CMOS传输门工作特性的Multisim分析

针对CMOS传输门工作特性的实验验证,提出了在计算机上应用Multisim仿真软件仿真CMOS传输门传输特性的方法,即用Multisim软件中的函数发生器提供正弦信号、三角信号和脉冲数字信号,用虚拟仪器中的双踪示波器显示输入信号、输出信号的波形。特点是直观形象地描述了CMOS传输门的功能和工作特性、解决了CMOS传输门工作波形无法用电子实验仪器进行分析验证的问题。

基于CMOS传输门的带通-带阻可重构N通道滤波器

针对存在高功率动态干扰的通信环境中,传统滤波器适应性低的问题,通过控制CMOS传输门的通断状态,设计了一款带通-带阻可重构8通道滤波器,实现带通、带阻滤波器类型的快速切换,提高滤波器的适应性。同时,利用MOS电容参数放大技术,提高了带通滤波器的无源增益,利用MOS电容采样,提高了带阻滤波器的选择性。在TSMC 40 nm CMOS工艺下,滤波器的后仿真结果表明,带通滤波器的中心频率在0.3~1.4 GHz可调,增益为6.1~9.1 dB,噪声系数(NF)小于3.3 dB;带阻滤波器的中心频率在0.3~1.4 GHz可调,增益为-7.6~-11 dB,带宽为4.2 M,噪声系数小于4.6 dB。该滤波器可在高功率动态干扰的通信环境中工作,有广阔的应用前景。

关于CMOS传输门的应用开发

本文提出了CMOS传输门在信号的产生、变换、控制和观测等方面的应用。

CMOS传输门的应用

本文介绍了CMOS传输门在数据选择器、触发器、逻辑运算和开关方面的应用．

电磁干扰对CMOS传输门的影响

电磁干扰对于电子设备的影响日益明显,因此对其干扰机理的研究至关重要。该文采用器件物理模拟的方法,利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS传输门在频率从1MHz到20GHz,功率从-2到24dBm电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明:低频电磁干扰只要使得PMOS管或者NMOS管导通,电磁干扰就会在CMOS传输门断开的状态下通过;而高频电磁干扰则主要通过NMOS管的本征电容耦合到输出端,同时由于本征电容的旁路滤波作用受到一定的抑制。

MCML/TG混合结构与三值T门和三值D-latch电路设计

在深入分析MCML和TG的电路特点后,提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成,MCML结构产生控制信号,TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例,验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice软件,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,供电电压1.8V,对所设计的电路进行仿真,分析结果表明:电路逻辑功能正确;输入输出高低电平一致,具有较好的电压兼容性;功耗保持MCML结构的优势,基本与频率无关;与传统的CMOS电路相比,取得了较大的延迟优化.

数字型任意函数信号发生器

用数字译码器的输出,有序地控制一些传输门,传输由电阻分压网络得到的、按一定函数值分布的电压,再经电容滤波得到平滑的函数信号,可做成任意函数信号和任意函数暂态过程的信号发生器,从而弥补了模拟技术制成的信号发生器之不足,有较高的实用价值.

微阵列生物传感器的自动数据选通器设计

为了让微阵列生物传感器的多路并行模拟信号能够分时的串行输出,以便后续电路处理,设计了一种自动数据选通器。该数据选通器主要由CMOS传输门和CMOS移位寄存器构成,能同时适用于数字信号与模拟信号。在0.6μm/Level 7 CMOS工艺条件下进行模拟,仿真结果表明:该数据选通器具有较高的性能。

用于电容传感器的任意信号发生器研究

通过对特定函数波的研究,设计了用数字电路控制TG门,通过传输一定函数值分布的电压,就可得到任意函数信号和任意函数暂态过程的信号.这在电容传感器测量中得到较好的应用.

衬底偏压效应在电路中的影响

在介绍衬底偏压效应产生原理的基础上,给出了衬底偏压效应的定义,并详细介绍了CMOS传输门的衬底偏压效应。接下来以实际电路高速CMOS 16位双向收发器为例介绍了衬底偏压效应对电路的影响,并给出了一种消除衬偏效应的设计方法。