XRD、介电温度特性等测试手段,研究了掺杂不同浓度的La2O3和Cr2O3对CCTO体系陶瓷介电性能的影响,并对掺杂机理进行了分析.研究结果表明:分别掺杂La2O3和Cr... 采用氧化物混合工艺制备了La2O3和Cr2O3共掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料。通过XRD、介电温度特性等测试手段,研究了掺杂不同浓度的La2O3和Cr2O3对CCTO体系陶瓷介电性能的影响,并对掺杂机理进行了分析.研究结果表明:分别掺杂La2O3和Cr2O3的CCTO陶瓷的介电损耗为~0.2,比纯的CCTO陶瓷样品低,而介电常数仍保持在~104;掺杂0.03at%La2O3和0.08at%Cr2O3的CCTO陶瓷材料的介电常数为4.4×104,介电损耗可降至0.15.因此,通过共掺杂的方法可以在有效降低CCTO陶瓷介质损耗的同时,仍维持高的介电常数. 展开更多
关键词 ccto陶瓷 La2O3、Cr2O3 掺杂 介电性能
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热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能
4
作者 王海龙 乔建房 +3 位作者 陈德良 关莉 李明亮 张锐 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期308-311,共4页
首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性... 首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能,并对其介电机理进行了探讨。结果发现,在950℃和30MPa的热压条件下制备出的SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数εr≈3×10(81kHz),分析认为其介电机理属于阻挡层机制,载流子在SiC与CCTO界面处聚积,形成空间电荷极化。 展开更多
关键词 陶瓷电容器 ccto 热压烧结 介电性能
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CCTO-电木复合材料的制备、结构和介电性能 被引量:3
5
作者 黄旭 郑兴华 +3 位作者 汤德平 杨小炳 洪聪杰 林芬 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期33-36,共4页
采用热压法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-电木复合材料,加入CCTO不但明显提高了电木的介电常数,而且显著地降低了其介电损耗。随CCTO含量增加,电阻率先变化甚少,而后急剧降低,到80 wt%CCTO时为107Ω.m。大量添加CCTO将阻碍聚合物的交联固化... 采用热压法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-电木复合材料,加入CCTO不但明显提高了电木的介电常数,而且显著地降低了其介电损耗。随CCTO含量增加,电阻率先变化甚少,而后急剧降低,到80 wt%CCTO时为107Ω.m。大量添加CCTO将阻碍聚合物的交联固化,气孔明显增多。综合考虑,添加50 wt%CCTO复合材料性能最好。 展开更多
关键词 ccto 电木 热压 介电性能
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CCTO/PVDF复合材料的制备及介电性能研究 被引量:4
6
作者 王行行 蔡会武 +3 位作者 彭建东 周文英 刘圣楠 刘标 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2019年第3期18-24,共7页
采用溶胶-凝胶法制备CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)前驱粉体,然后与聚偏氟乙烯(PVDF)进行复合,制备了CCTO/PVDF复合材料。研究了在不同煅烧温度和不同含量CCTO前驱粉体条件下CCTO/PVDF复合材料的介电性能与微观结构。结果表明:CCTO前驱粉体的... 采用溶胶-凝胶法制备CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)前驱粉体,然后与聚偏氟乙烯(PVDF)进行复合,制备了CCTO/PVDF复合材料。研究了在不同煅烧温度和不同含量CCTO前驱粉体条件下CCTO/PVDF复合材料的介电性能与微观结构。结果表明:CCTO前驱粉体的晶粒尺寸随着煅烧温度的升高而逐渐增大,并且在各个煅烧温度下CCTO前驱粉体的粒径分布较宽。随着煅烧温度的升高,CCTO/PVDF复合材料的介电常数减小。CCTO/PVDF复合材料的介质损耗也随煅烧温度的升高呈现下降趋势,这可能是由前驱粉体自身的损耗造成的。CCTO/PVDF复合材料的介电常数和介质损耗均随CCTO前驱粉体含量的增加而增大。 展开更多
关键词 ccto PVDF 介电性能 煅烧温度
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CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷的研究进展 被引量:2
7
作者 王行行 蔡会武 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1981-1985,1990,共6页
CaCu_3Ti_4O_(12)(也简称为CCTO)是一种非铅基、具有高介电常数以及高热稳定性的新型介电陶瓷。这种性质使得它无论在科研领域还是在实际应运中都将成为研究的热点。首先介绍了CCTO目前的几种制备工艺,并对这几种工艺作出简单对比分析... CaCu_3Ti_4O_(12)(也简称为CCTO)是一种非铅基、具有高介电常数以及高热稳定性的新型介电陶瓷。这种性质使得它无论在科研领域还是在实际应运中都将成为研究的热点。首先介绍了CCTO目前的几种制备工艺,并对这几种工艺作出简单对比分析。其次介绍了CCTO巨介电常数机理来源的几种机制,然后详尽介绍掺杂改性对CCTO特性的影响,最后对CCTO的研究现状做出总结。 展开更多
关键词 ccto 制备工艺 巨介电常数 介电损耗 内部机理 掺杂改性
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A Short Review on Copper Calcium Titanate(CCTO) Electroceramic;Synthesis,Dielectric Properties,Film Deposition,and Sensing Application 被引量:1
