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退火处理对磁控溅射制备CIGSe吸收层的影响
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作者 栾和新 庄大明 +1 位作者 张弓 刘江 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期459-466,共8页
在Se气氛中对磁控溅射CIGSe靶材制备的CIGSe薄膜进行退火处理。采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分及电学性能的影响,并制备了CIGSe太阳电池。结果表明,采用磁控溅射CI... 在Se气氛中对磁控溅射CIGSe靶材制备的CIGSe薄膜进行退火处理。采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分及电学性能的影响,并制备了CIGSe太阳电池。结果表明,采用磁控溅射CIGSe靶材+Se气氛中退火处理的方法,可制备得到成分均匀、电学性能优良、单一黄铜矿相的CIGSe薄膜;退火温度和退火时间是影响退火后薄膜质量的主要因素。退火温度低于350℃时,退火效果不明显。退火温度在400℃,退火时间达120min时,薄膜完成再结晶过程,并制得单一黄铜矿相的CIGSe薄膜;退火过程存在Cu-Se二次相的析出和消融,同时具有为薄膜补Se的作用。该文采用该方法制备出的CIGSe太阳电池最高转换效率为5.44%。 展开更多
关键词 太阳电池 退火处理 磁控溅射 cigse
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磁控溅射法制备CIGSe吸收层的工艺与性能研究
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作者 栾和新 庄大明 +1 位作者 张弓 刘江 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期615-620,共6页
采用中频交流磁控溅射方法直接溅射CIGSe靶材,制备得到用于太阳电池吸收层的CIGSe薄膜。采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析主要工艺参数基底温度和溅射气压对薄膜表面形貌、组织结构、成分、电阻率以及载流子浓度的影响... 采用中频交流磁控溅射方法直接溅射CIGSe靶材,制备得到用于太阳电池吸收层的CIGSe薄膜。采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析主要工艺参数基底温度和溅射气压对薄膜表面形貌、组织结构、成分、电阻率以及载流子浓度的影响。结果表明,基底温度在250℃以上时,薄膜的黄铜矿相特征明显;当基底温度在250~300℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度在理想范围之内。提高溅射气压,薄膜的沉积速率降低,当溅射气压达到0.7~0.9Pa时,溅射速率趋于稳定;溅射气压增大,薄膜的结晶性增强,溅射气压达到0.7Pa时,薄膜的XRD特征峰较明显;提高溅射气压,薄膜的电阻率降低,载流子浓度升高,当溅射气压达到0.7Pa时,薄膜电阻率和载流子浓度在理想范围之内。基底温度和溅射气压对薄膜成分无影响,薄膜成分主要由靶材成分决定。 展开更多
关键词 太阳电池 磁控溅射 cigse靶材 铜铟镓硒
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CIGSeS薄膜太阳电池的H2S硫化研究
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作者 王宪 韩安军 +2 位作者 韦小庆 孟凡英 刘正新 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期37-43,共7页
采用H2S硫化的方法制备铜铟镓硒硫(Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,CIGSeS)吸收层,研究硫化温度和时间对CIGSeS吸收层和电池性能的影响。结果表明,550~580℃硫化处理时,电池的开路电压得到有效提升,但硫化温度为600℃时,薄膜表面出现局部开裂现... 采用H2S硫化的方法制备铜铟镓硒硫(Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,CIGSeS)吸收层,研究硫化温度和时间对CIGSeS吸收层和电池性能的影响。结果表明,550~580℃硫化处理时,电池的开路电压得到有效提升,但硫化温度为600℃时,薄膜表面出现局部开裂现象,电池短路电流和效率严重下降。硫化处理可促进铜铟镓硒(Cu(In1-xGax)Se2,CIGSe)吸收层内Ga元素向表面扩散,Ga和S的共同作用可有效提高吸收层表面带隙和太阳电池的开路电压。最终,采用580℃硫化30 min条件下制备的太阳电池开路电压比硫化处理前提高约80 mV,填充因子提高约5%,最高效率为13.69%,有效面积效率为14.62%。而采用580℃硫化10 min后再降温硫化20 min的变温硫化工艺不仅可减少热预算,而且可制备出同580℃恒温硫化30 min时转换效率相当的太阳电池。 展开更多
关键词 cigseS H2S 硫化 薄膜 太阳电池 开路电压
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Simulation of a CIGS Solar Cell with CIGSe2/MoSe2/Mo Rear Contact Using AFORS-HET Digital Simulation Software
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作者 Donafologo Soro Adama Sylla +4 位作者 N’Guessan Armel Ignace Aboudoulaye Toure Amal Bouich Siaka Toure Bernabé Marí 《Modeling and Numerical Simulation of Material Science》 2022年第2期13-23,共11页
