CMOS射频集成电路的研究进展

近年来,射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展,CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨,着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案;分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展;展望了CMOS技术在射频领域的发展前景。

CMOS射频集成电路的现状与进展

随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高 ,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能 .本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题 .首先介绍各种收发器的体系结构 ,对它们的优缺点进行比较 ,指出在设计中要考虑的一些问题 .其次讨论CMOS射频前端的重要功能单元 ,包括低噪声放大器、混频器、频率综合器和功率放大器 .对各单元模块在设计中的技术指标 ,可能采用的电路结构以及应该注意的问题进行了讨论 .此外 ,论文还讨论了射频频段电感、电容等无源器件集成的可能性以及方法 .最后对CMOS射频集成电路的发展方向提出了一些看法 .

基于CMOS工艺的射频集成电路ESD保护研究

随着工艺特征尺寸的缩小，射频集成电路承受的静电放电（ESD）问题日趋变得复杂。保护电路与被保护核心电路的相互影响，已经成为制约射频集成电路发展的一个障碍。本文主要研究CMOS工艺下，ESD保护电路与被保护核心电路之间的相互影响的作用机理，提出研究思路，并对射频集成电路ESD保护电路的通用器件作出评价。

CMOS射频集成电路:成果与展望

CMOS射频集成电路的研究和制作将大大拓展集成电路的应用空间。文章介绍了采用CMOS工艺集成射频电路研究中所取得的成果 ,评述了其中存在的问题。

CMOS射频集成电路的最新进展和应用

本文介绍RF(射频)CMOS集成电路的最新进展和应用。着重于深亚微米CMOS技术在实现高端射频(几十GHz频带)集成系统方面的潜能。首先,综述CMOS技术的主要特点,继而介绍CMOS射频集成电路的最新进展.其中有63GHz的毫米波段的CMOS压控振荡器,数据速率达50Gb/s的2:1多路复用器,40GHzCMOS低功耗注入锁定分频器,24GHzCMOS射频前端和17GHzISM/WLAN的CMOS射频前端等。同时,介绍CMOS射频集成电路的几种主要应用,如无线局域网和射频识别等。

体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现

制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RFIC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容。

《CMOS射频集成电路设计》本科教学的几点思考

结合教学实践,本文从如何让学生走进课堂、如何提高学生学习兴趣、如何让学生成为课堂的主人、让学生走上讲台、实践教学、鼓励学生参与及申请科研项目等几方面讨论了《CMOS射频集成电路设计》本科教学的几点体会。教学实践证明,这些措施可以有效地提高教学质量。

CMOS射频集成电路中器件模型的研究

采用硅材料CMOS工艺制造的射频集成电路具有低功耗、低成本和容易集成的优点。文章讨论了CMOS射频集成电路设计和制造中起关键作用的MOSFET高频模型和螺旋电感模型。为了验证模型,介绍了射频集成电路中的核心模块—低噪声放大器(LNA)—的设计实例。测试结果表明,该模型具有高效、实用的特点。

纳米尺度互连线寄生参数的仿真及应用于CMOS射频集成电路设计

本文给出了一种应用于电路版图仿真的互连线寄生参数模型。该模型基于物理现象的集总参数模型,模型各个参数都可以采用电磁场仿真软件提取得到。文中分析了模型的仿真精度,并通过仿真显示该模型有效性。最后,对该互连线的寄生参数模型应用于CMOS集成电路设计的流程进行了讨论分析。分析表明在集成电路设计中采用该模型可以根据电路设计要求进行调整互连线的尺寸,并可将互连线参数作为电路设计的一部分进行综合考虑,有助于提高电路综合性能。

在CMOS射频集成电路设计中对稳定性的分析

本文详细分析了用于射频集成电路设计的MOS场效应管(MOSFET)的稳定特性。利用米勒(Miller)效应和y参数两种方法对MOSFET的稳定特性做了定性和定量的理论分析,并给出了理论分析和实际仿真的对比结果,从中可看出理论分析和仿真结果完全相符。最后,本文以一个工作于2.4GHz,0.5μm工艺的低噪声放大器(LNA)设计为例,给出了在具体电路设计中,提高整个电路稳定性的方法。

低功耗CMOS射频集成电路的设计与研究

文章介绍了目前CMOS射频集成电路中低功耗技术研究所取得的几种成果,评述了其中存在的问题。最后指出了该领域中未来的研究方向。

CMOS射频集成电路的现状与进展分析

基于CMOS射频集成电路在通信技术发展的重要基础,它是通信领域的研究热点。论述CMOS射频集成电路的研究成果,CMOS射频集成电路中的功能单元,及其未来发展的展望。

一种新的SOI射频集成电路结构与工艺

立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案。该方案只使用9块掩模版即完成了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成。经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件的数值模拟和体硅衬底电感的初步实验,获得了良好的有源和无源器件特性,证明这一简洁的集成工艺方案是可行的。

射频集成电路模拟的包络方法

介绍了特别适合于分析数字调制信号激励的RFIC(射频集成电路 )的方法 :包络分析法。该方法对慢变化的包络分量作瞬态分析 ,而在瞬态分析的每一个时间点上用谐波平衡法求解关于快信号的响应 ,包络瞬态分析的时间步长不受快信号变化速率的限制 ,所以 ,可以准确而高效地求解RF电路中的一些问题。介绍了方法的基本原理 ,给出了具体的分析流程 ,并用实际电路 (混频器、振荡器 )的分析结果说明了此方法的特点。

鼎芯推出我国首款完整射频集成电路芯片

鼎芯半导体公司(Comlent)近日宣布开发出我国首款用于PHS／PAS(俗称“小灵通”)手机的完整射频集成电路(RFIC)收发器和功率放大器(PA)芯片组。据介绍，这两款编号分别为CL3110和CL3503的收发器和功率放大器在手机设计电路板方面达到或超过STD-28PHS国际标准要求。其中，CL3110收发器集成了VCO和小数分频PLL，无需大多数现有收发解决方案所要求的外置SAW滤波器。

CMOS射频电路的发展趋势

本文介绍目前正在研发、将来终将成为主流射频收发器的CMOS射频电路的体系结构和电路设计,设计实例将展示CMOS射频电路的良好性能,并预示CMOS射频集成电路取代砷化镓和SiGe电路实现系统集成。

IBM即将发布2GHz石墨烯集成电路未来有可能取代CMOS电路

据美国科技媒体报道．IBM计划在今年12月份在美国华盛顿举办的国际电子器件会议上．介绍其采用CMOS兼容工艺制造的2GHz石墨烯实验型射频集成电路．