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集成于UHF RFID的低功耗CMOS温度传感器设计
1
作者
侯路锦
韩梦
李玮琳
《电子制作》
2024年第20期8-10,22,共4页
当前的低功耗CMOS温度传感器振荡装置接入多为单一接入,形式较为简单,传感的速度较慢,导致温度感应误差增加,为此提出对集成于UHF RFID的低功耗CMOS温度传感器设计。根据当前需求,先设计感温单元,并以环形的方式,提升传感的速度,建立环...
当前的低功耗CMOS温度传感器振荡装置接入多为单一接入,形式较为简单,传感的速度较慢,导致温度感应误差增加,为此提出对集成于UHF RFID的低功耗CMOS温度传感器设计。根据当前需求,先设计感温单元,并以环形的方式,提升传感的速度,建立环形振荡装置。以此为基础,接入UHF RFID分频装置,并采用CFC联仿稳定处理的方式来实现温度传感器设计。测试结果表明:相较于S型电磁超材料温度传感器、FinFET器件结构高精度温度传感器,此次的集成UHF RFID低功耗CMOS温度传感器最终得出的温度感应误差相对较小,这说明本次在UHF RFID的辅助下,设计的低功耗CMOS温度传感器覆盖范围大,对应的温度传感效率得到了进一步提高,具有实际的应用价值和验证意义。
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关键词
UHF
RFID
低功耗
cmos处理
温度传感器
感应识别
传感装置接入
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职称材料
180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析
被引量:
3
2
作者
刘一宁
杨亚鹏
+3 位作者
陈法国
张建岗
郭荣
梁润成
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期61-66,共6页
针对特征工艺尺寸为180 nm的互补金属氧化物半导体微处理器进行了^(60)Co在线电离辐照实验,找出了片内对辐照效应敏感的外设,分析了其对总剂量效应敏感的原因,详细介绍了处理电离辐照实验数据的方法。对比了片内闪存存储器、定时器、通...
针对特征工艺尺寸为180 nm的互补金属氧化物半导体微处理器进行了^(60)Co在线电离辐照实验,找出了片内对辐照效应敏感的外设,分析了其对总剂量效应敏感的原因,详细介绍了处理电离辐照实验数据的方法。对比了片内闪存存储器、定时器、通用同步/异步收发器、模拟数字转换器及通用输入输出等外设对在线辐照的敏感程度。结果表明:对总剂量效应最敏感的功能是片内闪存存储器的写入功能,原因是电荷泵失效。建立了片内闪存存储器由于总剂量效应导致写入失效的统计概率模型,分析了模型参数的物理意义。结果表明:在63.3~97.3 Gy(Si)·h^(-1)剂量率下,该失效的概率关于总剂量的变化适合用三参数威布尔分布描述。
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关键词
cmos
微
处理
器
总剂量效应
在线实验
概率分布
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职称材料
基于CMOS微处理器的实验室监控智能控制系统设计
3
作者
戴美玲
《智能计算机与应用》
2023年第7期85-88,共4页
针对智能控制精准度不高,影响实验室科研效果的问题,设计基于CMOS微处理器的实验室监控智能控制系统。硬件方面,设计CMOS微处理器与HS1101湿度传感器。软件方面,构建实验室智能监控系统软件架构,设计软件整体结构;设计出监控目标控制算...
针对智能控制精准度不高,影响实验室科研效果的问题,设计基于CMOS微处理器的实验室监控智能控制系统。硬件方面,设计CMOS微处理器与HS1101湿度传感器。软件方面,构建实验室智能监控系统软件架构,设计软件整体结构;设计出监控目标控制算法,提高实验室监控智能控制效果,进而实现实验室监控的精准控制。采用系统测试的方式,验证了该系统在精确度、响应速度等方面优于现有系统,可显著提升实验室管理的智能化水平。
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关键词
cmos
微
处理
器
实验室
智能监控
控制系统
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职称材料
Vishay新添DG2000系列低压模拟开关
4
《电子产品世界》
2003年第09B期92-92,共1页
关键词
Vishay公司
DG2000系列
低压模拟开关
封装
cmos处理
技术
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职称材料
双层螺旋RF MEMS电感的模拟与设计
5
作者
武锐
廖小平
《电子器件》
CAS
2007年第5期1563-1566,1570,共5页
分析了双层螺旋电感的等效电路模型,研究了一种与传统CMOS工艺兼容的MEMS工艺,通过腐蚀电感结构下的硅衬底使电感悬空.利用HFSS软件对一些双层螺旋微电感进行了模拟,模拟结果表明,相比传统单层电感,双层电感可以减少60%的芯片面积,10nH...
分析了双层螺旋电感的等效电路模型,研究了一种与传统CMOS工艺兼容的MEMS工艺,通过腐蚀电感结构下的硅衬底使电感悬空.利用HFSS软件对一些双层螺旋微电感进行了模拟,模拟结果表明,相比传统单层电感,双层电感可以减少60%的芯片面积,10nH的电感也只需要很小的面积,经过MEMS后处理的双层螺旋电感的最大Q值都超过了20.
