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用于射频能量收集的低阈值CMOS整流电路设计
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作者 徐雷钧 孙鑫 +1 位作者 白雪 陈建锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期365-372,共8页
基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低... 基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低了整流电路的开启阈值电压,针对较低输入信号功率,提高了整流电路的功率转换效率(PCE)。同时将低阈值整流电路三级级联以提高输出电压。测试结果显示,在输入信号功率为-14 dBm@915 MHz时,三级级联低阈值整流电路实现了升压功能,能稳定输出1.2 V电压,峰值PCE约为71.32%。相较于传统结构,该低阈值整流电路更适合用于射频能量收集。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos) 射频能量收集 低阈值 RF-DC整流 差分输入交叉耦合整流
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超快四分幅CMOS电路设计与仿真
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作者 蔡厚智 黄晓雅 +4 位作者 杨恺知 马友麟 解朝阳 刘进元 向利娟 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期29-35,共7页
用于惯性约束聚变诊断的传统微通道板(microchannel plate,MCP)选通分幅相机存在体积大、非单视线成像等问题,可用时间分辨率为百皮秒的CMOS芯片代替MCP变像管,将分幅相机芯片化并实现单视线成像。提出了具有8×8×4像素阵列的... 用于惯性约束聚变诊断的传统微通道板(microchannel plate,MCP)选通分幅相机存在体积大、非单视线成像等问题,可用时间分辨率为百皮秒的CMOS芯片代替MCP变像管,将分幅相机芯片化并实现单视线成像。提出了具有8×8×4像素阵列的单视线四分幅超快成像CMOS电路,并对其性能进行了模拟仿真。基于0.18μm标准CMOS工艺、5晶体管(5T)像素单元结构,设计了四分幅像素单元电路、电压控制延迟器、时钟树以及行列选通电路等。对CMOS电路像素信号进行选通输出并分析,仿真结果表明该CMOS电路可实现单次四分幅成像,每幅图像的时间分辨率为100 ps,相邻两幅图像之间的时间间隔为300 ps,四幅图像像素信号均匀性优于90%。 展开更多
关键词 cmos 惯性约束聚变 超快诊断 分幅成像
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CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
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作者 王怀荣 姚达 +4 位作者 苏秀娣 许仲德 陆剑侠 顾长志 金曾孙 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第3期72-74,共3页
以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. 结果表明, S O D 电路在大剂量辐照后的恢复能... 以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. 结果表明, S O D 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路; 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 S O D 展开更多
关键词 集成 抗辐射 恢复 cmos/sod电路 抗核加固
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一种紧凑的射频CMOS放大器LC输出匹配电路 被引量:1
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作者 赵晓冬 《电讯技术》 北大核心 2024年第4期637-642,共6页
提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件... 提出了一种紧凑的射频互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)放大器LC输出匹配电路,利用放大器漏极偏置电感、输出端隔直电容与放大器输出端并联电感电容形成高阶LC谐振网络,可在占用较小芯片面积的条件下实现较传统L型匹配电路更宽频率范围的输出阻抗匹配。推导了该LC输出匹配电路元件值的计算式,并根据提出的设计方法,采用65 nm CMOS工艺设计了一款K频段放大器,其输出匹配电路尺寸仅98μm×150μm。仿真结果表明,在16.5~22.1 GHz频率范围内放大器的S 22<-10 dB,阻抗匹配带宽相比L型匹配电路增加166%。放大器实测S参数和仿真结果相符,验证了该LC匹配电路可实现紧凑的宽带阻抗匹配。 展开更多
关键词 紧凑匹配 射频cmos放大器 宽带阻抗匹配 LC谐振网络
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基于0.18μm CMOS工艺的低功耗采样保持电路
5
作者 韩昌霖 丁浩 吴建飞 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期355-361,共7页
基于0.18μm CMOS工艺设计了一款用于ADC前端的采样保持电路,电路采用输入缓冲器-采样开关-输出缓冲器三级结构实现。为提高采样保持电路的保持平稳度,设计了信号馈通和时钟馈通消除结构。为改善频率响应,设计了无源负反馈结构并研究了... 基于0.18μm CMOS工艺设计了一款用于ADC前端的采样保持电路,电路采用输入缓冲器-采样开关-输出缓冲器三级结构实现。为提高采样保持电路的保持平稳度,设计了信号馈通和时钟馈通消除结构。为改善频率响应,设计了无源负反馈结构并研究了器件参数对电路性能的影响。仿真结果表明,该馈通消除结构能够提升保持阶段的平稳度,负反馈可将增益提升36 dB。该电路在800 MS/s采样率、122.6 MHz正弦波输入条件下,增益为0 dB,3 dB带宽为1 GHz,信号失真比为48 dB,有效位数为7.7 bit。最终版图面积为202μm×195μm,功耗为37.22 mW,实现了低功耗的设计目标。 展开更多
