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气相中BrO-与CH3Cl反应机理的理论研究
1
作者 耿志远 王秀红 +3 位作者 王永成 周婧 吴建花 刘宏强 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第2期69-73,共5页
采用二阶微扰(MP2)计算方法,在aug-cc-pVDZ基组下对反应中各驻点进行了全几何结构参数优化,并在相同基组下进一步用CCSD(T)方法进行了单点能计算.结果表明,BrO-与CH3Cl的反应先通过一个传统的SN2反应,生成富能中间体IM2(BrOCH3…Cl),接... 采用二阶微扰(MP2)计算方法,在aug-cc-pVDZ基组下对反应中各驻点进行了全几何结构参数优化,并在相同基组下进一步用CCSD(T)方法进行了单点能计算.结果表明,BrO-与CH3Cl的反应先通过一个传统的SN2反应,生成富能中间体IM2(BrOCH3…Cl),接着中间体IM2解离为SN2机理的产物P1(BrOCH3+Cl);而且还能继续发生氧、碳间的消除反应和氧上的取代反应,前者生成P2(CH2O+Br-+HCl),后者生成P3(CH3OCl+Br-).其中,传统的SN2为主反应通道,SN2诱导消除反应和取代反应为竞争的次反应通道,计算结果与实验相吻合. 展开更多
关键词 BrO- ch3cl 反应机理 过渡态
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对直接法合成甲基氯硅烷生产工艺复杂性的认识与建议 被引量:12
2
作者 傅积赉 《有机硅材料》 CAS 2004年第1期1-4,共4页
介绍了甲基氯硅烷在中国的生产和需求情况、中国甲基氯硅烷的生产技术水平与国外的差距 ;指出应重视直接法合成甲基硅烷工艺的复杂性 ,如流化床的结构、催化剂的协同作用以及原料硅中的杂质对合成工艺的影响等 ,以及解决这些关键问题对... 介绍了甲基氯硅烷在中国的生产和需求情况、中国甲基氯硅烷的生产技术水平与国外的差距 ;指出应重视直接法合成甲基硅烷工艺的复杂性 ,如流化床的结构、催化剂的协同作用以及原料硅中的杂质对合成工艺的影响等 ,以及解决这些关键问题对中国有机硅工业的迫切性 ;最后建议要重视合成工艺的基础性研究以提高二甲基二氯硅烷的选择性 ,重视高沸物的综合利用以降低生产成本。 展开更多
关键词 有机硅 甲基氯硅烷 二甲基二氯硅烷 流化床 高沸物 直接法 氯甲烷 ch3cl
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外电场下一氯代甲烷的激发与光谱性质
3
作者 吴位巍 岳莉 +1 位作者 梁冬梅 徐梅 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2012年第3期168-172,共5页
采用密度泛函B3LYP方法在6-31G(d)基组水平上,优化不同外电场下CH3Cl分子的基态稳定构型、电偶极矩和分子的总能量,并分析CH3Cl分子从HOMO-2到LUMO+2轨道的能量变化,利用杂化CIS-DFT方法在同样的基组下计算外电场下CH3Cl分子的前9个激... 采用密度泛函B3LYP方法在6-31G(d)基组水平上,优化不同外电场下CH3Cl分子的基态稳定构型、电偶极矩和分子的总能量,并分析CH3Cl分子从HOMO-2到LUMO+2轨道的能量变化,利用杂化CIS-DFT方法在同样的基组下计算外电场下CH3Cl分子的前9个激发态的激发能、波长和振子强度.结果表明,在没有外电场的条件下,CH3Cl分子从基态跃迁到前9个激发态的激发能是不断增大的,在有外电场的作用下,总能量随外电场的增加呈没有规律的变化,偶极矩随外电场的增加先减小后增大,其前线轨道的能量随外电场的增加变化不明显.另外,外电场对CH3Cl分子的激发波长也产生一定影响. 展开更多
关键词 ch3cl 激发态 外电场 激发能
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密度泛函理论研究CH_3Cl与Cl^(4/)的亲核取代反应
4
作者 段春生 王犇 +1 位作者 孟韵 刘会峦 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2004年第2期111-115,共5页
