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背照式CMOS图像传感器像素结构影响分析
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作者 王玮 《传感器技术与应用》 2024年第3期471-479,共9页
本文使用Ansys Lumerical FDTD软件建立了BSI-CIS工艺的仿真模型,利用该模型基于55 nm BSI-CIS工艺,针对2 um和2.79 um尺寸的像素单元,对850 nm、940 nm波段不同CDTI图形结构的量子效率值进行仿真,从而获得各自近红外吸收最高的CDTI图... 本文使用Ansys Lumerical FDTD软件建立了BSI-CIS工艺的仿真模型,利用该模型基于55 nm BSI-CIS工艺,针对2 um和2.79 um尺寸的像素单元,对850 nm、940 nm波段不同CDTI图形结构的量子效率值进行仿真,从而获得各自近红外吸收最高的CDTI图形结构,该结构可在850 nm波长获得45%以上的量子效率。 展开更多
关键词 BSI-CIS工艺 仿真 cdti图形结构 量子效率
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