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CMOS图像传感器辐射敏感参数测试电路设计及试验验证
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作者 王祖军 聂栩 +4 位作者 唐宁 王兴鸿 尹利元 晏石兴 李传洲 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第2期216-221,共6页
以航天领域广泛应用的CMV4000型CMOS图像传感器(CIS)为研究对象,通过开展CIS辐射敏感参数测试电路设计,将CIS辐照电路板与测试电路板中FPGA数据采集及传输板分离,辐照电路板与测试电路板通过接插口通信,从而实现开展辐照试验时对FPGA数... 以航天领域广泛应用的CMV4000型CMOS图像传感器(CIS)为研究对象,通过开展CIS辐射敏感参数测试电路设计,将CIS辐照电路板与测试电路板中FPGA数据采集及传输板分离,辐照电路板与测试电路板通过接插口通信,从而实现开展辐照试验时对FPGA数据采集部分进行辐射屏蔽防护,避免FPGA数据采集板受到辐射影响。开展了CIS测试电路中的电源模块、数据采集、存储模块、外围电路等设计及PCB版图的布局布线设计。采用VerilogHDL硬件描述语言对各个功能模块进行驱动时序设计,实现CIS辐射敏感参数测试功能。通过开展CMV4000型CIS ^(60)Coγ射线辐照试验,分析了平均暗信号、暗信号非均匀性、暗信号分布等辐射敏感参数随总剂量增大的退化规律,验证了CIS辐射敏感参数测试系统的可靠性。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 测试电路设计 辐照试验 辐照损伤效应 辐射敏感参数
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CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性 被引量:7
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作者 陆妩 郭旗 +3 位作者 余学锋 张国强 任迪远 严荣良 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期753-756,共4页
对CMOS运算放大器LF7650进行了1MeV电子的电离辐照实验,研究了LF7650的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平,并通过研究其辐照后在室温和100℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系,分析了在电... 对CMOS运算放大器LF7650进行了1MeV电子的电离辐照实验,研究了LF7650的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平,并通过研究其辐照后在室温和100℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系,分析了在电离辐射环境下CMOS运算放大器的损伤机制及参数失效机理。 展开更多
关键词 cmos 运算放大器 总剂量 辐射损伤 退火
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CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应 被引量:5
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作者 陆妩 任迪远 +4 位作者 郭旗 余学锋 范隆 张国强 严荣良 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期42-47,共6页
介绍了LF7650CMOS运算放大器在60Coγ射线、1MeV电子和4、7、30MeV不同能量质子辐照环境中的响应规律及60Coγ射线和1MeV电子辐照损伤在室温和100℃高温条件下的退火特性,探讨了引起CMOS运放... 介绍了LF7650CMOS运算放大器在60Coγ射线、1MeV电子和4、7、30MeV不同能量质子辐照环境中的响应规律及60Coγ射线和1MeV电子辐照损伤在室温和100℃高温条件下的退火特性,探讨了引起CMOS运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理,并对CMOS运放电路在不同辐射环境中表现出的与CMOS数字电路不同的响应特征给予了解释。 展开更多
关键词 cmos 运算放大器 电离辐射 辐射损伤
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CMOS 运算放大器的质子和 γ 辐照效应 被引量:5
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作者 陆妩 任迪远 +2 位作者 郭旗 余学锋 严荣良 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期370-373,共4页
CMOS运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良(中国科学院新疆物理研究所,乌鲁木齐,830011)本文主要研究了LF7650COMS运放电路在4、7、30MeV质子及60Coγ两种不同辐射环境中的响应... CMOS运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良(中国科学院新疆物理研究所,乌鲁木齐,830011)本文主要研究了LF7650COMS运放电路在4、7、30MeV质子及60Coγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律,并通过对实验结果的... 展开更多
关键词 cmos 运算放大器 Γ辐照 电离损伤 质子辐照
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CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展 被引量:14