用DFT理论的B3LYP/6 31 1 + +G 水平上对反应Cl- +CH3Cl→ClCH3+Cl-的电子转移的振动光谱进行研究。此反应包括旧键断裂 ,新键生成以及分子间的电子转移。分析了反应物 ,前驱配合物 ,过渡态 ,后继配合物和产物的振动频率及振动模式。... 用DFT理论的B3LYP/6 31 1 + +G 水平上对反应Cl- +CH3Cl→ClCH3+Cl-的电子转移的振动光谱进行研究。此反应包括旧键断裂 ,新键生成以及分子间的电子转移。分析了反应物 ,前驱配合物 ,过渡态 ,后继配合物和产物的振动频率及振动模式。它们之间的关系和变化验证了键的断裂。 展开更多
关键词 密度泛函理论 ch3cl CI^- 亲核取代反应 电子转移反应 反应物 振动模式
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CH_3Cl分子间相互作用的理论研究
5
作者 胡宗超 刘红 王一波 《贵州大学学报(自然科学版)》 2005年第3期255-259,共5页
在MP2/6-311++G(3d,3p)电子相关校正水平上,对CH3C l二聚体可能存在的几何构型进行全自由度能量梯度优化,发现有三种势能面上极小点的构型。进一步在高级电子相关校正的MP4SDTQ、CCSD(T)/6-311++G(3df,3pd)方法水平上,对其中具有平面环... 在MP2/6-311++G(3d,3p)电子相关校正水平上,对CH3C l二聚体可能存在的几何构型进行全自由度能量梯度优化,发现有三种势能面上极小点的构型。进一步在高级电子相关校正的MP4SDTQ、CCSD(T)/6-311++G(3df,3pd)方法水平上,对其中具有平面环状C2h对称性的总能量最小的构型进行精确计算,得到CH3C l二聚体的结合能为-8.764KJ/mol。能量分解表明在分子间相互作用中色散与静电相互作用相近,色散与静电作用能分别占总吸引能的41.8%和38.1%。分析了二聚体的谐振频率,并进行了频率归属。 展开更多
关键词 ch3cl 二聚体 结合能 SAPT 能量分解
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橄榄废弃物低温热解过程中氯的析出规律 被引量:3
6
作者 谢敏 程健 +2 位作者 陈刚 张蕾 任霄汉 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期3693-3700,共8页
生物质直燃是生物质能利用的主要方式,而含氯化合物的释放则影响了生物质锅炉的结渣与腐蚀。低温热解作为一种有效的预处理手段可以解决由氯化物导致的锅炉结渣、腐蚀问题。利用水平管式炉试验系统,测量了不同热解温度下橄榄废弃物HCl、... 生物质直燃是生物质能利用的主要方式,而含氯化合物的释放则影响了生物质锅炉的结渣与腐蚀。低温热解作为一种有效的预处理手段可以解决由氯化物导致的锅炉结渣、腐蚀问题。利用水平管式炉试验系统,测量了不同热解温度下橄榄废弃物HCl、CH_3Cl等含氯物质的释放情况,分析了不同热解温度下上述污染物的释放规律。通过分析发现:HCl和CH_3Cl是生物质热解过程中氯的主要析出产物,热解温度的升高有助于氯等元素分别向HCl和CH_3Cl的转化,低温热解条件下氯的释放主要以CH_3Cl为主,随着温度的升高,二者的差距逐渐减小,当温度达到400℃时,HCl取代CH_3Cl成为生物质热解过程中主要的含氯气态产物。 展开更多
关键词 生物质 生物燃料 低温热解 氯释放 HCL ch3cl
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氯仿作为抑制剂对沉积物-水系统中氮转化的影响 被引量:2
7
作者 卢少勇 金相灿 +1 位作者 郭建宁 盛利 《生态环境》 CSCD 北大核心 2006年第6期1133-1137,共5页
氯仿是土壤的营养物释放实验中常用的微生物活性抑制剂。文章探讨了在滇池沉积物-自配水系统中投加氯仿后系统中上覆水的氮质量浓度变化(上覆水初始质量浓度:总氮15.0mg·L-1,氨氮7.5mg·L-1,硝氮7.5mg·L-1)以及沉积物中... 氯仿是土壤的营养物释放实验中常用的微生物活性抑制剂。文章探讨了在滇池沉积物-自配水系统中投加氯仿后系统中上覆水的氮质量浓度变化(上覆水初始质量浓度:总氮15.0mg·L-1,氨氮7.5mg·L-1,硝氮7.5mg·L-1)以及沉积物中的硝化和反硝化活性的变化。结果表明,实验过程中上覆水的总氮、氨氮和有机氮的质量浓度升高,硝氮的质量浓度降低,加氯仿组和未加氯仿组的总氮分别升高35.9%和46.9%。这是因为实验过程中硝化速率降低而反硝化速率升高导致的。加抑制剂组的上覆水中的总氮和氨氮质量浓度总体上高,硝氮和有机氮总体上低,说明氯仿对硝化反应的抑制作用持续到第816h,在最初和后期抑制作用更显著。加氯仿组的pH值明显高于未加氯仿组,DO质量浓度稍高于未加氯仿组。实验结束后,加氯仿组的沉积物的硝化速率和反硝化速率略低于未加氯仿组的。氯仿在沉积物-水系统中起到一定的抑制作用,使沉积物的硝化速率和反硝化速率均降低,但是硝化反硝化活性并未彻底地被抑制;而且抑制具有一定的时效性。 展开更多
