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PMMA人工晶状体表面的CF4/O2等离子体修饰
被引量:
3
1
作者
张丽华
吴迪
+3 位作者
陈亚芍
李雪娇
赵宝明
黄长征
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期1854-1858,共5页
为了改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)人工晶状体的生物相容性和透光性,采用CF4/O2等离子体技术修饰其表面.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、静态接触角(CA)测定、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见近红外光谱(UV-Vis...
为了改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)人工晶状体的生物相容性和透光性,采用CF4/O2等离子体技术修饰其表面.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、静态接触角(CA)测定、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见近红外光谱(UV-Vis)等方法进行表征,结果表明,经CF4/O2等离子体处理后,PMMA表面的含氟和含氧基团增加,其表面的亲水性增强,生物相容性改善,紫外光的隔离效率增大.因此,通过CF4/O2等离子体修饰能够有效地改善PMMA人工晶状体的性质.
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关键词
PMMA人工晶状体
cf4/o2
等离子体处理
生物相容性
透光性
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职称材料
CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
被引量:
4
2
作者
魏育才
《集成电路应用》
2019年第7期40-43,共4页
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜...
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。
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关键词
cf
4
和
o
2等离子刻蚀
ICP刻蚀
氮化硅刻蚀
掩膜退缩
PA工艺
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职称材料
SU-8光刻胶去胶工艺研究
被引量:
4
3
作者
张笛
王英
+2 位作者
瞿敏妮
孔路瑶
程秀兰
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第6期910-913,共4页
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基...
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基于O2/CF4等离子刻蚀配合湿法刻蚀的去除方法,实现了SU-8光刻胶在硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属等材料上的有效去除。
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关键词
SU-8光刻胶
o
2/
cf
4
等离子刻蚀
去胶
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职称材料
题名
PMMA人工晶状体表面的CF4/O2等离子体修饰
被引量:
3
1
作者
张丽华
吴迪
陈亚芍
李雪娇
赵宝明
黄长征
机构
应用表面与胶体化学教育部重点实验室
爱邦眼科器械有限责任公司
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期1854-1858,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:10675078)资助
文摘
为了改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)人工晶状体的生物相容性和透光性,采用CF4/O2等离子体技术修饰其表面.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、静态接触角(CA)测定、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见近红外光谱(UV-Vis)等方法进行表征,结果表明,经CF4/O2等离子体处理后,PMMA表面的含氟和含氧基团增加,其表面的亲水性增强,生物相容性改善,紫外光的隔离效率增大.因此,通过CF4/O2等离子体修饰能够有效地改善PMMA人工晶状体的性质.
关键词
PMMA人工晶状体
cf4/o2
等离子体处理
生物相容性
透光性
Keywords
PMMA I
o
L
cf4/o2
Plasma treatment
Bi
o
c
o
mpatibility
Transmittance
分类号
O647.11 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
被引量:
4
2
作者
魏育才
机构
福建省福联集成电路有限公司
出处
《集成电路应用》
2019年第7期40-43,共4页
基金
福建省科技型企业技术创新课题项目
文摘
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。
关键词
cf
4
和
o
2等离子刻蚀
ICP刻蚀
氮化硅刻蚀
掩膜退缩
PA工艺
Keywords
cf
4
and
o
2 plasma etching
ICP etching
Si3N
4
etching
mask retracti
o
n
PA pr
o
cess
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
SU-8光刻胶去胶工艺研究
被引量:
4
3
作者
张笛
王英
瞿敏妮
孔路瑶
程秀兰
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2020年第6期910-913,共4页
基金
科技部重点专项(2016YFB0200205)。
文摘
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基于O2/CF4等离子刻蚀配合湿法刻蚀的去除方法,实现了SU-8光刻胶在硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属等材料上的有效去除。
关键词
SU-8光刻胶
o
2/
cf
4
等离子刻蚀
去胶
Keywords
SU-8 ph
o
t
o
resist
o
2/
cf
4
plasma etching
stripping
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PMMA人工晶状体表面的CF4/O2等离子体修饰
张丽华
吴迪
陈亚芍
李雪娇
赵宝明
黄长征
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
下载PDF
职称材料
2
CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究
魏育才
《集成电路应用》
2019
4
下载PDF
职称材料
3
SU-8光刻胶去胶工艺研究
张笛
王英
瞿敏妮
孔路瑶
程秀兰
《微电子学》
CAS
北大核心
2020
4
下载PDF
职称材料
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