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关键词
MEMS
双层电感
Q值
cmos
后
处理
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职称材料
三星电子宣布与IBM等结盟合作开发45纳米技术
6
《现代表面贴装资讯》
2004年第2期18-18,共1页
关键词
三星电子公司
IBM公司
纳米技术
cmos
逻辑
处理
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职称材料
题名
集成于UHF RFID的低功耗CMOS温度传感器设计
1
作者
侯路锦
韩梦
李玮琳
机构
长春工业大学人文信息学院
出处
《电子制作》
2024年第20期8-10,22,共4页
文摘
当前的低功耗CMOS温度传感器振荡装置接入多为单一接入,形式较为简单,传感的速度较慢,导致温度感应误差增加,为此提出对集成于UHF RFID的低功耗CMOS温度传感器设计。根据当前需求,先设计感温单元,并以环形的方式,提升传感的速度,建立环形振荡装置。以此为基础,接入UHF RFID分频装置,并采用CFC联仿稳定处理的方式来实现温度传感器设计。测试结果表明:相较于S型电磁超材料温度传感器、FinFET器件结构高精度温度传感器,此次的集成UHF RFID低功耗CMOS温度传感器最终得出的温度感应误差相对较小,这说明本次在UHF RFID的辅助下,设计的低功耗CMOS温度传感器覆盖范围大,对应的温度传感效率得到了进一步提高,具有实际的应用价值和验证意义。
关键词
UHF
RFID
低功耗
cmos处理
温度传感器
感应识别
传感装置接入
分类号
TP212.6 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析
被引量:
3
2
作者
刘一宁
杨亚鹏
陈法国
张建岗
郭荣
梁润成
机构
中国辐射防护研究院
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第3期61-66,共6页
文摘
针对特征工艺尺寸为180 nm的互补金属氧化物半导体微处理器进行了^(60)Co在线电离辐照实验,找出了片内对辐照效应敏感的外设,分析了其对总剂量效应敏感的原因,详细介绍了处理电离辐照实验数据的方法。对比了片内闪存存储器、定时器、通用同步/异步收发器、模拟数字转换器及通用输入输出等外设对在线辐照的敏感程度。结果表明:对总剂量效应最敏感的功能是片内闪存存储器的写入功能,原因是电荷泵失效。建立了片内闪存存储器由于总剂量效应导致写入失效的统计概率模型,分析了模型参数的物理意义。结果表明:在63.3~97.3 Gy(Si)·h^(-1)剂量率下,该失效的概率关于总剂量的变化适合用三参数威布尔分布描述。
关键词
cmos
微
处理
器
总剂量效应
在线实验
概率分布
Keywords
cmos
microprocessor
Total ionizing dose effect
On-line testing
Probability distribution
分类号
TL99 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
基于CMOS微处理器的实验室监控智能控制系统设计
3
作者
戴美玲
机构
南京审计大学实验中心
出处
《智能计算机与应用》
2023年第7期85-88,共4页
基金
南京审计大学教改课题(2022JG061)。
文摘
针对智能控制精准度不高,影响实验室科研效果的问题,设计基于CMOS微处理器的实验室监控智能控制系统。硬件方面,设计CMOS微处理器与HS1101湿度传感器。软件方面,构建实验室智能监控系统软件架构,设计软件整体结构;设计出监控目标控制算法,提高实验室监控智能控制效果,进而实现实验室监控的精准控制。采用系统测试的方式,验证了该系统在精确度、响应速度等方面优于现有系统,可显著提升实验室管理的智能化水平。
关键词
cmos
微
处理
器
实验室
智能监控
控制系统
Keywords
cmos
microprocessor
laboratory
intelligent monitoring
control system
分类号
TP277 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
Vishay新添DG2000系列低压模拟开关
4
出处
《电子产品世界》
2003年第09B期92-92,共1页
关键词
Vishay公司
DG2000系列
低压模拟开关
封装
cmos处理
技术
分类号
TM564 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
双层螺旋RF MEMS电感的模拟与设计
5
作者
武锐
廖小平
机构
东南大学MEMS教育部重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
2007年第5期1563-1566,1570,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60676043)
文摘
分析了双层螺旋电感的等效电路模型,研究了一种与传统CMOS工艺兼容的MEMS工艺,通过腐蚀电感结构下的硅衬底使电感悬空.利用HFSS软件对一些双层螺旋微电感进行了模拟,模拟结果表明,相比传统单层电感,双层电感可以减少60%的芯片面积,10nH的电感也只需要很小的面积,经过MEMS后处理的双层螺旋电感的最大Q值都超过了20.
关键词
MEMS
双层电感
Q值
cmos
后
处理
Keywords
MEMS
Double-layer Spiral Inductor
quality factor
post-
cmos
process
分类号
TM55 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
三星电子宣布与IBM等结盟合作开发45纳米技术
6
出处
《现代表面贴装资讯》
2004年第2期18-18,共1页
关键词
三星电子公司
IBM公司
纳米技术
cmos
逻辑
处理
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集成于UHF RFID的低功耗CMOS温度传感器设计
侯路锦
韩梦
李玮琳
《电子制作》
2024
0
下载PDF
职称材料
2
180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析
刘一宁
杨亚鹏
陈法国
张建岗
郭荣
梁润成
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
下载PDF
职称材料
3
基于CMOS微处理器的实验室监控智能控制系统设计
戴美玲
《智能计算机与应用》
2023
0
下载PDF
职称材料
4
Vishay新添DG2000系列低压模拟开关
《电子产品世界》
2003
0
下载PDF
职称材料
5
双层螺旋RF MEMS电感的模拟与设计
武锐
廖小平
《电子器件》
CAS
2007
0
下载PDF
职称材料
6
三星电子宣布与IBM等结盟合作开发45纳米技术
《现代表面贴装资讯》
2004
0
下载PDF
职称材料
已选择
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