CMOS/CCD矩阵改进投影仪系统

机械工业中准确度高的微小零件采用投影仪进行测量,传统投影仪受瞄准、计算等人的因素影响引入误差,测量准确度受到影响,本文通过对投影仪测量光路和准确度分析,对CMOS/CCD光电成像原理进行分析。采用CMOS/CCD矩阵成像技术改进传统投影仪,并对改进后投影仪原理、参数进行了分析对比,对改造后的光路、性能、与计算机的接口、数控技术连接和经济性能等技术参数与传统投影仪进行对比,从中可以看出其改进后的优越性。

高速数字化三维集成式CCD-CMOS图像传感器

为了解决CCD与CMOS工艺兼容性低、互连集成制作难度大,以及芯片间接口匹配和高性能兼备等问题,对CCD器件拓扑结构与像元、CMOS读出电路、三维异质互连集成及高密度引脚封装等技术进行研究,提出了一种1024×256阵列规模的集成式CCD-CMOS图像传感器。该器件实现了CCD信号的高精度数字化处理、高速输出及多芯粒的技术融合,填补了国内CCDCMOS三维集成技术空白。测试结果表明:集成CCD-CMOS器件的光响应和成像功能正常,双边成像效果良好,图像无黑条和坏列,互连连通率(99.9%)满足三维集成要求,实现了集成式探测器件的大满阱高灵敏度成像(满阱电子数达165.28ke^(-)、峰值量子效率达86.1%)、高精度数字化(12bit)和高速输出(行频率达100.85kHz),满足集成化、数字化、小型化的多光谱探测成像系统要求。

CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统

研制了中荷耦合器件（CCD）与互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器（CMOS APS）辐射效应测试系统,用于研究CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应并准确评估器件的空间辐射环境适应性.该系统采用光机电一体化结构设计,包括光电响应性能检测、光谱检测、控制及数据处理3个分系统,可对器件的光电响应性能、光谱特性进行全面的定量测试与分析.系统的光谱分辨率为1 nm,工作波段为0.38～1.1 μm.目前,该系统与新疆理化所现有的辐照装置结合,构成了光电成像器件辐射效应模拟试验与抗辐射性能评估平台,已为国产宇航CCD与CMOS APS图像传感器的研制、空间应用部门的成像器件选型工作提供了多次考核评估试验.应用情况表明,该系统可定量检测与评价CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应与抗辐射性能,为深入开展光电成像器件的辐射效应研究提供了完善的试验研究条件.

激光对CCD及CMOS图像传感器的损伤阈值研究

针对激光对CCD及CMOS图像传感器的干扰损伤进行了理论分析和实验研究.实验测量出常压及真空条件下1064nm激光对CCD及CMOS图像传感器的干扰阈值、损伤阈值及完全损坏阈值.实验结果表明,CCD或CMOS图像传感器的各种阈值在常压和真空两种不同条件下的差别不明显.实验结果还显示,无论在常压还是在真空条件下,CCD比CMOS更容易受到激光的干扰和损伤甚至严重损坏;而CMOS相机具有很好的抗干扰和抗损伤能力.

1.06μm激光对CCD、CMOS相机饱和干扰效果对比研究

为了对比激光对CCD、CMOS两种图像传感器的干扰效果,利用1.06 μm高重频激光开展了对CCD、CMOS两种相机的饱和干扰实验研究,分析了两种相机在干扰有效面积、饱和干扰面积、干扰前后图像相关度等与激光入射功率之间的关系.实验结果表明：CMOS相机达到单元像素饱和的激光功率阈值是CCD相机的20倍;要达到相同的干扰有效面积,所需的激光功率CMOS相机要大于CCD相机10倍～100倍;要达到相同的饱和像元数,所需的激光功率CMOS相机比CCD相机约大10倍～60倍.因此,CMOS相机要比CCD相机具有更好的抗1.06 μm激光干扰能力.

基于CCD与CMOS的图像传感技术

概述了CCD图像传感器的原理、特点及发展趋势。对CMOS图像传感器的结构和工作原理,尤其是CMOS与CCD两类图像传感之间的不同进行综述。重点介绍了CMOS图像传感器的研究现状和发展趋势。

