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温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响
被引量:
3
1
作者
王帆
李豫东
+2 位作者
郭旗
汪波
张兴尧
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期332-337,共6页
为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高...
为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e·pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低;饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。
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关键词
cmos
图像传感器
转换增益
满阱容量
暗电流
温度
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职称材料
题名
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响
被引量:
3
1
作者
王帆
李豫东
郭旗
汪波
张兴尧
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期332-337,共6页
基金
国家自然科学基金(11005152)资助项目
文摘
为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.026 54 DN/e下降到0.023 79 DN/e,饱和输出从4 030 DN下降到3 396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e·pixel-1·s-1。其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低;饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。
关键词
cmos
图像传感器
转换增益
满阱容量
暗电流
温度
Keywords
cmos image sensor conversion gain full well charge dark current temperature
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响
王帆
李豫东
郭旗
汪波
张兴尧
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
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职称材料
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