In this work, the AFORS-HET digital simulation software was used to calculate the electrical characteristics of the cell/n-ZnO/i-ZnO/n-Zn (O, S)/p-CIGSe<sub>2</sub>/p + -MoSe<sub>2</sub>/Mo/SLG... In this work, the AFORS-HET digital simulation software was used to calculate the electrical characteristics of the cell/n-ZnO/i-ZnO/n-Zn (O, S)/p-CIGSe<sub>2</sub>/p + -MoSe<sub>2</sub>/Mo/SLG. When the thickness of the CIGSe<sub>2</sub> absorber is between 3.5 and 1.5 μm, the efficiency of the cell with an interfacial layer of MoSe<sub>2</sub> remains almost constant, with an efficiency of about 24.6%, higher to that of a conventional cell which is 23.4% for a thickness of 1.5 μm of CIGSe<sub>2</sub>. To achieve the expected results, the MoSe<sub>2</sub> layer must be very thin less than or equal to 30 nm. In addition, a Schottky barrier height greater than 0.45 eV severely affects the fill factor and the open circuit voltage of the solar cell with MoSe<sub>2</sub> interface layer. 展开更多
关键词 CIGS Molybdenum Diselenide (MoSe2) AFORS-HET SIMULATION Efficiency
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Crystallization Modulation and Holistic Passivation Enables Efficient Two‑Terminal Perovskite/CuIn(Ga)Se_(2)Tandem Solar Cells
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作者 Cong Geng Kuanxiang Zhang +7 位作者 Changhua Wang Chung Hsien Wu Jiwen Jiang Fei Long Liyuan Han Qifeng Han Yi‑Bing Cheng Yong Peng 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2025年第1期205-215,共11页
Two-terminal(2-T)perovskite(PVK)/CuIn(Ga)Se_(2)(CIGS)tandem solar cells(TSCs)have been considered as an ideal tandem cell because of their best bandgap matching regarding to Shockley–Queisser(S–Q)limits.However,the ... Two-terminal(2-T)perovskite(PVK)/CuIn(Ga)Se_(2)(CIGS)tandem solar cells(TSCs)have been considered as an ideal tandem cell because of their best bandgap matching regarding to Shockley–Queisser(S–Q)limits.However,the nature of the irregular rough morphology of commercial CIGS prevents people from improving tandem device performances.In this paper,D-homoserine lactone hydrochloride is proven to improve coverage of PVK materials on irregular rough CIGS surfaces and also passivate bulk defects by modulating the growth of PVK crystals.In addition,the minority carriers near the PVK/C60 interface and the incompletely passivated trap states caused interface recombination.A surface reconstruction with 2-thiopheneethylammonium iodide and N,N-dimethylformamide assisted passivates the defect sites located at the surface and grain boundaries.Meanwhile,LiF is used to create this field effect,repelling hole carriers away from the PVK and C60 interface and thus reducing recombination.As a result,a 2-T PVK/CIGS tandem yielded a power conversion efficiency of 24.6%(0.16 cm^(2)),one of the highest results for 2-T PVK/CIGS TSCs to our knowledge.This validation underscores the potential of our methodology in achieving superior performance in PVK/CIGS tandem solar cells. 展开更多