8
作者 Mohsen Ahmadipour Mohd Fadzil Ain Zainal Arifin Ahmad 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2016年第4期291-311,共21页
Electroceramic calcium copper titanates(CaCu3Ti4O12,CCTO),with high dielectric permittivities(e) of approximately 105 and 104,respectively,for single crystal and bulk materials,are produced for a number of wellestab... Electroceramic calcium copper titanates(CaCu3Ti4O12,CCTO),with high dielectric permittivities(e) of approximately 105 and 104,respectively,for single crystal and bulk materials,are produced for a number of wellestablished and emerging applications such as resonator,capacitor,and sensor.These applications take advantage of the unique properties achieved through the structure and properties of CCTO.This review comprehensively focuses on the primary processing routes,effect of impurity,dielectric permittivity,and deposition technique used for the processing of electroceramics along with their chemical composition and micro and nanostructures.Emphasis is given to versatile and basic approaches that allow one to control the microstructural features that ultimately determine the properties of the CCTO ceramic.Despite the intensive research in this area,none of the studies available in the literature provides all the possible relevant information about CCTO fabrication,structure,the factors influencing its dielectric properties,CCTO immobilization,and sensing applications. 展开更多
关键词 ccto Chemical synthesis Dielectric permittivity Loss factor DEPOSITION Sensitivity
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巨介电常数材料CCTO的可变程跳跃电导研究(英文)
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作者 林鹏 黄海涛 +2 位作者 叶茂 曾燮榕 柯善明 《集成技术》 2014年第6期8-13,共6页
文章研究了巨介电常数材料Ca Cu3Ti4O12(CCTO)在宽温区(-120℃~300℃)及宽频域(1 Hz^10 MHz)的交流电导及介电性能。在低温区和高温区,CCTO表现出两种不同的导电过程,均可以由Mott提出的可变程跳跃电导机制(Variable-Range-Hopping,VRH... 文章研究了巨介电常数材料Ca Cu3Ti4O12(CCTO)在宽温区(-120℃~300℃)及宽频域(1 Hz^10 MHz)的交流电导及介电性能。在低温区和高温区,CCTO表现出两种不同的导电过程,均可以由Mott提出的可变程跳跃电导机制(Variable-Range-Hopping,VRH)来描述。研究发现高温VRH过程与氧空位的二次离子化相关,而低温过程符合普适介电响应方程,其介电弛豫行为起源于极化子的弛豫。 展开更多
关键词 巨介电常数 可变程跳跃电导 极化子弛豫
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液相法制备CCTO及其巨介电机理的研究 被引量:1
10
作者 叶中郎 朱泽华 +2 位作者 高红霞 谢兆军 赵海杰 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期436-439,共4页
利用溶胶凝胶法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO),相对介电常数高达123000。通过对不同温度烧结的样品断口进行能谱分析,发现晶界有明显的Cu富集,而且样品介电常数以及电导率均与晶界处Cu含量成正比。分析了Cu的偏析度对介电常数的影响及其巨介... 利用溶胶凝胶法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO),相对介电常数高达123000。通过对不同温度烧结的样品断口进行能谱分析,发现晶界有明显的Cu富集,而且样品介电常数以及电导率均与晶界处Cu含量成正比。分析了Cu的偏析度对介电常数的影响及其巨介电机理。 展开更多
关键词 巨介电材料 ccto 溶胶凝胶法 Cu偏析
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钛酸钡基低频热稳定陶瓷掺杂CCTO的研究
11
作者 肖谧 吴昊阳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期61-64,共4页