CMOS图像传感器与CCD的比较及发展现状

本文从读取方式、集成性等多角度对 CMOS图像传感器和 CCD作了比较 ,并介绍了 CMOS图像传感器和 CCD技术的发展现状 ,指出了

CCD与CMOS图像传感器探测性能比较

CCD与CMOS图像传感器由于结构和制造过程的不同而存在各自的优势与劣势。文章从结构与技术差异的角度,对二者的探测性能进行了比较,并展望了发展前景。

632nm激光对CCD和CMOS的干扰实验及机理分析

为了研究激光对图像传感器的干扰机理,利用632nm激光开展了对CCD和CMOS两种图像传感器的干扰实验,将实验采集的数字图像进行处理,提取了不同激光功率下,图像横纵向最大干扰宽度,并从CCD和CMOS内部结构上解释了产生干扰差异的原因。之后利用激光光强关系式推导出最大干扰宽度与激光辐照光功率之间的关系,并根据此关系拟合了CCD横向和CMOS横纵向最大干扰宽度曲线,拟合结果与实验数据吻合较好,说明了CCD横向和CMOS横纵向受干扰的主要原因是由光强本身引起的高斯光束整体抬升。对于CCD纵向串扰过程,通过实验可以得出CCD串扰过程分为两个阶段:开始阶段可能是由电子隧穿引起的,后期主要是载流子的饱和扩散。

CCD和CMOS图像传感器性能比较(英文)

简单介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较。对他们的现状和发展趋势进行了分析,说明了CCD图像传感器和CMOS图像传感器之间存在的长期竞争。

CMOS与CCD图像传感器的比较研究和发展趋势

对目前的两类图像传感器CCD和CMOS做了系统的分析和研究。对CMOS与CCD的结构特点,相关的性能参数进行了深入比较研究。针对CMOS图像传感器的低灵敏度、高噪声,暗电流,低填充度和成像质量差等技术问题,提出了DRSCAN噪声消除技术,CMOS C3D技术,片上模拟处理技术和彩色插值算法等解决途径。通过进一步对图像传感器的应用发展情况和发展趋势的分析与研究,得出:在未来发展中,由于CMOS图像传感器已经克服了已有的技术瓶颈,在视频监控,航空探测设备,医疗设备,眼膜识别,可视通信等诸多领域的应用前景将会优于CCD图像传感器。

CCD与CMOS图像传感器特点比较

简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局。

CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析

对位移损伤敏感器件CCD及CMOS图像传感器进行了3,10,23MeV质子辐照试验,获得了电荷转移效率及暗电流退化程度分别随非电离能量损失(NIEL)变化的线性关系,验证了基于NIEL的位移损伤等效方法的可行性。为准确预测抗辐射加固工程中,器件屏蔽结构带来的能量崎离、次级粒子等非理想因素对器件参数退化的影响,利用Geant4计算了不同质子能量下的NIEL值。结果表明,随着质子能量降低,计算得到的NIEL值与解析法给出的理想NIEL值的差异增大。因此,对于结构复杂的器件,有必要建立器件结构模型,以便准确计算NIEL。

CCD和CMOS图像传感器的异同剖析

不管是在静止图像还是在运动图像领域,所采用的图像传感器不外乎CCD和CMOS两种,文章首先介绍了两种传感器的工艺结构和工作特点,然后给出了二者在制造工艺及性能参数等方面的主要差异,其中对两种传感器光敏单元的作用和能否实现片上系统方面作了重点强调。

CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究

为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程。本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑。

基于CCD与CMOS图像传感新技术的研究

介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器新技术,对两者的性能特点进行了比较。最后,预测图像传感技术的发展趋势。

CCD与CMOS的图像传感技术

在现代高新技术的迅速发展下,CCD与CMOS两项传感技术不断的进步。本文对这两项技术的原理、拜耳阵列新方法进行探讨和一个比较性分析。

CCD与CMOS图像传感器在微型摄像机中的应用

本文概述了CCD与CMOS图像传感器在微型摄像机和超微型摄像机中的应用。

CCD与CMOS传感器比较

使用CCD和CMOS传感器的技术和市场继续走向成熟，继平板扫描仪、数字照相机和数字摄像机大量采用CCD传感器后，某些数字成像系统的制造商逐步转移到CMOS传感器技术。由于上述两种传感器技术的广泛应用和良好的市场前景，随之出现了由制造商提供的大量比较CCD和CMOS传感器孰优孰劣的文章。数字成像设备的用户们关心这一主题可以理解，但如果从实用的角度考虑，比较CCD和CMOS传感器技术其实如同决定苹果和橙子何者更好那样，两者对用户来说都是好东西。

CMOS图像传感器奋力冲击CCD市场

目前,各种成像系统一般采用的是CCD图像传感器技术,然而,CCD图像传感器有如下缺点:(1)驱动电路和信号处理电路难与CCD成像阵列单片集成,图像系统为多芯片系统;(2)为了获得信号的完整性,在像元间信号需要进行完美的转移,随着阵列尺寸的增加,电荷转移要求更加严格准确;(3)时钟脉冲复杂,需要相对高的工作电压,不能与亚微米和深亚微米的VLSI技术兼容;(4)成品率低,成本高,蓝光响应差,有光晕;(5)图像信息不能随机读取,而这种随机读取对很多应用是不可少的.为此,人们正在努力发展新的图像传感器.