CF-(4)气氛中生长KMgF-(3)晶体的研究

为了获得高质量的 KMgF_3晶体,采用提拉法,在 CF_4气氛中进行了晶体生长。对生长过程中的挥发物和结晶余料进行了物相分析,并测试了晶体红外透射光谱。由测试结果可知,晶体生长过程中的主要挥发物为 KF,析晶率较大时的结晶余料中出现 MgF_2相,红外光谱中未出现 OH^-的吸收,但 COH 的吸收比较明显。结果表明,CF_4气氛有利于KMgF_3晶体生长过程中 H_2O 等氧源的消除,生长过程中有效地抑制 KF 的挥发并适当地补充 KF,是 KMgF_3晶体生长中不可忽略的问题。