5-氨基水杨酸锌水分测定方法的改进

以CH3OH-NH3溶液为溶剂,用费休氏法对5-氨基水杨酸锌的水分进行测定.方法快速,结果准确,优于常规费休氏法.为类似有机金属药物中水分的测定提供了新的方法.

5-硝基水杨酸锌水分测定方法

以CH3OH-NH3溶液为溶剂,用费休氏法测定5硝基水杨酸锌中的水分。方法快速,结果准确,对类似有机金属药物中水分的测定有所借鉴。

卡尔费休滴定法测定有机锌盐类药物中的水分

以CH3OH-NH3溶液为溶剂,用卡尔-费休滴定法测定有机锌盐类药物中的水分,方法快速,结果准确,对类似有机金属药物和精细石油化工产品中水分的测定有所借鉴。

无水化学沉积法制备Sb_2S_3薄膜

采用无水化学沉积(NCBD)法在玻璃基片上制备了Sb2S3薄膜.先用无水乙醇将4.0 mL浓度为0.1 mol/L的SbCl3乙醇溶液稀释至39.6 mL,再加入0.4 mL浓度为0.5 mol/L的CH3CSNH2乙醇溶液,搅拌均匀后垂直放入玻璃基片,在15～18 ℃温度下沉积72 h后,进行退火处理.利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜在退火前后的结构特性进行了研究,利用光学测试计算了薄膜的光学带隙.结果表明,高温退火使薄膜由退火前的非晶态转变为多晶的Sb2S3结构(正交晶系),薄膜的直接光学带隙从1.86 eV降低为1.75 eV.

磺胺嘧啶锌水分测定方法的改进

以 CH3OH- NH3溶液为溶剂 ,用费休氏法对磺胺嘧啶锌的水分进行测定。方法快速 ,结果准确 ,优于常规费休氏法。为类似有机金属药物中水分的测定提供了新的方法。

面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究

针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6%)∶H_2O_2(30%)∶CH_3COOH(99.8%)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响。混合溶液放置时间在48 h内,GeSi层的腐蚀速率会随着溶液的放置时间的增加而变大,48 h后腐蚀速率趋于稳定。另外,在厚度相同的情况下,Ge Si层的腐蚀速率会随着Ge含量的增加而变大。本文实现了腐蚀纳米尺度GeSi的同时没有对Si造成损伤,对于厚度为31.3 nm的GeSi层,腐蚀的深宽比达到了17∶1,而且没有出现倒塌现象。该湿法腐蚀工艺对于5 nm及以下技术代堆叠纳米线制造、SON结构、新型MEMS和传感器件制造等具有一定的借鉴和指导意义。

苄基胩简便制法

苄基卤、银盐（AgClO4，AgBF4，AgOf）与三甲基氰基硅烷在CH2Cl2中室温反应1h后用NaHCO3水溶液水解得苄基胩，8例收率40％～99％。