关键词 沉积物 上覆水 氯仿 硝化 反硝化
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二乙二醇甲乙醚的合成及其合成条件优化 被引量:2
8
作者 杨春生 蔡照胜 +1 位作者 许琦 严金龙 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期287-289,共3页
以二乙二醇单乙醚(DEGME)和氯甲烷为基本原料,氢氧化钠为催化剂、苯为带水剂,通过Williamson反应合成了二乙二醇甲乙醇(DEGMEE);用正效实验法对DEGMEE的合成条件进行了优化,气相色谱法分析了产品中DEGMEE的含量、FT IR和1H NMR法表征了... 以二乙二醇单乙醚(DEGME)和氯甲烷为基本原料,氢氧化钠为催化剂、苯为带水剂,通过Williamson反应合成了二乙二醇甲乙醇(DEGMEE);用正效实验法对DEGMEE的合成条件进行了优化,气相色谱法分析了产品中DEGMEE的含量、FT IR和1H NMR法表征了产物结构。实验结果表明适宜的反应条件为:反应温度为60.0°C、醚化时间为4.0 h、n(CHCl)/n(DEGME)=1.15、n(NaOH)∶(DEGME)=1.30;在此条件下二乙二醇甲乙醚的收率可达93%以上。 展开更多
关键词 二乙二醇单乙醚 氯甲烷 Williamson反应 二乙二醇甲乙醚 条件优化
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理论研究CH_3Cl分子结构及谱学性质
9
作者 姜昆 田执柱 +1 位作者 陈广慧 任雪峰 《牡丹江师范学院学报(自然科学版)》 2005年第4期20-21,共2页
采用Gausaian 98程序包,应用从头计算法中的Hartree-Fock方法,对CH,Cl分子精确计算其几何构型、振动频率(Frequency)、红外吸强度和偶极矩,并与实验值作了比较,结果十分接近。
关键词 HF ch3cl 结构 谱学 分子结构 谱学性质 理论研究 GAUSSIAN 从头计算法 几何构型
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三桥连双铁(III)配合物[Fe_2(IDB)_2(O)(CH_3CO_2)_2]Cl_2·CH_3OH的晶体结构及其傅立叶变换拉曼光谱(英文) 被引量:1
10
作者 叶勇 廖展如 +2 位作者 向道凤 胡继明 曾云鹗 《光散射学报》 2001年第3期179-182,共4页
合成了一种新的三桥连双铁 (III)配合物 [Fe2 (IDB) 2 (O) (CH3CO2 ) 2 ]Cl2 ·CH3OH ,IDB为N ,N’ -di(2’ -benzimidazolylmethyl)imine,利用单晶X射线衍射及其它谱学方法对所合成配合物进行了表征。每个双核单元的两个铁原子均... 合成了一种新的三桥连双铁 (III)配合物 [Fe2 (IDB) 2 (O) (CH3CO2 ) 2 ]Cl2 ·CH3OH ,IDB为N ,N’ -di(2’ -benzimidazolylmethyl)imine,利用单晶X射线衍射及其它谱学方法对所合成配合物进行了表征。每个双核单元的两个铁原子均通过一个氧原子和两个醋酸根连接 ,每个铁原子同时还与位于桥氧原子对位的三齿配体IDB重脂肪链上氮原子相结合 ,每个铁 (III)中心为一变形八面体结构。 展开更多
关键词 [Fe2(IDB)2(O)(CH3CO2)2]Cl2·CH3OH 三桥连双铁(Ⅲ)配合物 晶体结构 傅立叶变换拉曼光谱
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Si(CH_3)_3Cl分子电离电势和化学键能的测定
11
作者 陈文武 盛六四 +3 位作者 丁传凡 齐飞 张允武 孔繁敖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第6期560-563,共4页
