两种新型CMOS带隙基准电路

文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置电压,使基准电压不受电源电压变化的影响。其中一种电路,还通过两个串联二极管的原理提高ΔVBE,从而减小了运放失调的影响。仿真结果表明,在工艺偏差、电源电压变化±10%以及温度在-20至125℃范围内变化的情况下,两种CMOS带隙基准的输出电压分别是1.228±0.003V和1.215±0.003V,温度系数仅为33.7ppm/℃和34.1ppm/℃;在电源电压分别大于2V和2.8V时,电源电压的变化对这两种基准的输出电压几乎没有影响;在3.3v电源电压下两个电路的功耗分别小于0.1mW和0.34mW。

一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计

文章介绍了一种0.35滋m工艺制作的能隙基准电压源电路。该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点。该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中。

一种-100dB电源抑制比的非带隙基准电压源

该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0．35umCMOS工艺设计并流片，测试结果表明，该电路的工作电源电压为1．8μV，静态电流约为13μA。低频处电源抑制比（PSRR）约等于-100dB，在小于1kHz频率范围内PSRR均优于-93dB。并且其片上面积仅为0．013mm2。

适用于高精度ADC的高精度低噪声基准源

提出了一种适用于高精度ADC的高精度低噪声CMOS带隙基准电路结构,通过一路恒流源作用在二极管来实现高阶曲率补偿技术,改善了传统基准电路结构在全温区电压温度系数大的问题。对于放大器的随机失配电压造成的输出电压漂移问题,采用斩波技术消除。该结构采用了TSMC 0.18μm工艺,在5 V电源电压下工作,功耗在典型条件下为1.2 mW,电路面积为0.245 mm^(2)。测试结果显示,通过一次室温修调后,在-40℃到85℃温度区间电路的温度系数可以达到1.2×10^(-6)/℃。