关键词 ADC cmos工艺 低功耗 采样保持 馈通消除
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红外焦平面CMOS单元读出电路 被引量:23
6
作者 袁祥辉 吕果林 +1 位作者 黄友恕 李兵 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期123-126,共4页
研制出一种 C M O S 差分放大器组成的电容反馈互导放大器( C T I A) 型红外焦平面读出电路,其输出端带有相关双取样( C D S) 电路。对读出电路的注入效率进行了计算机模拟。介绍了器件的设计与工艺分析。实验结果表... 研制出一种 C M O S 差分放大器组成的电容反馈互导放大器( C T I A) 型红外焦平面读出电路,其输出端带有相关双取样( C D S) 电路。对读出电路的注入效率进行了计算机模拟。介绍了器件的设计与工艺分析。实验结果表明,在77 K 下,读出电路的动态范围为66 d B,功耗典型值为0 .53 毫瓦/ 展开更多
关键词 器件 红外焦平面阵列 cmos CTIA 读出 计算机模拟
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基于共模电平偏移电路新型CMOS低电压满幅度运放设计 被引量:9
7
作者 林越 徐栋麟 +1 位作者 任俊彦 许俊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期529-534,共6页
针对电源电压为 1V甚至更低的应用环境 ,给出了一种基于共模电平偏移电路的新型 rail- to- rail运放结构 ,相对以往同类电路具有很好的对称性和较高的输入阻抗 ,并对之进行了详细的讨论 .在整个共模输入电压范围内 ,其单位增益带宽随共... 针对电源电压为 1V甚至更低的应用环境 ,给出了一种基于共模电平偏移电路的新型 rail- to- rail运放结构 ,相对以往同类电路具有很好的对称性和较高的输入阻抗 ,并对之进行了详细的讨论 .在整个共模输入电压范围内 ,其单位增益带宽随共模电压变化仅为 0 .0 5 % . 展开更多
关键词 cmos RAIL-TO-RAIL 共模平偏移 运算放大器
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一种基于0.18μm CMOS工艺的上电复位电路 被引量:5
8
作者 张俊安 陈良 +3 位作者 杨毓军 张瑞涛 王友华 余金山 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期238-241,共4页
介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路... 介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果。电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积。该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常。 展开更多
关键词 复位 低阈值 cmos NMOS
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高速CMOS电路电离辐照损伤的剂量率效应 被引量:4
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作者 郭旗 陆妩 +2 位作者 余学锋 任迪远 严荣良 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期503-506,共4页
对国产加固64HC04高速CMOS电路进行了不同剂量率的辐照响应和室温退火特性研究。探讨了54HC04电路在不同剂量率辐照下的损伤机理和失效模式的差异及其对高速CMOS电路在辐射环境中应用可靠性的影响。
关键词 高速 cmos 离辐照 退火 剂量率 MOS器件
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一种新型的高性能CMOS电流比较器电路 被引量:13
10
作者 陈卢 石秉学 卢纯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期362-365,共4页
分析了目前几种高性能连续时间 CMOS电流比较器的优缺点 ,提出了一种新型 CMOS电流比较器电路 .它包含一组具有负反馈电阻的 CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组 CMOS反相器 .由于 CMOS互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、... 分析了目前几种高性能连续时间 CMOS电流比较器的优缺点 ,提出了一种新型 CMOS电流比较器电路 .它包含一组具有负反馈电阻的 CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组 CMOS反相器 .由于 CMOS互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、输出阻抗 ,从而使电压的变化幅度减小 ,所以该电流比较器具有较短的瞬态响应时间和较快的速度 .电阻负载放大器的使用减小了电路的功耗 .利用 1.2 μm CMOS工艺 HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了模拟 ,结果表明该电路的瞬态响应时间达到目前最快的 CMOS电流比较器的水平 ,而功耗则低于这些比较器 ,具有最大的速度 /功耗比 .此外 ,该 CMOS电流比较器结构简单 ,性能受工艺偏差的影响小 ,适合应用于高速 展开更多
关键词 流比较器 流型 cmos模拟集成 VLSI
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绝热计算原理与能量恢复型CMOS电路 被引量:23
11
作者 吴训威 杭国强 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第7期779-779,F003,共2页
从改变 CMOS电路中能量传输方式的观点出发 ,讨论了绝热计算原理 .在此基础上对实现能量恢复的现有三种方案及相应的电路结构进行了分析与比较 .