The photoionization spectroscopy of Si(CH3)3Cl in the range of 50 -130 nm wasstudied with synchrotron radiation source. The adiabatic ionization potentials of moleculeSi(CH3)3Cl and radical Si(CH3)3 are 10.06 ±0.... The photoionization spectroscopy of Si(CH3)3Cl in the range of 50 -130 nm wasstudied with synchrotron radiation source. The adiabatic ionization potentials of moleculeSi(CH3)3Cl and radical Si(CH3)3 are 10.06 ±0.02 eV and 7.00±0.03 eV respectively. Inaddition, the appearance potentials of Si(CH3)2Cl+, Si(CH3)3+, SiCl+ and SiCH3+ weredetermined:AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eVAP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eVFrom these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eVD(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eVD(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eVD(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0. 展开更多
关键词 Si(CH3)3Cl 同步辐射 电离电势 化学键 键能
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2-脱氧-D-葡萄糖的合成研究
12
作者 孙昊 刘鹏 袁文蛟 《化学试剂》 CAS 北大核心 2019年第1期99-101,共3页
标题化合物具有多种生物活性,被广泛地应用在药品和食品领域。在研究活化二甲基亚砜(DMSO)时,偶然发现在碘化钾(KI)存在下氯甲基甲硫醚(CH3SCH2Cl)具有温和的路易斯酸性。因此,利用KI/CH3SCH2Cl体系,以3,4,6-O-三乙酰基-D-葡萄糖糖烯为... 标题化合物具有多种生物活性,被广泛地应用在药品和食品领域。在研究活化二甲基亚砜(DMSO)时,偶然发现在碘化钾(KI)存在下氯甲基甲硫醚(CH3SCH2Cl)具有温和的路易斯酸性。因此,利用KI/CH3SCH2Cl体系,以3,4,6-O-三乙酰基-D-葡萄糖糖烯为起始原料,经催化水合和脱保护两步反应,便可高效制得标题化合物(异构体比例为1∶2),总收率77. 6%。该方法反应条件温和、反应收率较高,具有良好的工业应用前景。 展开更多
关键词 2-脱氧-D-葡萄糖 CH3SCH2Cl 水合反应 葡萄糖糖稀
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保定市北方特种气体有限公司4.5N高纯乙硼烷全杂质分析方法研发成功
13
《低温与特气》 CAS 2010年第6期46-46,共1页
2010年9月,保定市北方特种气体有限公司经过一年的实验,成功研发高纯乙硼烷中的O2,N2,CH4,C2H6,CO,CO2,CH3Cl的分析方法,
关键词 特种气体 乙硼烷 保定市 杂质分析 研发 高纯 北方 ch3cl
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图族Q(S_3,C_s,C_l,C_h)的σ-指标序列
14
作者 任胜章 《天水师范学院学报》 2008年第2期23-24,共2页
在本文中,通过对图族Q(S3,Cs,Cl,Ch)的σ-指标的研究,刻画出了图族Q(S3,Cs,Cl,Ch)的-σ指标的最大值序列、最小值序列、最大值及最小值。
关键词 图族Q(S3 Cs Cl Ch) σ-指标 独立集
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高比表面积Cr_2O_3的制备和气相氟化HCFC-133a合成HFC-134a的性能研究 被引量:1
15
作者 于洪波 谢遵运 +1 位作者 王月娟 罗孟飞 《有机氟工业》 CAS 2012年第2期18-22,共5页
