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一种启动电流为0的CMOS低功耗低成本电流源
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作者 陈斯 恽廷华 《信息化研究》 2009年第3期10-12,共3页
根据传统电流源结构,设计了一种启动电流为0的CMOS低功耗电流源。电流源的启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,电路正常工作后启动电路会自动关断。仿真结果显示电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为0,整个电路功耗24.9μW。这种结构... 根据传统电流源结构,设计了一种启动电流为0的CMOS低功耗电流源。电流源的启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,电路正常工作后启动电路会自动关断。仿真结果显示电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为0,整个电路功耗24.9μW。这种结构降低了整个电路的功耗,大大节省了芯片面积。电路基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,电源电压1.8 V,仿真软件为Hspice。 展开更多
关键词 cmos电流源 启动电路 耗尽型MOSFET 低功耗
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一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源 被引量:5
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作者 刘国庆 于奇 +4 位作者 刘源 宁宁 何波 罗静芳 杨谟华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期763-766,共4页
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μ... 通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明,在-40-85℃温度范围内,温度系数为6.9ppm/℃;3.0~3.6V电压区间,电源电压调整率系10.6ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA/D转换器的研究设计,并可望应用于高精度模拟/混合信号系统的开发。 展开更多
关键词 cmos基准电流 负温系数电流 低温漂 低电电压调整率
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一种减小工艺参数影响的CMOS集成电流源设计方法与电路实现 被引量:2
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作者 郑鲲鲲 胡二虎 汪东旭 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第5期49-50,75,共3页
本文利用Vtp提取电路、能隙基准电压源电路以及运算放大电路设计了一种电流源电路。使用CA-DENCESPECTRE仿真工具进行仿真,在TSMC0.35μm工艺的五种工艺边界条件TT、FF、FS、SF、SS)下,该电路输出电流变化小于8%,并且在同一工艺边界条... 本文利用Vtp提取电路、能隙基准电压源电路以及运算放大电路设计了一种电流源电路。使用CA-DENCESPECTRE仿真工具进行仿真,在TSMC0.35μm工艺的五种工艺边界条件TT、FF、FS、SF、SS)下,该电路输出电流变化小于8%,并且在同一工艺边界条件下输出电流随温度(-40~85℃)变化小于3%。 展开更多
关键词 工艺参数 cmos集成电流 设计方法 电流电路 数字集成电路
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几种典型的电流源结构和高精度基准电流源的设计 被引量:3
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作者 郭建宁 冯勇建 陈文芗 《中国集成电路》 2006年第12期28-31,51,共5页
本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源。在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压—电流转换电路获... 本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源。在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压—电流转换电路获得稳定的基准电流。HSPICE的仿真结果表明:当温度从-55℃到125℃变化时,电流输出仅变化了0.004。 展开更多
关键词 cmos基准电流 带隙 基准电压 基准电流
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