一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源

通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发，获取负温系数电压，实现负温系数电流获取新方法，发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消，从而优化电源电压调整率的新概念，提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0．35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明，在-40-85℃温度范围内，温度系数为6．9ppm／℃；3．0～3．6V电压区间，电源电压调整率系10．6ppm／V，低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA／D转换器的研究设计，并可望应用于高精度模拟／混合信号系统的开发。

几种典型的电流源结构和高精度基准电流源的设计

本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源。在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压—电流转换电路获得稳定的基准电流。HSPICE的仿真结果表明:当温度从-55℃到125℃变化时,电流输出仅变化了0.004。