直流磁控溅射厚度对Cu(In_x,Ga_(1-x))Se_2背接触Mo薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射工艺,在一定条件下通过控制溅射时间,在钠钙玻璃上制备了不同厚度的用于Cu(Inx,Ga1-x)Se2薄膜太阳电池背接触材料的Mo薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪研究了厚度对溅射时间、薄膜微结构、电学性能及力学性能的交互影响.Mo薄膜的厚度与溅射时间呈线性递增关系;随厚度的增大,Mo薄膜(110)和(211)面峰强均逐渐增大,择优生长从(110)方向逐渐向(211)方向转变,方块电阻值只随(110)方向上的生长而急剧减小直到一特定值约2/,电导率随薄膜的(110)择优取向程度的降低而线性减小直到一特定值约0.96×10-4Ω·cm;Mo薄膜内部是一种多孔的长形簇状颗粒和颗粒间隙交织的结构,并处于拉应力态,其内部应变随薄膜厚度的增大而减小.