基于斩波技术的CMOS运算放大器失调电压的消除设计

实现传感器系统的高分辨率,要求其内部运算放大器具有低失调电压和低噪声的性能,为此介绍了一种可减少运算放大器的失调电压和低频噪声的斩波技术,并基于该技术进行温度传感器中CMOS运算放大电路失调电压的消除设计,最后通过SPICE仿真分析来权衡电路各参数的设定。

低电压满电源幅度CMOS运算放大器设计

回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了解该类运放的各自特点和发展趋势 ,为数模混合设计和系统级集成设计中采用何种运放结构提供了参考。在此基础上 ,提出了一种共模偏置电压具有严格的对称性能的新型满电源幅度运算放大器结构。

一种高共模输入范围高输出电压摆幅的CMOS运算放大器

本文报道了一种具有高共模输入范围和高输出电压摆幅的ＣＭＯＳ运算放大器。为了达到高的共模输入电压范围，使用了互补差分对。输出级采用了ＡＢ类推挽输出以获得高的输出摆幅。计算机模拟结果表明，运算放大器具有７３ｄＢ的开环增益。在电源电压为±５Ｖ时，负载电阻为１０ｋΩ，输出电压摆幅为±４．８Ｖ。

一款低电压高精度CMOS运算放大器设计

设计了一种采用0.6um CMOS工艺的低电压高精度的运算放大器电路。在设计中输入级采用两对跨导器件rail-to-rail的电路结构,从而实现输入级的跨导在整个共模输入范围内保持恒定。输出级采用AB类rail-to-rail推挽结构,达到高驱动能力和低谐波失真的目的。此运放可提供1.5V电压降,采用适当的输出负载,闭环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了80dB,832kHz和64°。

低电压CMOS模拟集成运算放大器输入级的研究

对于低电压 CMOS模拟集成运算放大器输入级所面临的问题 ,我们提出了三种解决的方法 ,其中包括输出为Rail-to-Rail的差分输入放大电路 ,差分输入的互导为恒定值的差分输入电路 (假设 KN=KP)和差分输入的互导为常数的差分输入电路 ( KN≠ KP)。分别对三种方法进行了详细的分析和讨论 ,最后 ,提出了低电压

低电压CMOS模拟集成运算放大器输入级的研究

介绍低电压CMOS模拟集成运算放大器输入级所面临的问题以及解决的方法。

低电压CMOS运算放大器输入级的研究

产品的小型化需要低电压、低功耗的集成电路,CMOS技术可以将模拟和数字集成在一起,数字电路易满足要求,但模拟电路会产生许多问题。本文介绍低电压CMOS模拟集成运算放大器输入级所面临的问题以及解决的方法。

一种低电压低功耗Rail-to-Rail CMOS运算放大器的设计

基于2μm CMOS工艺,设计实现了一种2.4 V低功耗带有恒跨导输入级的Rail-to-Rail CMOS运算放大器。采用尾电流溢出控制的互补差分输入级和对称AB类推挽结构的输出级,实现了满电源幅度的输入输出和恒输入跨导;运用折叠共源共栅结构作为中间增益级,实现电流求和放大。整个电路在2.4 V的单电源供电下进行仿真,直流开环增益为76.5 dB,相位裕度为67.6,单位增益带宽为1.85 MHz。

CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析

通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性、各节点电流、电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化 ,探讨了引起运放电特性退化的主要原因。结果显示 ,由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称 ,在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配 ,是导致运放电参数发生剧变的根本原因。对CMOS运放电路来说 ,电路结构的匹配及MOSFET单管I -V特性的优劣 ,是决定运放抗辐射能力的关键。

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。

精密低噪声CMOS轨-轨运算放大器AD8605/AD8606/AD8608

AD8605/AD8606/AD8608是美国ADI公司推出的单/双/四轨-轨输入输出单电源供电运算放大器,是目前精度最高的CMOS型运算放大器,该器件具有低失调电压、低噪声、低输入偏置电流、宽带宽和低失真等特性。可广泛用于滤波电路、集成电路、光电二极管放大器和音频电路中。

低功耗CMOS两级运算放大器的设计与分析

在IC电路设计中,功耗问题越来越受到重视。因此提出一种工作在亚阈值电压范围内的低功耗CMOS两级运放的设计方法,并对电路的参数和性能做深入分析是很必要的。对电路进行仿真的结果显示,与传统的工作在饱和区的放大器电路相比,工作在压阈值条件下的电路功耗明显降低。

CMOS运算放大器的设计与Cadence仿真

本文根据运算放大器的设计要求(开环电压增益、相位裕度),分析了CMOS运算放大器的性能参数,设计出器件的几何尺寸,最后通过Cadence仿真得到性能指标的仿真结果。

低电压高精度低噪声运算放大器AD8656/AD8655及其应用

AD8656/AD8655是美国模拟器件公司推出的低噪声精密CMOS运算放大器。该器件采用+2.7～+5.5V低电压供电,很适合应用在便携式仪器仪表、音频、通信和医学系统设计中。文中主要介绍了AD8656/AD8655的主要特点及其应用设计方法。

TI推出12V CMOS运算放大器OPA727

德州仪器(TI)日前宣布推出高精度、高速12V CMOS运算放大器OPA727。它采用TI新型微调技术e-trim，能够在制造的最终阶段对失调电压及温度漂移进行校准，避免在塑封过程中出现的参数转移。OPA727特别适用于那些要求动态特性的应用领域，如有源滤波器、互阻抗放大器、音频等。

高精度微型CMOS运算放大器

凌特公司推出低噪声、高精度CMOS运算放大器系列的最新成员LTC6244。LTC6244是一个双路运算放大器，并具有可挑战精密双极放大器的5OMHz增益带宽和输入特性，并提供了其它放大器所无法提供的突破性性能。它在整个工业温度范围内可保证最大失调电压仅为300μV，可与同类其它放大器在25℃时的参数相媲美。

低噪声CMOS运算放大器

LMR1802G-LB融合ROHM的“电路设计”、“工艺”、“布局”三大模拟技术优势开发而成,是一款等效输入电压噪声密度仅为市场流通产品的1/2左右(1kHz时2.9nV/√Hz,10Hz时7.8nV/√Hz)、低噪声性能具有绝对优势、传感器信号检测性能显著提升的运算放大器。另外,与低噪声性能呈矛盾关系的相位裕量和容性负载驱动也分别实现了业界顶级性能(相位裕量68°,容性负载500pF),还是一款具备业界顶级的低噪声性能,并具有优异稳定性(不易振荡,易于操作)的运放产品。这使得准确地放大仅几μV的电压也成为可能,非常有助于促进需要高精度感测的工业设备和家电发展。

TI高精度CMOS放大器采用e-trim专利技术设计

德州仪器(TI)推出的高精度、高速12VCMOS运算放大器—OPA727，带宽为20MHz、压摆率为30V／μs、建立时间为600ns、噪声为6nV／rtHz，谐波失真只有0．0003％。由于采用e-trim技术而设计，所以该新品能够在制造的最终阶段对失调电压及温度漂移进行校准。非常适用于有源滤波器、互阻抗放大器、音频、测试设备以及过程控制等要求出色动态特性的应用领域。www．ti．

凌力尔特公司微型运算放大器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出低噪声、高精度CMOS运算放大器系列的最新成员LTC6244。LTC6244采用了独特的架构，具有8nV／√Hz的低噪声和仅为2．1pF的输入电容。除最小的电压增益误差外，LTC6244还具有卓越的DC精度。在25℃条件下，它具有1pA的偏置电流和低于100uV的输入失调电压。偏压漂移保证低于2．5uV／℃，