关键词 能量恢复 绝热计算原理 cmos 能耗分析
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致冷型红外CMOS读出集成电路的发展现状 被引量:9
12
作者 刘成康 李兵 +1 位作者 汪涛 袁祥辉 《红外技术》 CSCD 北大核心 2000年第4期39-41,46,共4页
致冷型红外读出集成电路经历了 2 0多年的发展 ,其技术已日臻完善 ,CMOS读出电路是当今读出电路的主流 ,其发展趋势是减小像元间距 ,增加焦平面阵列像元数而又不降低其光电性能。将滤波电路、A D转换等功能器件集成在同一芯片上也是读... 致冷型红外读出集成电路经历了 2 0多年的发展 ,其技术已日臻完善 ,CMOS读出电路是当今读出电路的主流 ,其发展趋势是减小像元间距 ,增加焦平面阵列像元数而又不降低其光电性能。将滤波电路、A D转换等功能器件集成在同一芯片上也是读出电路的发展方向。 展开更多
关键词 红外焦平面阵列 读出 cmos 集成
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CMOS读出电路中的噪声及抑制 被引量:14
13
作者 刘成康 袁祥辉 张晓飞 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期170-173,共4页
CMOS读出电路中的噪声严重地制约了读出电路的动态范围 ,进而影响到焦平面阵列甚至成像系统的性能。文章对读出电路中KTC噪声、1/ f噪声以及固定图形噪声的成因及抑制技术进行了分析和讨论 。
关键词 KTC噪声 1/f噪声 固定图形噪声 cmos读出 相关双采样
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薄膜SOI/CMOS的SPICE电路模拟 被引量:2
14
作者 王阳元 奚雪梅 +2 位作者 甘学温 程玉华 李映雪 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期88-93,共6页
鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实... 鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实用性,分析了器件参数对SOI/CMOS电路速度的影响,这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践. 展开更多
关键词 薄膜 SOI cmos SPICE
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变论域自适应模糊控制器的CMOS模拟电路芯片实现 被引量:5
15
作者 单伟伟 靳东明 梁艳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期913-917,共5页
为解决传统的自适应模糊控制器算法过于复杂难以用模拟电路实现的问题,本文研究了输入输出论域可随输入变量的变化而自适应变化的在线自适应模糊控制器及其在非线性系统控制中的应用,并制作了CMOS模拟电路芯片.提出了一种新的尖三角形... 为解决传统的自适应模糊控制器算法过于复杂难以用模拟电路实现的问题,本文研究了输入输出论域可随输入变量的变化而自适应变化的在线自适应模糊控制器及其在非线性系统控制中的应用,并制作了CMOS模拟电路芯片.提出了一种新的尖三角形隶属度函数实现输入变论域的功能,输出变论域部分采用对输入变量进行加权积分并求其绝对值的方法.控制器的其他部分为求小电路和重心法去模糊电路.以上各电路均为CMOS模拟电路,它们和集成的整体电路均在无锡上华(CSMC)0.6μm工艺下流片,测试结果表明该芯片完成了变论域模糊控制器的功能. 展开更多
关键词 cmos模拟 模糊控制器 自适应控制 隶属度函数
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基于开关信号理论的三值电流型CMOS电路设计 被引量:15
16
作者 吴训威 邓小卫 应时彦 《电子科学学刊》 CSCD 1993年第2期113-120,共8页
本文应用开关信号理论对电流型CMOS电路中MOS传输开关管与电流信号之间的相互作用进行了分析,并提出了适用于电流型CMOS电路的传输电流开关理论。应用该理论设计的三值全加器等电路具有简单的电路结构和正确的逻辑功能,从而证明了该理... 本文应用开关信号理论对电流型CMOS电路中MOS传输开关管与电流信号之间的相互作用进行了分析,并提出了适用于电流型CMOS电路的传输电流开关理论。应用该理论设计的三值全加器等电路具有简单的电路结构和正确的逻辑功能,从而证明了该理论在指导电流型CMOS电路在开关级逻辑设计中的有效性。 展开更多
