1
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CMOS图像传感器辐射敏感参数测试电路设计及试验验证 |
王祖军
聂栩
唐宁
王兴鸿
尹利元
晏石兴
李传洲
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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2
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CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性 |
陆妩
郭旗
余学锋
张国强
任迪远
严荣良
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《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1997 |
7
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3
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CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应 |
陆妩
任迪远
郭旗
余学锋
范隆
张国强
严荣良
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《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1999 |
5
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4
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CMOS 运算放大器的质子和 γ 辐照效应 |
陆妩
任迪远
郭旗
余学锋
严荣良
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《核电子学与探测技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1997 |
5
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5
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CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展 |
王祖军
刘静
薛院院
何宝平
姚志斌
盛江坤
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2017 |
14
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6
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CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析 |
陆妩
郭旗
任迪远
余学锋
张国强
严荣良
王明刚
胡浴红
赵文魁
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《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
1
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7
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CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应 |
陆妩
任迪远
郭旗
余学锋
张军
郑毓峰
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
1
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8
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电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响 |
陆妩
郭旗
任迪远
余学锋
张国强
范隆
严荣良
赵元富
胡浴红
王明刚
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2000 |
1
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9
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线性集成电路的辐照响应和电离辐射损伤评估 |
任迪远
陆妩
余学峰
范隆
高文钰
严荣良
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《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1993 |
8
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10
|
JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究 |
高嵩
陆妩
任迪远
牛振红
刘刚
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《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
2
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11
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运算放大器 X 和 γ 辐射损伤的比较 |
陈盘训
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《辐射研究与辐射工艺学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1997 |
1
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12
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组蛋白H2AX磷酸化与肿瘤放疗敏感性关系的研究进展 |
曹明丽
陈可欣
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《中华肿瘤防治杂志》
CAS
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2008 |
3
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13
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SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理 |
吴涵
柴常春
刘彧千
李赟
杨银堂
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《现代应用物理》
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2019 |
2
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14
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星用光电器件位移损伤评估方法 |
李庆
韦锡峰
肖文斌
俞佳江
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《航天器环境工程》
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2018 |
1
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