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用于MEMS红外传感器的集成低噪声CMOS接口电路设计
被引量:
5
1
作者
姚镭
郝跃国
+2 位作者
李铁
熊斌
王跃林
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期2203-2206,共4页
实现了一种应用于采集MEMS红外传感器微弱信号的低噪声CMOS接口电路.该电路应用了斩波技术(CHS),对斩波技术中抑制低频噪声的效率分析表明其可以有效降低低频噪声.利用苏州和舰科技(HJTC)的商用0.18μmCMOS工艺流程制作的试样芯片.测试...
实现了一种应用于采集MEMS红外传感器微弱信号的低噪声CMOS接口电路.该电路应用了斩波技术(CHS),对斩波技术中抑制低频噪声的效率分析表明其可以有效降低低频噪声.利用苏州和舰科技(HJTC)的商用0.18μmCMOS工艺流程制作的试样芯片.测试结果证实了此电路的工作原理.整个斩波放大系统的增益为84.9dB,带宽160Hz,等效输入噪声87nV/rtHz.
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关键词
cmos接口电路
单片集成MEMS
斩波技术
红外传感器
下载PDF
职称材料
基于高性能黑硅MEMS热电堆的激光功率测试方法
被引量:
6
2
作者
李竞男
鲍爱达
秦丽
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2016年第11期280-285,共6页
针对传统激光功率计体积庞大、响应速度慢且检测精度难以保证的缺陷,提出了一种基于高性能黑硅MEMS热电堆的激光功率测试方法。该测试方法利用激光的热效应,以CO2激光器为被测激光光源,黑硅MEMS热电堆探测器为激光探测传感器。根据能量...
针对传统激光功率计体积庞大、响应速度慢且检测精度难以保证的缺陷,提出了一种基于高性能黑硅MEMS热电堆的激光功率测试方法。该测试方法利用激光的热效应,以CO2激光器为被测激光光源,黑硅MEMS热电堆探测器为激光探测传感器。根据能量转换原理,热电堆吸收激光辐射的能量转换为自身热力学能,热力学能以电压的形式输入CMOS接口电路。通过TopView2000通用虚拟仪器应用软件采集和处理数据,获得激光功率相关数据。在室温条件下,对MEMS热电堆激光功率检测系统在不同占空比和不同出光时间的CO2激光照射下,进行重复实验。结果表明,在激光输出占空比为30%、总出光时间为150 ms条件下,系统热响应时间为14.92ms,计算出激光功率值为23.01 W,测量相对偏差为0.55%,满足了实际应用中对激光功率高精度、低成本、低功耗、强便携性等的需求。
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关键词
光
电
子学
光
电
检测
激光功率测量
cmos接口电路
黑硅MEMS热
电
堆探测器
原文传递
题名
用于MEMS红外传感器的集成低噪声CMOS接口电路设计
被引量:
5
1
作者
姚镭
郝跃国
李铁
熊斌
王跃林
机构
传感技术联合国家重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期2203-2206,共4页
基金
国家973项目课题支持(2006CB300406)
文摘
实现了一种应用于采集MEMS红外传感器微弱信号的低噪声CMOS接口电路.该电路应用了斩波技术(CHS),对斩波技术中抑制低频噪声的效率分析表明其可以有效降低低频噪声.利用苏州和舰科技(HJTC)的商用0.18μmCMOS工艺流程制作的试样芯片.测试结果证实了此电路的工作原理.整个斩波放大系统的增益为84.9dB,带宽160Hz,等效输入噪声87nV/rtHz.
关键词
cmos接口电路
单片集成MEMS
斩波技术
红外传感器
Keywords
cmos
interface circuit
monolithic MEMS
chopper technique
infrared sensor
分类号
TP212.14 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
基于高性能黑硅MEMS热电堆的激光功率测试方法
被引量:
6
2
作者
李竞男
鲍爱达
秦丽
机构
中北大学仪器与电子学院
中北大学电子测试技术国防科技重点实验室
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2016年第11期280-285,共6页
基金
国家自然科学基金(51375463)
山西省自然科学基金(2014011021-5)
文摘
针对传统激光功率计体积庞大、响应速度慢且检测精度难以保证的缺陷,提出了一种基于高性能黑硅MEMS热电堆的激光功率测试方法。该测试方法利用激光的热效应,以CO2激光器为被测激光光源,黑硅MEMS热电堆探测器为激光探测传感器。根据能量转换原理,热电堆吸收激光辐射的能量转换为自身热力学能,热力学能以电压的形式输入CMOS接口电路。通过TopView2000通用虚拟仪器应用软件采集和处理数据,获得激光功率相关数据。在室温条件下,对MEMS热电堆激光功率检测系统在不同占空比和不同出光时间的CO2激光照射下,进行重复实验。结果表明,在激光输出占空比为30%、总出光时间为150 ms条件下,系统热响应时间为14.92ms,计算出激光功率值为23.01 W,测量相对偏差为0.55%,满足了实际应用中对激光功率高精度、低成本、低功耗、强便携性等的需求。
关键词
光
电
子学
光
电
检测
激光功率测量
cmos接口电路
黑硅MEMS热
电
堆探测器
Keywords
optoelectronics
photoelectric detection
laser power measurement
cmos
interface circuit
black silicon MEMS thermopile detector
分类号
TH247 [机械工程—机械制造及自动化]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于MEMS红外传感器的集成低噪声CMOS接口电路设计
姚镭
郝跃国
李铁
熊斌
王跃林
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
下载PDF
职称材料
2
基于高性能黑硅MEMS热电堆的激光功率测试方法
李竞男
鲍爱达
秦丽
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2016
6
原文传递
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