关键词 PVK/CIGS TSCs Irregular rough surfaces Modulating the growth PVK/C60 interface recombination
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纳米颗粒对背面照射半透明超薄Cu(In,Ga)Se_(2)太阳能电池电学性能的影响
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作者 裴寒宁 李航瑜 +1 位作者 许保良 殷官超 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第12期4629-4638,共10页
本文使用太阳能电池电容模拟中器(SCAPS-1D)和COMSOL Multiphysics软件研究了SiO_(2)纳米颗粒对半透明超薄Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGSe)太阳能电池电学性能的影响。结果表明,背面照射时,CIGSe/透明导电氧化物(TCO)背界面附近会产生大量的光... 本文使用太阳能电池电容模拟中器(SCAPS-1D)和COMSOL Multiphysics软件研究了SiO_(2)纳米颗粒对半透明超薄Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGSe)太阳能电池电学性能的影响。结果表明,背面照射时,CIGSe/透明导电氧化物(TCO)背界面附近会产生大量的光生载流子,导致光生电子的背复合对电池性能的影响非常显著。高背复合速率(Sb=1.0×10^(7)cm/s)下,在CIGSe/TCO背界面引入SiO_(2)纳米颗粒对光生载流子浓度降低的影响大于对空间电荷区移动的影响,这导致电池的背复合电流呈下降趋势。然而,此时空穴传输带来的性能改善被高额的背复合电流所掩盖,因此对于背面照射的半透明超薄CIGSe太阳能电池来说,低背复合速率(钝化背界面)能够提高电池性能,这与正面照射时高Sb提升电池性能的结论完全相反。因此,降低背复合对光捕获的消耗来增加短路电流密度是提升电池性能的有效手段。这些发现代表了背面入射机理研究的最新进展,为提高半透明超薄CIGSe太阳能电池的性能提供了新可能。 展开更多
关键词 半透明超薄cigse太阳能电池 SiO_(2)纳米颗粒 背面照射 cigse/TCO背界面复合 仿真模拟 光捕获
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背界面纳米光子结构提高透明导电氧化物基超薄Cu(In, Ga)Se_(2)太阳能电池电学性能的理论探究
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作者 李航瑜 宋浩 +2 位作者 涂野 裴寒宁 殷官超 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第8期3063-3070,3088,共9页
透明导电氧化物(TCO)基超薄Cu(In, Ga)Se_(2)(CIGSe)太阳能电池具有建筑光伏一体化的潜力,然而由于背肖特基结的存在,其增大背复合速率S_b在提高空穴传输的同时也增加了光生电子背复合,从而抑制了其性能的提高。本文使用1D-SCAPS软件对... 透明导电氧化物(TCO)基超薄Cu(In, Ga)Se_(2)(CIGSe)太阳能电池具有建筑光伏一体化的潜力,然而由于背肖特基结的存在,其增大背复合速率S_b在提高空穴传输的同时也增加了光生电子背复合,从而抑制了其性能的提高。本文使用1D-SCAPS软件对背界面纳米光子结构(NPs)如何提高电池的性能进行理论探究,结果表明,背界面NPs的引入产生了复杂的电学效应。一方面,NPs本身不吸收光能,从而降低了背界面附近的有效光吸收体积,导致背界面光生载流子浓度降低,光生电子的背复合显著降低;另一方面,NPs的引入增加了吸收层厚度,导致空间电荷区(SCR)远离背界面,降低了其对光生电子的收集效率,增加了背复合。在高背复合速率(S_(b)=1.0×10^(7)cm·s^(-1))下,光生载流子浓度降低产生的背复合降低大于SCR移动产生的背复合增加,因此总体的背复合降低。与此同时,背复合的降低还缓解了高S_b时的光生电子损耗,从而解除了随S_b增大而增加的背复合对电池性能的抑制。这些发现为设计和优化TCO基超薄CIGSe太阳能电池提供了参考。 展开更多
关键词 TCO基超薄cigse太阳能电池 纳米光子结构 肖特基势垒 光捕获 背复合 透明导电氧化物
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基于铯铟硒薄膜特性的研究
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作者 程世清 刘红梅 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期94-99,共6页
该文通过共蒸发CsF、In、Se的方法制备了含Cs的铟硒化合物薄膜(Cs-In-Se),对其物质特性及光学特性进行分析,并以此为例研究重碱金属铟硒化合物提升Cu(In,Ga)Se_(2)太阳电池效率的影响因素.研究发现Cs-In-Se薄膜所起的积极作用如下:1)Cs-... 该文通过共蒸发CsF、In、Se的方法制备了含Cs的铟硒化合物薄膜(Cs-In-Se),对其物质特性及光学特性进行分析,并以此为例研究重碱金属铟硒化合物提升Cu(In,Ga)Se_(2)太阳电池效率的影响因素.研究发现Cs-In-Se薄膜所起的积极作用如下:1)Cs-In-Se薄膜带隙具有可调节性,可以作为中间层来调节异质结之间带隙失配的问题;2)Cs-In-Se薄膜对光有高透射和低吸收的特性,作为附加层存在对Cu(In,Ga)Se_(2)薄膜的光吸收不会产生较大的负面影响;3)Cs-In-Se薄膜表面更为平滑,有利于减少异质结界面复合. 展开更多