以CaCO3、CuO及TiO2为原料,采用固相法制备了CCTO(CaCu3Ti4O12)。通过在纯BaTiO3与掺杂有M(M由Nb2O5、Co2O3、Nd2O3、CeO2及MnCO3构成,可改善陶瓷材料的温度特性)的BaTiO3中掺杂不同量CCTO,研究了CCTO掺杂对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电... 以CaCO3、CuO及TiO2为原料,采用固相法制备了CCTO(CaCu3Ti4O12)。通过在纯BaTiO3与掺杂有M(M由Nb2O5、Co2O3、Nd2O3、CeO2及MnCO3构成,可改善陶瓷材料的温度特性)的BaTiO3中掺杂不同量CCTO,研究了CCTO掺杂对BaTiO3陶瓷的微观结构和介电性能的影响。实验结果表明,掺杂CCTO后,陶瓷晶粒长大,陶瓷介电性能随着CCTO掺杂量的改变而改变,居里峰随CCTO掺杂量的增加向高温方向移动。在烧结温度为1 160℃时所制备的添加有M和7%CCTO(质量分数)的BaTiO3陶瓷片样品在–55^+150℃的相对介电常数变化率在±15%以内,符合X8R的要求。 展开更多
关键词 BATIO3 ccto MLCC 掺杂 X8R 微观结构 介电性能
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巨介电CCTO及CCTO/聚合物研究 被引量:4
12
作者 王亚军 王芳芳 +1 位作者 冯长根 曾庆轩 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1981-1988,共8页
具有类钙钛矿结构的钛酸铜钙CaCu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷材料以其巨介电特性、介电常数的温度和频率稳定性及非线性等特性在材料研究领域和实际应用中受到广泛关注。本文比较了CCTO各种巨介电理论和模型,详述了目前能够较合理地解释CCTO... 具有类钙钛矿结构的钛酸铜钙CaCu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷材料以其巨介电特性、介电常数的温度和频率稳定性及非线性等特性在材料研究领域和实际应用中受到广泛关注。本文比较了CCTO各种巨介电理论和模型,详述了目前能够较合理地解释CCTO巨介电特性的内部阻挡层电容模型(IBLC)。综述了制备方法、制备条件及改性方法对CCTO介电性能的影响。离子掺杂是降低CCTO介电损耗常用的方法之一,掺杂效果受掺杂离子半径、离子价态等多种因素的影响。将陶瓷粉体与聚合物进行复合形成0-3型复合材料是目前制备综合性能良好的介电材料的有效方法,对CCTO/聚合物复合材料的研究进展进行了评述。最后,展望了CCTO陶瓷材料的发展前景。 展开更多
关键词 介电性能 复合材料 钛酸铜钙 掺杂改性
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Effect of (Ba_(0.6)Sr_(0.4))TiO_3(BST) Doping on Dielectric Properties of CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO) 被引量:3
13
作者 I. Norezan A.K. Yahya M.K. Talari 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第12期1137-1144,共8页
The effect of (Ba(0.6)Sr(0.4))TiO3(BST) addition on dielectric properties of CaCu3Ti4O(12) (CCTO) ceramic was investigated. Ceramic samples with the chemical formula (1-x)CaCu3Ti4O(12) + x(Ba(0.6)... The effect of (Ba(0.6)Sr(0.4))TiO3(BST) addition on dielectric properties of CaCu3Ti4O(12) (CCTO) ceramic was investigated. Ceramic samples with the chemical formula (1-x)CaCu3Ti4O(12) + x(Ba(0.6),Sr(0.4))TiO3 (x=0, 0.05, 0.1, and 0.2) were synthesized from high purity oxide powders by the conventional solid-state synthesis method. X-ray diffraction (XRD) analysis showed the existence of BST as a secondary phase alongside CCTO. Scanning electron microscopy (SEM) investigation showed a slight decrease in grain size of doped CCTO samples. Density measurements showed that porosity content increased with increasing BST addition indicating low densification due to high melting point secondary phase addition. Dielectric constant of undoped CCTO (x=0) showed lack of stability with frequency which dropped drastically between 104 and 105Hz and accompanied by high dielectric loss. Addition of BST into CCTO caused the dielectric constant to slightly decrease but improved stability with frequency compared to the undoped sample. The decrease in dielectric constant of doped CCTO samples was suggested to be partly due to the decrease in average grain size and increase in porosity with BST addition. Nevertheless, a high value of dielectric constant was still maintained around ~104 range for all doped samples. The dielectric loss (tanδ) of all BST-doped samples was lower than that of pure CCTO sample at the frequency range of 103 to 105 Hz probably due to the increase of grains boundary resistivity. The activation energy of grains boundary (E(gb)) showed higher values as compared to the activation energy of grains (Eg ) for all samples and conforms to the internal barrier layer capacitor (IBLC) model. 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O(12)(ccto Dielectric properties (Ba(0.6)Sr(0.4))TiO3(BST)