关键词 开关信号理论 流型 cmos
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FDAADS系统中模拟CMOS单元电路的自动综合 被引量:3
17
作者 李兴仁 洪志良 +2 位作者 武洁 易婷 唐璞山 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第7期533-537,共5页
介绍了一种基于优化的 CMOS单元电路的自动综合方法 ,该方法利用一种新颖的电路性能评估技术来缩短综合软件的运行时间、提高设计精度 .此外 ,采用模拟退火法优化算法进行求解 ,并结合一些其它方法来提高获得全局优化解的能力 .利用上... 介绍了一种基于优化的 CMOS单元电路的自动综合方法 ,该方法利用一种新颖的电路性能评估技术来缩短综合软件的运行时间、提高设计精度 .此外 ,采用模拟退火法优化算法进行求解 ,并结合一些其它方法来提高获得全局优化解的能力 .利用上述方法实现的一些 CMOS单元电路的自动综合模块已经集成到 FDAADS——“复旦模拟电路自动化设计系统”中 .大量的实验结果表明 展开更多
关键词 全局优化 FDAADS系统 cmos单元 CAD
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CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证 被引量:3
18
作者 陈睿 冯颖 +5 位作者 余永涛 上官士鹏 封国强 朱翔 马英起 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期721-726,共6页
利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了... 利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明,当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时,加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值,但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值,而且自动退出闩锁状态,能更有效地减缓CMOS器件电路级闩锁效应。 展开更多
关键词 cmos器件 单粒子闭锁效应 防护 脉冲激光
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模拟CMOS集成电路设计工具综述 被引量:3
19
作者 来新泉 高德远 李玉山 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期1-5,共5页
介绍了各种模拟CMOS集成电路计算机辅助设计工具。详细分析了设计工具的特点、组成和分类,重点讨论了它对数模混合ASIC设计的作用和重要意义。
关键词 模拟 IC CAD ASIC cmos
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一种新型高性能CMOS电流模式的动态规划电路 被引量:2
20
作者 戴力 庄奕琪 +3 位作者 景鑫 杜永乾 汤华莲 李振荣 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期29-35,共7页
为了提高片上网络中最优化计算的动态规划电路的速度和精确度,提出了一种CMOS电流模式的winner-take-all/loser-take-all(WTA/LTA)电路.该电路设计了一个可再生结构放大输入电流的差距并加速比较,从而提高了电流比较的解析度和速度;使... 为了提高片上网络中最优化计算的动态规划电路的速度和精确度,提出了一种CMOS电流模式的winner-take-all/loser-take-all(WTA/LTA)电路.该电路设计了一个可再生结构放大输入电流的差距并加速比较,从而提高了电流比较的解析度和速度;使用了输出选择的方式来减小电流镜引起的失配误差,从而改善了输出电流的精确度.采用TSMC 180nm工艺技术和1.3V工作电压的仿真实验表明,所提出的WTA/LTA电路可以达到1nA的解析度和99.5%的精确度,同时具有高速、低功耗特性.使用该电路作为基本计算单元的八节点动态规划电路,在相同仿真条件下与未改进的动态规划电路相比,计算延迟减小约60%,同时精确度提高约80%. 展开更多
关键词 cmos 流模式 WTA/LTA 动态规划 最优化
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