化学气相沉积技术在先进CMOS集成电路制造中的应用与发展

随着CMOS集成电路晶体管尺寸不断微缩及其制造工艺的日益复杂,对化学气相沉积CVD薄膜制备工艺的要求越来越高。本文主要研究了用于介质间隙填充的流CVD技术和用于SiGe选择性外延的亚常压CVD技术,重点介绍了它们的工艺原理和方法,以及薄膜材料质量及其关键影响因素。本文综述了CVD技术的特点、优势及其在先进CMOS制造工艺中的应用;面对更先进工艺应用中的挑战,分析了它们存在的问题,并讨论了可能的解决方案和应用前景。

晶圆厂转移过程中CMOS工艺可靠性研究

针对半导体行业中常见的集成电路产品在加工期间更换晶圆厂的现象,通过对比原晶圆厂与待转移晶圆厂的加工工艺,对更换前后工艺的差异性进行逐一分析。从衬底材料的电阻率、P管场区阈值的调整方式、P管沟道的调整方式、NSD与PSD的注入顺序、栅氧厚度、ILD原材料、金属布线厚度等方面对晶圆厂转移的成功率进行评估。产品加工完成后,又通过PCM参数及电参数对比分析的方式进行产品参数的差异性确认。分析结果表明,晶圆厂转移后加工的产品参数指标与原工艺线相比略有提升,产品成品率也有所提高,既未影响原用户使用,又降低了加工成本,晶圆厂实现成功转移。

介质超构表面的CMOS兼容制备工艺的进展

超构表面为纳米光子器件赋予了更高的自由度与灵活度,使实用的微纳米光子器件的实现成为可能。基于高折射率半导体材料的介质超构表面制备技术可以和半导体集成电路的制作工艺结合,有希望在攻克超构表面大面积和高通量制备技术难题上发挥重要的作用,因此对其光场调控性能和制备工艺的研究是该领域近年来的重要发展方向。本文从硅、氮化硅和二氧化钛等介质超构表面出发,介绍了超构表面高通量制造技术的发展。此外,介绍了基于大面积制造技术实现实际应用的基于纳米光子器件的光学器件,如显示、成像、光调控器件。

纳米集成电路大生产中新工艺技术现状及发展趋势

近年来微纳电子科学和集成电路产业的发展,证明了有效30多年的摩尔定律未来正在受到挑战.在传统的集成电路技术发展似乎走到技术尽头的时候,依靠新材料和新结构的技术发展,摩尔定律才能继续显示其有效性.但是技术发展的步伐呈现减缓的趋势.在进入21世纪后,各种新器件材料的引进以及各种新器件结构的陆续推出,给世界集成电路产业带来了诸多机遇和挑战.本文总结分析了微纳电子产业技术主流发展趋势,包括:新材料新工艺应用、先进CMOS制造工艺集成技术、3D系统芯片封装技术、新型存储器技术、新型逻辑器件的产业化技术,并且介绍了国内先进集成电路产业技术的研发现状,包括近年来取得的一些生产技术研发成果.文中提出了一些纳米集成电路生产工艺技术发展中的主要挑战和应对建议,并针对国内集成电路科技和产业发展提出了一些看法.