关键词 CIGS太阳电池 重碱金属后沉积处理 碱金属铟硒化合物
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Understanding of the Relationship between the Properties of Cu(In,Ga)Se_(2) Solar Cells and the Structure of Ag Network Electrodes
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作者 Hyesun Yoo Hoang Van Quy +8 位作者 Inpyo Lee Seung Taek Jo Tae Ei Hong JunHo Kim Dae-Hwang Yoo Jinwook Shin Walter Commerell Dae-Hwan Kim Jong Wook Roh 《Energy & Environmental Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第6期246-253,共8页
The relation between the structure of the silver network electrodes and the properties of Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS)solar cells is systemically investigated.The Ag network electrode is deposited onto an Al:ZnO(AZO)thin fil... The relation between the structure of the silver network electrodes and the properties of Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS)solar cells is systemically investigated.The Ag network electrode is deposited onto an Al:ZnO(AZO)thin film,employing a self-forming cracked template.Precise control over the cracked template's structure is achieved through careful adjustment of temperature and humidity.The Ag network electrodes with different coverage areas and network densities are systemically applied to the CIGS solar cells.It is revealed that predominant fill factor(FF)is influenced by the figure of merit of transparent conducting electrodes,rather than sheet resistance,particularly when the coverage area falls within the range of 1.3–5%.Furthermore,a higher network density corresponds to an enhanced FF when the coverage areas of the Ag networks are similar.When utilizing a thinner AZO film,CIGS solar cells with a surface area of 1.0609 cm^(2)exhibit a notable performance improvement,with efficiency increasing from 10.48%to 11.63%.This enhancement is primarily attributed to the increase in FF from 45%to 65%.These findings underscore the considerable potential for reducing the thickness of the transparent conductive oxide(TCO)in CIGS modules with implications for practical applications in photovoltaic technology. 展开更多
关键词 CIGS large-area solar cell metal mesh metallic network transparent electrode
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化学水浴沉积制备高质量Zn(O,S)薄膜及其性能研究
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作者 孙祺 赵颖 +3 位作者 李博研 陈静允 赵子铭 钟大龙 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期482-488,共7页
为获得铜铟镓硒薄膜太阳电池中高质量Zn(O,S)无镉缓冲层薄膜,该研究阐述了柠檬酸三钠作为络合剂制备Zn(O,S)薄膜的成膜机理,系统性研究了该体系下各反应参数对薄膜化学水浴沉积的影响。研究表明,柠檬酸三钠的浓度值显著影响反应类型,异... 为获得铜铟镓硒薄膜太阳电池中高质量Zn(O,S)无镉缓冲层薄膜,该研究阐述了柠檬酸三钠作为络合剂制备Zn(O,S)薄膜的成膜机理,系统性研究了该体系下各反应参数对薄膜化学水浴沉积的影响。研究表明,柠檬酸三钠的浓度值显著影响反应类型,异质反应更有利于生成高质量薄膜。同时,柠檬酸三钠与金属离子浓度的比值直接影响成膜质量和成膜速率,适合的pH溶液环境有助于提高Zn(O,S)薄膜沉积的质量。此外,通过工艺参数的优化,获得了电学性能接近传统CdS/CIGS太阳电池的Zn(O,S)/CIGS电池器件。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 缓冲层 络合 CIGS 柠檬酸三钠 Zn(O S) 化学水浴沉积
