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CH_3OD在Si(111)表面上的TDS研究
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作者 王祝盈 K.D.Brzoska 《湖南大学学报》 EI CAS CSCD 1991年第2期106-111,共6页
本文运用热脱吸附谱方法(TDS)研究了室温下CH_3OD在Si(Ⅲ)表面上的吸附,对所取得的H_2, HD及D_2的热脱吸附谱进行了分析和比较,并计算出它们的脱吸附能和预指数因子.
关键词 ch3od SI 吸附 热脱附 TDS 表面
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