FDAADS系统中模拟CMOS单元电路的自动综合

介绍了一种基于优化的 CMOS单元电路的自动综合方法 ,该方法利用一种新颖的电路性能评估技术来缩短综合软件的运行时间、提高设计精度 .此外 ,采用模拟退火法优化算法进行求解 ,并结合一些其它方法来提高获得全局优化解的能力 .利用上述方法实现的一些 CMOS单元电路的自动综合模块已经集成到 FDAADS——“复旦模拟电路自动化设计系统”中 .大量的实验结果表明

8087协处理器CMOS单元库的设计

在对8087协处理器芯片进行剖析的基础上,我们对电路的逻辑进行了提取,分析了电路的功能,并对部分功能进行了仿真验证。将其中的全加器单元NMOS电路改为CMOS电路,本文以此为例,介绍了将NMOS电路改为CMOS电路时,建立CMOS单元库的流程及应注意的问题。

1.2μm CMOS标准单元库的开发方法

论述了如何使用建库工具－MERCURY建立1．2μmCMOS标准单元库的方法。并介绍了MERCURY的几个主要区域与功能。

高线性度CMOS模拟乘法器设计与仿真

设计和仿真了一种高线性度CMOS模拟乘法器。采用有源衰减器对输入信号进行预处理,CMOS Gilbert乘法单元对信号进行乘法运算,同时设计了偏置电路。在±1.8 V电源电压下,输入范围为±0.6 V时,通过优化器件参数,乘法器输出幅度小于±25 mV且具有高线性度。乘法器-3 dB带宽为181 MHz,有着良好的倍频特性。此外,对乘法器的温度特性进行了仿真,讨论了线性度与输出幅度之间的关系,优化设计了乘法器版图。在较宽输入范围内,本文乘法器线性度明显高于参考文献。

静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究

本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究AlteraSRAM型FPGA器件^(60)Coγ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小.