抗电磁干扰低电压CMOS放大器设计

基于CMOS体驱动,提出低电压放大器抗电磁干扰结构.电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级的等效输入跨导,通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性,采用双输入级结构保证放大器良好的交流特性,同时,对称拓扑结构保证了电路的高度对称性,实现了对称的转换速率.该设计采用电源电压为1V的0.35μm标准CMOS工艺实现.对该放大器的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证,并同传统体驱动放大器相比较.实验结果表明:该结构的电压失调小于50mV,10kHz频点的输出功率谱密度相比传统结构降低33dBm.

射频前端基准电流源低电压抗电磁干扰设计

基于CMOS体驱动,提出低电压基准电流源电路抗干扰设计,提高航管一次雷达射频前端接收电路的可靠性。电路采用体驱动技术实现低电源电压工作,采用敏感隔离结构提高电流镜电路抗干扰性能。设计采用电源电压为1 V的0.35μm标准CMOS工艺,对该基准电流源电路的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证,并同普通体驱动结构相比较。实验结果表明:当输入端存在3倍于参考电流大小的电磁干扰时,该结构的电流偏移小于0.3μA。