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CMOS/SOD电路的高温工作特性
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作者 顾长志 金曾孙 +6 位作者 孟强 邹广田 陆剑侠 苏秀娣 许仲德 姚达 王怀荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第9期688-691,共4页
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，... 采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。 展开更多
关键词 金刚石膜 cmos/sod IC 高温工作特性
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CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
2
作者 王怀荣 姚达 +4 位作者 苏秀娣 许仲德 陆剑侠 顾长志 金曾孙 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第3期72-74,共3页
以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能... 以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路； 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 Ｓ Ｏ Ｄ 展开更多
关键词 集成电路 抗辐射 恢复 cmos/sod电路 抗核加固
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