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作者 王祖军 刘静 +3 位作者 薛院院 何宝平 姚志斌 盛江坤 《半导体光电》 CAS 北大核心 2017年第1期1-7,共7页
CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元... CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面,综述了CIS总剂量辐照效应研究进展。从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展。分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展相关研究提供理论指导。 展开更多
关键词 cmos图像传感器 总剂量效应 辐照损伤 抗辐射加固技术
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CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析 被引量:1
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作者 陆妩 郭旗 +6 位作者 任迪远 余学锋 张国强 严荣良 王明刚 胡浴红 赵文魁 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期218-222,共5页
通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化 ,探讨了引起运放电特性退化的主要原因。结果显示 ,由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称 ,在辐照中引起的镜像... 通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化 ,探讨了引起运放电特性退化的主要原因。结果显示 ,由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称 ,在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配 ,是导致运放电参数发生剧变的根本原因。对CMOS运放电路来说 ,电路结构的匹配及MOSFET单管I -V特性的优劣 ,是决定运放抗辐射能力的关键。 展开更多
关键词 cmos 运算放大器 辐射效应 辐射损伤 单管特性 集成电路 电路 节点电流 节点电压
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CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应 被引量:1
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作者 陆妩 任迪远 +3 位作者 郭旗 余学锋 张军 郑毓峰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期102-104,117,共4页
 介绍了CMOS运算放大器经60Coγ辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果,并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析,探讨了引起电路"后损伤"效应的原因。结果表明,由辐照感生的氧化物电荷和界面态...  介绍了CMOS运算放大器经60Coγ辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果,并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析,探讨了引起电路"后损伤"效应的原因。结果表明,由辐照感生的氧化物电荷和界面态的消长及差分对管的不匹配,是造成电路继续损伤劣化的根本原因。对于CMOS运算放大器电路,在抑制辐照感生的氧化物电荷和界面态增长的同时,改善电路间的对称性和匹配性,对提高电路的抗辐射能力是至关重要的。 展开更多
关键词 cmos线性电路 运算放大器 电离辐照 后损伤效应
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电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响 被引量:1
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作者 陆妩 郭旗 +7 位作者 任迪远 余学锋 张国强 范隆 严荣良 赵元富 胡浴红 王明刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期116-120,共5页
介绍了确定 CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明 ,恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响 。
关键词 运算放大器 恒流偏置电路 cmos 电离辐射
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线性集成电路的辐照响应和电离辐射损伤评估 被引量:8
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作者 任迪远 陆妩 +3 位作者 余学峰 范隆 高文钰 严荣良 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第9期551-557,共7页
利用用于电离辐射效应研究的运算放大器计算机测试系统以及测试分析和数据处理软件对十几种运算放大器进行了^(60)Coγ射线、1.5MeV电子的电离辐射损伤试验及其室温和加温退火特性研究。同时,探讨了运算放大器电离辐射损伤水平的评估方... 利用用于电离辐射效应研究的运算放大器计算机测试系统以及测试分析和数据处理软件对十几种运算放大器进行了^(60)Coγ射线、1.5MeV电子的电离辐射损伤试验及其室温和加温退火特性研究。同时,探讨了运算放大器电离辐射损伤水平的评估方法和损伤机制。 展开更多
关键词 运算放大器 辐射效应 电离辐射
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JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究 被引量:2