采用改进溶胶凝胶法合成了高比表面积的Cr2O3催化剂,通过优化实验条件发现,当碳化温度为500℃时,蔗糖与铬摩尔比为2∶1,除碳温度为400℃时,制得的Cr2O3比表面积最大(61 m2.g-1)。合成的高比表面积Cr2O3催化剂气相氟化CF3CH2Cl合成CF3CH2... 采用改进溶胶凝胶法合成了高比表面积的Cr2O3催化剂,通过优化实验条件发现,当碳化温度为500℃时,蔗糖与铬摩尔比为2∶1,除碳温度为400℃时,制得的Cr2O3比表面积最大(61 m2.g-1)。合成的高比表面积Cr2O3催化剂气相氟化CF3CH2Cl合成CF3CH2F的催化活性明显高于直接制备的低比表面积Cr2O3催化剂,这归因于高比表面积Cr2O3催化剂具有更多路易斯酸性位。 展开更多
关键词 高比表面积 CR2O3 改进溶胶凝胶法 碳化温度 CF3CH2Cl
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鼓形有机锡氧杂环羧酸簇合物[PhCH_2Sn(O)(O_2CC_4H_3S)]_6·2CH_2Cl_2 和 [PhCH_2Sn(O)(O_2CC_3H_2NO)]_6·2CH_2Cl_2的合成和晶体结构 被引量:17
16
作者 尹汉东 王传华 +1 位作者 马春林 房海霞 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期958-963,共6页
利用三苄基氧化锡与 2 -噻吩甲酸和 2 -唑甲酸反应 ,合成了六聚体苄基锡氧 2 -噻吩甲酸酯 (1 )和六聚体苄基锡氧 2 -唑甲酸酯 (2 )鼓形簇合物 .通过元素分析、红外光谱和 X射线单晶衍射对其结构进行了表征 .测试结果表明 :化合物 1... 利用三苄基氧化锡与 2 -噻吩甲酸和 2 -唑甲酸反应 ,合成了六聚体苄基锡氧 2 -噻吩甲酸酯 (1 )和六聚体苄基锡氧 2 -唑甲酸酯 (2 )鼓形簇合物 .通过元素分析、红外光谱和 X射线单晶衍射对其结构进行了表征 .测试结果表明 :化合物 1属三斜晶系 ,空间群 P1 ,a=1 . 2 76 0 (3) nm,b=1 .30 5 6 (3) nm,c=1 .334 3(3) nm,α=1 0 5 .6 5 (3)°,β=96 .2 7(3)°,γ=97.2 0 (3)°,Z=1 ,V=2 .0 997(7) nm3 ,Dc=1 .80 9g/ cm3 ,μ=2 .0 97mm- 1 ,F(0 0 0 ) =1 1 1 6 ,R=0 .0 6 5 1 ,w R=0 .1 2 92 .化合物 2属三斜晶系 ,空间群 P1 ,a=1 .2 2 4 0 (4 ) nm,b=1 .36 73(4 ) nm,c=1 .374 4(4 ) nm,α=1 0 7.76 0 (4 )°,β=98.0 6 9(5 )°,γ=91 .4 80(5 )°,Z=2 ,V=2 .1 6 31 (1 2 ) nm3 ,Dc=3.373g/ cm3 ,μ=3.799mm- 1 ,F (0 0 0 ) =2 1 36 ,R=0 .0 382 ,w R=0 .0 79.它们均为鼓形簇状结构 ,锡原子呈畸变的八面体构型 .化合物 1通过分子间 S… S近距离作用 ,形成一维链状结构 . 展开更多
关键词 鼓形有机锡氧杂环羧酸簇合物 [PhCH2Sn(O)(O2CC4H3S)]6·2CH2C12 [PhCH2Sn(O)(O2CC3H2N0)]6·2CH2Cl2 合成 晶体结构 2-噻吩甲酸 2-噁唑甲酸 三苄基氧化锡
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Si(CH_3)_(3)Cl对NaY沸石改性的研究
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作者 肖淑勇 邵建国 孟中岳 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1989年第4期378-382,共5页
用Si(CH_3)_3C1处理Y型沸石时,选择合宜的处理条件可获得高结晶度的产物。XRD,IR,比表面和孔径分布测定表明:用Si(CH_3)_3C1处理沸石,脱铝和硅烷化作用同时发生,导致沸石比表面和孔径改变,催化反应性能提高。
关键词 沸石 改性 Si(CH3)3CL
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CH3NH3PbI2Br光吸收层薄膜的制备