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Influence of silane coupling agent on microstructure and properties of CCTO-P(VDF-CTFE)composites
14
作者 Yang Tong Lin Zhang +2 位作者 Patrick Bass Terry D.Rolin Z.-Y.Cheng 《Journal of Advanced Dielectrics》 CAS 2018年第2期22-30,共9页
Influence of the coupling agent on microstructure and dielectric properties of ceramic-polymer composites is systematically studied using CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)as the filler,trichloro-(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl)-... Influence of the coupling agent on microstructure and dielectric properties of ceramic-polymer composites is systematically studied using CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)as the filler,trichloro-(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl)-silane(Cl_(3)-silane)as coupling agent,and P(VDF-CTFE)88/12 mol.%copolymer as the matrix.It is demonstrated that Cl_(3)-silane molecules can be attached onto CCTO surface using a simple process.The experimental results show that coating CCTO with Cl_(3)-silane can improve the microstructure uniformity of the composites due to the good wettability between Cl_(3)-silane and P(VDF-CTFE),which also significantly improves the electric breakdown field of the composites.It is found that the composites using CCTO coated with 1.0 wt.%Cl_(3)-silane exhibit a higher dielectric constant with a higher electric breakdown field.For the composites with 15 vol.%CCTO that is coated with 1.0 wt.%Cl_(3)-silane,an electric breakdown field of more than 240 MV/m is obtained with an energy density of more than 4.5 J/cm^(3).It is also experimentally found that the dielectric constant can be used to easily identify the optimized content of coupling agent. 展开更多
关键词 Ceramic-polymer energy density ccto coupling agent breakdown strength
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高介电聚合物/无机复合材料研究进展 被引量:10
15
作者 申玉芳 邹正光 +2 位作者 李含 龙飞 吴一 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期29-34,共6页
随着电子工业的飞速发展,电子器件小型化、高速化成为一种主导发展趋势。采用高介电材料制备的器件尺寸仅为传统振荡器和介质相的1/K,使得高介电材料成为电子材料行业一个重要的发展领域。高介电钙钛矿型无机陶瓷材料与可加工性强的聚... 随着电子工业的飞速发展,电子器件小型化、高速化成为一种主导发展趋势。采用高介电材料制备的器件尺寸仅为传统振荡器和介质相的1/K,使得高介电材料成为电子材料行业一个重要的发展领域。高介电钙钛矿型无机陶瓷材料与可加工性强的聚合物材料两相复合材料结合了两相各自的优势,比如聚合物相的低温(200℃)可加工性与机械强度以及陶瓷相的高介电性,成为高介电复合材料的研究热点之一。综述了高K聚合物/无机复合材料的研究进展,介绍了其高介电理论、材料制备方法及发展动向。 展开更多
关键词 高K复合材料 介电常数 ccto BT
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CaCu_3Ti_4O_(12)高介电材料的研究现状与发展趋势 被引量:12
16
作者 李含 邹正光 +1 位作者 吴一 龙飞 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期121-126,共6页
