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背照式CMOS图像传感器像素结构影响分析
1
作者
王玮
《传感器技术与应用》
2024年第3期471-479,共9页
本文使用Ansys Lumerical FDTD软件建立了BSI-CIS工艺的仿真模型,利用该模型基于55 nm BSI-CIS工艺,针对2 um和2.79 um尺寸的像素单元,对850 nm、940 nm波段不同CDTI图形结构的量子效率值进行仿真,从而获得各自近红外吸收最高的CDTI图...
本文使用Ansys Lumerical FDTD软件建立了BSI-CIS工艺的仿真模型,利用该模型基于55 nm BSI-CIS工艺,针对2 um和2.79 um尺寸的像素单元,对850 nm、940 nm波段不同CDTI图形结构的量子效率值进行仿真,从而获得各自近红外吸收最高的CDTI图形结构,该结构可在850 nm波长获得45%以上的量子效率。
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关键词
BSI-CIS工艺
仿真
cdti图形结构
量子效率
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职称材料
题名
背照式CMOS图像传感器像素结构影响分析
1
作者
王玮
机构
上海集成电路研发中心有限公司
出处
《传感器技术与应用》
2024年第3期471-479,共9页
文摘
本文使用Ansys Lumerical FDTD软件建立了BSI-CIS工艺的仿真模型,利用该模型基于55 nm BSI-CIS工艺,针对2 um和2.79 um尺寸的像素单元,对850 nm、940 nm波段不同CDTI图形结构的量子效率值进行仿真,从而获得各自近红外吸收最高的CDTI图形结构,该结构可在850 nm波长获得45%以上的量子效率。
关键词
BSI-CIS工艺
仿真
cdti图形结构
量子效率
分类号
TP3 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
背照式CMOS图像传感器像素结构影响分析
王玮
《传感器技术与应用》
2024
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