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作者 高嵩 陆妩 +2 位作者 任迪远 牛振红 刘刚 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期627-630,共4页
本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤... 本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况。文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析。 展开更多
关键词 运算放大器 结型场效应管 辐射损伤 低剂量率 加速评估
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运算放大器 X 和 γ 辐射损伤的比较 被引量:1
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作者 陈盘训 《辐射研究与辐射工艺学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期80-85,共6页
比较了运算放大器在X和γ辐射环境下性能的变化,并对X射线对运算放大器产生的剂量增强效应作了研究。实验测量X射线对几种典型运放的相对剂量增强系数(RDEF)的范围为3.4~12.3。SiO2/Si界面产生的俘获空穴电荷... 比较了运算放大器在X和γ辐射环境下性能的变化,并对X射线对运算放大器产生的剂量增强效应作了研究。实验测量X射线对几种典型运放的相对剂量增强系数(RDEF)的范围为3.4~12.3。SiO2/Si界面产生的俘获空穴电荷和界面态是运算放大器在X和γ辐射环境下的主要失效模式。 展开更多
关键词 运算放大器 X射线 Γ射线 辐射损伤 剂量
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组蛋白H2AX磷酸化与肿瘤放疗敏感性关系的研究进展 被引量:3
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作者 曹明丽 陈可欣 《中华肿瘤防治杂志》 CAS 2008年第9期715-718,共4页
目的:总结国内外关于组蛋白H2AX磷酸化与肿瘤放疗敏感性关系的研究现状。方法:应用检索Medline及维普期刊全文数据库检索系统,以'组蛋白、H2AX、磷酸化、DNA修复、肿瘤、放疗和敏感性'等为关键词,检索2000-01~2007-08相关组蛋白... 目的:总结国内外关于组蛋白H2AX磷酸化与肿瘤放疗敏感性关系的研究现状。方法:应用检索Medline及维普期刊全文数据库检索系统,以'组蛋白、H2AX、磷酸化、DNA修复、肿瘤、放疗和敏感性'等为关键词,检索2000-01~2007-08相关组蛋白H2AX与放疗敏感性方面的文献。资料选择:对资料进行初选,组蛋白H2AX的生物学功能与肿瘤放疗敏感性的关系等方面的文献。纳入标准:1)关于组蛋白H2AX的生物学功能的研究。2)关于组蛋白H2AX磷酸化可以指示放疗敏感性的研究。3)关于组蛋白H2AX磷酸化与提高放疗敏感性的研究。资料提炼:粗选有百余篇关于组蛋白H2AX方面的文章,根据纳入标准,精选50篇文献,最后纳入分析24篇文献。结果:组蛋白H2AX在DNA发生双链断裂损伤时发生磷酸化,磷酸化的H2AX参与DNA损伤修复和维持基因组稳定性;由于γ-H2AX的数量与DNA损伤的数量存在一一对应的关系,因此,γ-H2AX可以作为低剂量电离辐射后衡量肿瘤放疗敏感性的指示器;通过抑制H2AX上游的激酶阻止H2AX被磷酸化,或直接抑制γ-H2AX在DNA修复进程中的功能,或应用潜在的电离辐射致敏剂,可以延长电离辐射后γ-H2... 展开更多
关键词 DNA损伤/辐射效应 组蛋白类/分析 综述文献
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SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理 被引量:2
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作者 吴涵 柴常春 +2 位作者 刘彧千 李赟 杨银堂 《现代应用物理》 2019年第3期29-34,共6页
为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率... 为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率微波的效应机理。结果表明,高功率微波注入集电极时,器件内部峰值温度呈现周期性的"上升-下降-上升-下降"趋势,直至最终烧毁,烧毁位置在集电结与氧化层交界处;当高功率微波注入基极时,由于器件的发射极尺寸很小,产生的电流密度很大,热量无法耗散,器件的多晶硅发射结最终被烧毁。SiGe异质结双极型晶体管的集电极抗高功率微波的能力要强于基极。 展开更多
关键词 低噪声放大器 异质结双极型晶体管 高功率微波 损伤效应 机理分析
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星用光电器件位移损伤评估方法 被引量:1
14
作者 李庆 韦锡峰 +1 位作者 肖文斌 俞佳江 《航天器环境工程》 2018年第5期425-430,共6页
位移损伤是导致星用光电器件性能衰退的重要因素之一。文章以GaAs太阳电池、CCD、光电耦合器和光敏晶体管为对象,研究了其敏感电参数随位移损伤剂量D_d的退化行为,建立了相应的退化方程。在此基础上,结合空间辐射环境仿真分析和地面辐... 位移损伤是导致星用光电器件性能衰退的重要因素之一。文章以GaAs太阳电池、CCD、光电耦合器和光敏晶体管为对象,研究了其敏感电参数随位移损伤剂量D_d的退化行为,建立了相应的退化方程。在此基础上,结合空间辐射环境仿真分析和地面辐照试验,提出了一种通用的位移损伤效应评估方法。利用该方法对拟用于某太阳同步轨道卫星上的光敏三极管的在轨退化行为进行了评估,评估结果证明了该方法的有效性和可行性。 展开更多
关键词 光电器件 位移损伤 辐射效应评估 仿真分析 地面试验
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