CaCu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷材料以其高介电常数、高热稳定性和强烈的非线性等优异性能,在科学研究和实际应用中成为当前介电材料领域研究的热点。本文综述了迄今为止介电常数最高的CCTO钙钛矿体系介电陶瓷材料的相关进展,介绍了几种制... CaCu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷材料以其高介电常数、高热稳定性和强烈的非线性等优异性能,在科学研究和实际应用中成为当前介电材料领域研究的热点。本文综述了迄今为止介电常数最高的CCTO钙钛矿体系介电陶瓷材料的相关进展,介绍了几种制备方法,评述了CCTO高介电陶瓷的掺杂改性和复合的研究现状,并对其发展趋势作了展望。 展开更多
关键词 ccto 制备工艺 掺杂 复合
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双马来酰亚胺树脂基高介电材料的制备及性能研究 被引量:5
17
作者 张璇 何少波 +1 位作者 王金合 王敏 《中国胶粘剂》 CAS 2008年第1期27-30,共4页
采用原位聚合法将石墨和CaCu3Ti4O12(CCTO)与双马来酰亚胺树脂(BMI)、二烯丙基双酚A(BA)复合制备石墨/BMI/BA和CCTO/BA/BMI高介电复合材料。研究了石墨和CCTO含量对复合材料的介电性能的影响,结果表明,石墨含量的增加提高了材料的介电... 采用原位聚合法将石墨和CaCu3Ti4O12(CCTO)与双马来酰亚胺树脂(BMI)、二烯丙基双酚A(BA)复合制备石墨/BMI/BA和CCTO/BA/BMI高介电复合材料。研究了石墨和CCTO含量对复合材料的介电性能的影响,结果表明,石墨含量的增加提高了材料的介电常数和介电损耗,在石墨含量约为11.975%时出现渗流效应,介电损耗增长较大,但最大值仍小于1。CCTO含量的增加也提高了材料的介电常数和介电损耗,材料的介电常数最大时为纯BMI/BA树脂的19倍;而介电损耗较小,最大值小于0.08。 展开更多
关键词 双马来酰亚胺 介电常数 石墨 ccto 介电损耗
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非化学计量比巨介电CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷研究 被引量:2
18
作者 梁桃华 胡永达 +3 位作者 杨邦朝 杨仕清 马嵩 赖玲庆 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期211-213,217,共4页
采用固相反应法制备了不同化学计量比的CaCu3Ti4O12(简称CCTO)陶瓷。当Ca、Cu、Ti的原子摩尔比为1.08∶3.00∶4.44时,获得了相对介电常数在1kHz下高达4×105(1kHz)的巨介电CCTO陶瓷,其介电常数比标准化学计量比CCTO陶瓷高约一个数... 采用固相反应法制备了不同化学计量比的CaCu3Ti4O12(简称CCTO)陶瓷。当Ca、Cu、Ti的原子摩尔比为1.08∶3.00∶4.44时,获得了相对介电常数在1kHz下高达4×105(1kHz)的巨介电CCTO陶瓷,其介电常数比标准化学计量比CCTO陶瓷高约一个数量级。结合XRD、SEM、EDX等分析表征结果,对巨介电常数的物理机理进行了探讨。 展开更多
关键词 ccto 非化学计量比 巨介电常数 机理
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PLD方法制备CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜结构研究 被引量:1
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作者 接文静 朱俊 +4 位作者 魏贤华 张鹰 罗文博 艾万勇 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期345-347,共3页
采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CC-TO)薄膜。在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现(400)取向... 采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CC-TO)薄膜。在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现(400)取向生长,740℃薄膜可以实现cubic-on-cubic的方式外延生长。原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析分别显示CCTO薄膜的表面平整,界面清晰。后位的反射高能电子衍射(RHEED)观察到CCTO薄膜的电子衍射图谱,为点状。在MgO基片上,由于薄膜与基片较大的晶格失配,通过生长具有(100)和(110)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层,诱导后续生长的CCTO薄膜随着温度的提高,由(220)取向生长转变成(220),(400)取向生长。 展开更多
关键词 ccto薄膜 PLD 取向生长 RHEED
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固相法制备CaCu_3Ti_4O_(12)及其结构与介电性能的研究 被引量:2
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作者 李含 刘璐 +1 位作者 张强 孙晓冰 《吉林化工学院学报》 CAS 2016年第11期104-107,共4页
通过固相反应合成了ABO_3型钙钛矿结构CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)巨介电常数陶瓷材料.采用X射线衍射、扫描电镜和Agilent4294A精密阻抗分析仪对不同烧结温度下样品进行了物相、显微结构及其介电-频率特性的测试分析.结果表明:在温度高于95... 通过固相反应合成了ABO_3型钙钛矿结构CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)巨介电常数陶瓷材料.采用X射线衍射、扫描电镜和Agilent4294A精密阻抗分析仪对不同烧结温度下样品进行了物相、显微结构及其介电-频率特性的测试分析.结果表明:在温度高于950℃时,反应充分,可完全生成CCTO,1 120℃烧结温度保温6 h的CCTO介电陶瓷,致密性好、晶粒大小均匀、结晶良好,具有优良的综合介电性能. 展开更多
关键词 ccto 固相法 介电性能
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