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基于柔性CIGS薄膜光伏与气肋式气膜产品一体化设计与应用研究
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作者 尚明 朱立立 +3 位作者 陈盼攀 田中源 王森森 赖文晖 《信息记录材料》 2024年第4期15-17,共3页
气肋式气膜结构发展趋于成熟,同时柔性铜铟镓硒(copper indium gallium selenide,CIGS)薄膜光伏组件由于其轻便、具有延展性及曲度,与气肋式气膜的结合为进一步发挥新能源优势提供了基础。本文基于气肋式气膜的应用特点及技术要求,同时... 气肋式气膜结构发展趋于成熟,同时柔性铜铟镓硒(copper indium gallium selenide,CIGS)薄膜光伏组件由于其轻便、具有延展性及曲度,与气肋式气膜的结合为进一步发挥新能源优势提供了基础。本文基于气肋式气膜的应用特点及技术要求,同时介绍了柔性CIGS薄膜光伏组件的发展情况,对CIGS薄膜光伏组件与气肋式气膜结合应用进行了探讨。通过试验应用项目的技术参数及创新点分析,总结了柔性CIGS薄膜光伏组件与气肋式气膜一体化应用的可行性及优势。为未来大型气肋式气膜与柔性CIGS薄膜光伏组件的一体化应用和推广提供借鉴与参考。 展开更多
关键词 柔性CIGS薄膜光伏组件 气肋式气膜 一体化应用
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光伏建筑一体化项目发电和直流配电系统设计实践
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作者 杜军 房建军 《建筑科技》 2024年第5期83-86,90,共5页
基于北京某光伏建筑一体化(BIPV)工程项目介绍了光伏发电直流配电系统,对光伏发电、直流配电2个子系统的设计、各系统设计的要点分析及系统的运行工况等进行了介绍,为后续BIPV工程的设计提供了参考。
关键词 BIPV CIGS薄膜组件 光伏发电 直流配电系统
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利用风力发电机组塔筒壁安装CIGS光伏柔性组件实现“风光互补”的方案研究
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作者 师明 刘晓晓 +2 位作者 黄仁泷 张海涛 王康 《电工技术》 2024年第12期50-53,共4页
“风光互补”能够综合光伏发电和风力发电的优势,提高供电的可靠性和资源的利用效率,加强土地的合理化、集约化利用,因而近年来得到了广泛的应用。目前,“风光互补”光伏组件主要以多晶硅组件为主。随着碲化镉、铜铟镓硒(CIGS)等柔性薄... “风光互补”能够综合光伏发电和风力发电的优势,提高供电的可靠性和资源的利用效率,加强土地的合理化、集约化利用,因而近年来得到了广泛的应用。目前,“风光互补”光伏组件主要以多晶硅组件为主。随着碲化镉、铜铟镓硒(CIGS)等柔性薄膜组件的研发成功,其因良好的弱光效应、无衰减、成本低和可塑性强等优点而得到了广泛的应用。基于此,对利用风力发电机组塔筒壁安装CIGS柔性薄膜组件实现“风光互补”的方案进行研究。 展开更多
关键词 风光互补 CIGS 塔筒壁安装方案
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溅射参数对CuInGa预制膜成分和结构的影响
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作者 李春雷 庄大明 +1 位作者 张弓 宋军 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期25-28,共4页
作为CIGSe太阳能电池重要组成部分的CIGSe吸收层可以采用预制膜+硒化两步法制备。文中采用磁控溅射方法制备了成分均匀、具有一定成分比例的CuIn、CuGa、CuInGa预制膜。X射线荧光分析(XRF)结果显示随着溅射电流的增加,CuIn预制膜的Cu/I... 作为CIGSe太阳能电池重要组成部分的CIGSe吸收层可以采用预制膜+硒化两步法制备。文中采用磁控溅射方法制备了成分均匀、具有一定成分比例的CuIn、CuGa、CuInGa预制膜。X射线荧光分析(XRF)结果显示随着溅射电流的增加,CuIn预制膜的Cu/In原子比减小,CuGa预制膜的Cu/Ga原子比保持不变;X射线衍射分析(XRD)结果表明CuIn、CuInGa预制膜主要由Cu2In、CuIn、In相组成,Ga元素以固溶的形式存在于CuInGa预制膜中。对于CuIn预制膜,随着溅射电流的增加,薄膜中的Cu2In相逐渐向CuIn转变。 展开更多
关键词 太阳能电池 cigse 磁控溅射 预制膜 CuInGa
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CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究 被引量:25
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作者 孙云 王俊清 +7 位作者 杜兆峰 舒保健 于刚 温国忠 周祯华 孙健 李长健 张丽珠 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期192-195,共4页
采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ... 采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 CIS
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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的研究进展 被引量:19
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作者 王波 刘平 +3 位作者 李伟 马凤仓 刘新宽 陈小红 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第19期54-58,共5页
