用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料(英文)

现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为能够适应未来技术要求。这些材料的关键之处在于大颗粒尺寸的控制,进行平面化和金属抛光的化学控制以及将控制方法用于旋涂玻璃()材料。

用于先进的双嵌入和栓工艺的低缺陷钨CMP高性价比浆料(英文)

介绍了用于钨双嵌入和钨栓CMP工艺的新型CMP3200TM氧化铝浆料,测试证明,这种浆料在110nm技术节点的钨CMP工艺应用中取得了理想的效果。通过对氧化铝粒子制造工艺的有效控制,获得了可满足110nm技术节点双嵌入和栓层钨CMP工艺要求的低缺陷率,高性价比的氧化铝蛐硝酸铁浆料。从而在价格竞争激烈的半导体制造领域,特别是代工市场引起了业界越来越多的关注。

CMP过滤技术的进展(英文)

叙述了新一代CMP浆料的过滤工艺和方法。低比重和极小平均粒子尺寸的二氧化硅、氧化铝及氧化铈磨料在这些浆料中要求严格地控制在0.5μm,甚至对平均工作粒影响最小的更小粒子(例如0.03～0.2μm)以内。目前CMP浆料大量生产的加工目标将积累的大于0.56及1.01μm的大颗粒减少了90%,在一次通过或现场使要求如此高的隔离过滤。根据浆料的特性能够采用的过滤方法如分级筛选密度、多薄层法、深褶媒质以及薄膜过滤法。CMP浆料过滤器的有效设计必须考虑到浆料磨损类型和成分、基本化学特性、LPCS、平均粒子尺寸分布、固体比重、粘性、磨料沉积速率、所需的粒子滞留、△P、流速稳定性和期望的过滤器寿命。由于磨料中相同的过滤器媒质性能根据浆料中磨料和添加剂的不同可能有很大的差别,新浆料过滤的最佳参数选顶实质上仍然保持了以实验为根据的方法。根据实验室表示特性、现场性能测试和过滤后的使用评价的数据,可以用作过滤最佳参数选定。由这些测试的典型结果现实,更新的氧化铈和氧化铝以及固有的二氧化硅CMP浆料的过滤有利于大颗粒的控制。