面向CMOS图像传感器芯片的3D芯粒(Chiplet)非接触互联技术

在后摩尔时代,3D芯粒(Chiplet)通常利用硅通孔(TSV)进行异构集成,其复杂的工艺流程会提高芯片制造的难度和成本。针对背照式(BSI)CMOS图像传感器(CIS)的倒置封装结构,该文提出了一种低成本、低工艺复杂度的3D Chiplet非接触互联技术,利用电感耦合构建了数据源、载波源和接收机3层分布式收发机结构。基于华润上华(CSMC)0.25μm CMOS工艺和东部高科(DB HiTek)0.11μm CIS工艺,通过仿真和流片测试验证了所提出的互联技术的有效性。测试结果表明,该3D Chiplet非接触互联链路采用20 GHz载波频率,收发机通信距离为5~20μm,在数据速率达到200 Mbit/s时,误码率小于10^(-8),接收端功耗为1.09 mW,能效为5.45 pJ/bit。

一种用于激光背面测试CMOS图像芯片的封装方法研究

研究方向是最终用于激光背面测试的 CMOS 图像芯片 PLCC 封装方法,通过采用 DOE 实验优化的方法,以封装工艺中键合的实际键合效率为依据,得出了关于封装中底部压块设计的最优方案,以确保 CMOS 图像芯片封装可以稳定高效地完成。

应用QFN封装的CMOS运算放大器芯片设计

设计了一种提高晶圆利用率和产出的小尺寸CMOS运算放大器贴片封装工艺。采用两级放大电路实现大功率输出,按照CMOS制造工艺要求,在16μm×16μm设计折叠型7层版图的集成电路,按照QFN封装的特点增加散热能力。测试结果证明,该设计电性能好,达到CMOS制造工艺的技术要求。这种创新设计的版图面积和芯片体积小、质量轻、集成度高,可降低芯片的工业制造成本,对解决晶圆利用率低和产出低的问题具有实践价值。

CMOS sensor图像处理芯片在手机开发平台上的应用

在分析了手机数码相机的两种图像传感器CCD和CMOS之间区别的基础上,选用CMOS图像处理器进行手机开发.阐述了CMOS图像处理器的工作原理和工作流程,由于CMOS集成度高,它在功耗、大小、系统及成本上有竞争优势.

基于FPGA的晶圆级芯片封装图像序列配准方法的设计与实现

针对未切割晶圆进行封装后的晶圆级芯片封装(WLCSP),12英寸晶圆以1μm物理分辨率进行自动光学检测(AOI)面临大幅面、高质量成像和成像速度的技术挑战。晶圆全局图像需由多幅扫描生成的局部图像序列拼接而成,为实现图像序列的高质量、高速配准,在FPGA中采用OpenCL实现相位相关法进行四邻域棋盘配准。首先在构建二维FFT和互功率谱函数内核的基础上,采用双端口缓存和行缓存的设备全局内存对计算过程的频谱数据进行复用并应用内核通道级联提高配准速度,基于最小生成树优化配准结果降低全局图像坐标计算的累积误差,并经实际扫描图像验证配准算法及加速性能。

思特威推出1300万像素手机应用CMOS图像传感器升级新品

思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213),正式推出Cellphone Sensor(CS)Series手机应用1300万像素图像传感器产品——SC1320CS。此款背照式(BSI)图像传感器新品拥有23.61mm2超小芯片尺寸,搭载思特威独特的SmartClarity?-3技术,具备高感度、高动态范围、优异噪声控制等性能优势,可为智能手机后置主摄、后置超广角及前摄应用带来非凡质感影像。

一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装

采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验。结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脉冲上升沿为2.3 ns,下降沿为2.5 ns,开关时间为10.6 ns。将WLCSP的驱动器安装至厚度为1 mm的FR4基板上,对其进行温度冲击试验及振动试验后,凸点正常无裂痕。无下填充胶时剪切力为20 N,存在下填充胶时,剪切力为200 N。