综述了CIGS薄膜太阳能电池近年来的研究进展。概述了CIGS薄膜的组织结构、性能特性及其之间的联系;介绍了CIGS薄膜吸收层的多种制备方法,如多元共蒸发法、溅射后硒化法、电沉积法、喷涂高温分解法等;概述了Na掺杂对CIGS电池性能的促进... 综述了CIGS薄膜太阳能电池近年来的研究进展。概述了CIGS薄膜的组织结构、性能特性及其之间的联系;介绍了CIGS薄膜吸收层的多种制备方法,如多元共蒸发法、溅射后硒化法、电沉积法、喷涂高温分解法等;概述了Na掺杂对CIGS电池性能的促进作用及其机理;总结了柔性衬底CIGS薄膜太阳能电池的研究情况;最后从理论和实验研究方面展望了CIGS薄膜太阳能电池的研究方向。 展开更多
关键词 太阳能电池 CIGS Na掺杂 柔性衬底
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Cu(In,Ga)Se_2材料成分对其电池性能的影响 被引量:14
17
作者 刘芳芳 何青 +4 位作者 李凤岩 敖建平 孙国忠 周志强 孙云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1954-1958,共5页
利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为102~103Ω·cm之间,是Cu、Ⅲ族元素、Se配比较为合适的区域.载流子浓度在... 利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为102~103Ω·cm之间,是Cu、Ⅲ族元素、Se配比较为合适的区域.载流子浓度在1015~1016cm-3范围内,薄膜表面粗糙度是随着Cu/(Ga+In)比呈下降趋势,Cu越多,表面越光滑,当Cu/(Ga+In)比超过1.25以后,变化趋势逐渐减弱.当Cu/(Ga+In)比在1.0附近时,粗糙度处于30~60nm之间.在上述范围内,研制出转换效率为12.1%的CIGS薄膜太阳电池. 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 成分比例
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化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质 被引量:18
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作者 敖建平 何青 +6 位作者 孙国忠 刘芳芳 黄磊 李薇 李凤岩 孙云 薛玉明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1347-1352,共6页
采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104~105Ω·c... 采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104~105Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%. 展开更多
关键词 化学水浴沉积 CDS CIGS太阳电池 晶相结构
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铜铟镓硒薄膜的真空制备工艺及靶材研究现状 被引量:13
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作者 张冷 张维佳 +6 位作者 宋登元 张辉 张雷 马强 刘嘉 吴然嵩 马晓波 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第14期1990-1994,共5页
阐述了两种真空法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺原理和工艺过程,比较和分析了两工艺的优缺点;介绍了溅射靶材的熔融铸造法和粉末冶金法,列举了靶材制备中所需的温度、压强、保温时间等参数。最后分析认为,用均匀细小的黄铜矿相CIGS粉末... 阐述了两种真空法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺原理和工艺过程,比较和分析了两工艺的优缺点;介绍了溅射靶材的熔融铸造法和粉末冶金法,列举了靶材制备中所需的温度、压强、保温时间等参数。最后分析认为,用均匀细小的黄铜矿相CIGS粉末压制烧结成四元靶材,经溅射成膜后退火处理,可制备出优异的CIGS薄膜,具有更广阔的应用前景。 展开更多
关键词 CIGS 真空 薄膜 溅射靶
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CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能 被引量:14
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作者 敖建平 孙云 +4 位作者 刘琪 何青 孙国忠 刘芳芳 李凤岩 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期682-686,共5页
在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格... 在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格在乙酸胺浓度较小时,为六方晶和立方晶混合结构;乙酸胺浓度较大时,为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CAS制备的CIGS太阳电池,光电转换效率最大可达12.1%,3.5×3.6cm^3小面积组件为6.6%。立方相CAS制备的最佳电池效率达到12.17%。两种晶相结构的CAS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。 展开更多
关键词 CBD CDS薄膜 CIGS太阳电池
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