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作者 李春静 杨瑞霞 +3 位作者 马浩 金慧娇 石晓东 马文静 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期155-159,共5页
采用一步法在大气环境下制备连续的CH_3NH_3PbI_2Br钙钛矿薄膜。通过在标准前驱液[甲基溴化铵(CH3NH3Br)、碘化铅(PbI2)的二甲基甲酰胺(DMF)溶液]中添加甲基氯化铵(CH3NH3Cl)制备出了连续覆盖率高的CH_3NH_3PbI_2Br钙钛矿薄膜,并探究了... 采用一步法在大气环境下制备连续的CH_3NH_3PbI_2Br钙钛矿薄膜。通过在标准前驱液[甲基溴化铵(CH3NH3Br)、碘化铅(PbI2)的二甲基甲酰胺(DMF)溶液]中添加甲基氯化铵(CH3NH3Cl)制备出了连续覆盖率高的CH_3NH_3PbI_2Br钙钛矿薄膜,并探究了退火温度对薄膜晶化过程、微结构及光吸收特性的影响。结果表明:CH3NH3Cl的添加大大影响了CH_3NH_3PbI_2Br钙钛矿薄膜的结晶过程,改善了薄膜连续性和光吸收特性。X射线衍射谱图表明,添加剂CH3NH3Cl对形成的钙钛矿薄膜成分没有影响。当退火温度为100℃时,薄膜的生长特性较好,薄膜较为致密连续,光吸收特性最好,且退火温度不影响其禁带宽度的变化,有利于其在晶硅叠层太阳能电池中的应用。 展开更多
关键词 大气 CH3NH3Cl CH3NH3PbI2Br钙钛矿 退火温度 形貌 结晶特性 光吸收特性
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有机-无机CH3NH3PbX3材料的合成及表征
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作者 于嫚 程睿璞 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期153-156,共4页
采用配体辅助再沉淀法来制备钙钛矿材料CH3NH3PbX3(X=Cl、Br、I),通过优化调控添加剂油胺的量,由产率进行比较分析,确定了3种钙钛矿材料的最佳制备条件。对合成的每种钙钛矿材料,利用扫描电子显微镜(SEM)对其进行组织形貌分析。X射线衍... 采用配体辅助再沉淀法来制备钙钛矿材料CH3NH3PbX3(X=Cl、Br、I),通过优化调控添加剂油胺的量,由产率进行比较分析,确定了3种钙钛矿材料的最佳制备条件。对合成的每种钙钛矿材料,利用扫描电子显微镜(SEM)对其进行组织形貌分析。X射线衍射仪(XRD)发现钙钛矿材料在(110)和(220)晶面存在明显的衍射峰。吸收光谱和荧光光谱的表征结果发现随着CH3NH3PbX3中X原子序数的增大,吸收带边红移和荧光发射峰均呈现红移,CH3NH3PbCl3、CH3NH3PbBr3和CH3NH3PbI3特征荧光发射峰分别在446nm、478nm和774nm附近。 展开更多
关键词 钙钛矿材料 合成 CH3NH3PbX3(X=Cl、Br、I) 光谱性能
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刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器的制作与特性 被引量:1
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作者 王健 熊兵 +2 位作者 孙长征 郝智彪 罗毅 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1031-1034,共4页
利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蚀端面。在此基础... 利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蚀端面。在此基础上制作出宽接触的刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器,实现了室温脉冲激射,其阈值电流和微分量子效率与传统的解理端面激光器基本相当。并通过刻蚀端面与解理端面激光器特性的比较(包括电流-电压、电流-输出光功率以及远场特性),分析了刻蚀端面的引入对激光器特性的影响。 展开更多
关键词 激光技术 刻蚀端面激光器 ALGAINAS Cl2/BCl3/CH4 感应耦合等离子体
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