一种CMOS图像传感器封装过程中污染物控制方法

提出了一种CMOS图像传感器封装过程中污染物的控制方法。结合手机摄像头用CMOS图像传感器封装工程中污染物控制的实例,详细介绍了在CMOS图像传感器封装过程中污染物的查找,分析和改善的方法,以达到控制污染物的目的。

浅析CMOS图像传感器晶圆级封装技术

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)正向着高速、大像素和低成本的方向发展,近年来晶圆级封装技术由于其小型化、低成本的优点受到广泛关注。根据结构和应用领域的不同,详细介绍了基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术的多种CIS晶圆级封装技术,并介绍和分析不同技术的应用场景和存在的挑战。

CMOS图像传感器的光学晶圆级封装

光学晶圆级封装技术结合了传统的晶圆级技术和专门的玻璃合成与光学技术。

25亿CMOS图像传感器芯片项目开创南京新产业板块

德科码＂CMOS图像传感器芯片（CIS）产业园＂项目近日正式落户南京开发区。该项目总投资约25亿美元,建成后将填补中国CIS产业的空白,主导中国的CIS市场。

格科：CMOS图像传感器芯片引领中低端市场

格科微电子（上海）有限公司是由多名硅谷归国技术人员于2003年12月创立的外商独资企业，主要从事CMOS图像传感器的设计开发和销售。

基于I^2C总线的CMOS图像传感器接口电路设计

详细阐述了一种用于百万像素数码相机的 CMOS 图像传感器接口电路设计及其 VLSI 实现;文章按照数码相机的功能要求进行整体设计,由上而下讨论了各个子模块的设计,并给出了电路的 FPGA 验证;本设计作为数码相机专用芯片的一部分用 0.6 μ m 工艺实现。

CMOS图像传感器关键技术及其新进展

阐述了CMOS图像传感器芯片的基本现状,给出了目前应用在民用相机上存在的固定图形噪声、暗电流噪声以及像素间串扰等问题的解决方法与对策。并通过对CMOS图像传感器的新技术进行探讨,预测了CMOS图像传感器的应用前景与发展前途。

数字图像相关方法在板载芯片封装热变形测量中的应用

针对板载芯片封装结构中由于各层材料热膨胀系数的差异引起的热失配现象,利用数字图像相关方法对板载芯片封装结构在热载荷下的表面热变形分布进行实验测量,并比较了不同封装配置对结构热变形的影响.建立了适于求解结构表面热变形分布的理论模型,利用实验结果和有限元模拟验证了理论模型.同时表明了实验方法的有效性和可行性,为微机电系统器件设计提供了有益的参考.

基于FPGA的CMOS数字图像传感器数据检测系统设计

为了在视觉检测中实现对数据的高速采集与传输,本文提出了一种基于CMOS数字图像传感器,FPGA,DSP和以太网接口芯片的实时视觉检测方案。系统主要利用高性能FPGA芯片作为硬件平台。介绍了系统硬件电路和FPGA软件程序的设计方案和工作流程。在实验室环境下进行检测试验,系统工作正常。

基于uC/OS-II的CMOS数字图像传感器数据检测系统

为了在视觉检测中实现对数据的实时采集、处理与传输,提出了一种基于uC/OS-II实时操作系统的实时视觉检测方案。系统主要利用CMOS摄像机、高性能CPLD、ARM7芯片以及以太网接口芯片作为硬件平台。介绍了系统硬件电路和uC/OS-II软件程序的设计方案和工作流程。在实验室环境下进行检测试验,系统工作正常。

CMOS图像传感器接口

文中介绍基于ARM core的SOC芯片中CMOS图像传感器接口IP模块的设计方案。该IP模块连接在AHB总线和外部的CMOS图像传感器之间,完成对高速图像数据的采集和传输,并能够为后续的图像处理提供统计数据。经过验证,该模块可以完成每帧200万像素的图像数据传输。