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一种启动电流为0的CMOS低功耗低成本电流源
1
作者
陈斯
恽廷华
《信息化研究》
2009年第3期10-12,共3页
根据传统电流源结构,设计了一种启动电流为0的CMOS低功耗电流源。电流源的启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,电路正常工作后启动电路会自动关断。仿真结果显示电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为0,整个电路功耗24.9μW。这种结构...
根据传统电流源结构,设计了一种启动电流为0的CMOS低功耗电流源。电流源的启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,电路正常工作后启动电路会自动关断。仿真结果显示电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为0,整个电路功耗24.9μW。这种结构降低了整个电路的功耗,大大节省了芯片面积。电路基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,电源电压1.8 V,仿真软件为Hspice。
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关键词
cmos电流源
启动电路
耗尽型MOSFET
低功耗
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职称材料
一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源
被引量:
5
2
作者
刘国庆
于奇
+4 位作者
刘源
宁宁
何波
罗静芳
杨谟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期763-766,共4页
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μ...
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明,在-40-85℃温度范围内,温度系数为6.9ppm/℃;3.0~3.6V电压区间,电源电压调整率系10.6ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA/D转换器的研究设计,并可望应用于高精度模拟/混合信号系统的开发。
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关键词
cmos
基准
电流
源
负温系数
电流
低温漂
低电
源
电压调整率
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职称材料
一种减小工艺参数影响的CMOS集成电流源设计方法与电路实现
被引量:
2
3
作者
郑鲲鲲
胡二虎
汪东旭
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003年第5期49-50,75,共3页
本文利用Vtp提取电路、能隙基准电压源电路以及运算放大电路设计了一种电流源电路。使用CA-DENCESPECTRE仿真工具进行仿真,在TSMC0.35μm工艺的五种工艺边界条件TT、FF、FS、SF、SS)下,该电路输出电流变化小于8%,并且在同一工艺边界条...
本文利用Vtp提取电路、能隙基准电压源电路以及运算放大电路设计了一种电流源电路。使用CA-DENCESPECTRE仿真工具进行仿真,在TSMC0.35μm工艺的五种工艺边界条件TT、FF、FS、SF、SS)下,该电路输出电流变化小于8%,并且在同一工艺边界条件下输出电流随温度(-40~85℃)变化小于3%。
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关键词
工艺参数
cmos
集成
电流
源
设计方法
电流
源
电路
数字集成电路
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职称材料
几种典型的电流源结构和高精度基准电流源的设计
被引量:
3
4
作者
郭建宁
冯勇建
陈文芗
《中国集成电路》
2006年第12期28-31,51,共5页
本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源。在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压—电流转换电路获...
本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源。在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压—电流转换电路获得稳定的基准电流。HSPICE的仿真结果表明:当温度从-55℃到125℃变化时,电流输出仅变化了0.004。
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关键词
cmos
基准
电流
源
带隙
基准电压
基准
电流
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职称材料
题名
一种启动电流为0的CMOS低功耗低成本电流源
1
作者
陈斯
恽廷华
机构
徐州师范大学物理与电子工程学院
智迈微电子科技(上海)有限公司
出处
《信息化研究》
2009年第3期10-12,共3页
基金
江苏省高校自然科学研究计划项目(08KJB140010)
徐州师范大学校科研基金(06XLB04)
文摘
根据传统电流源结构,设计了一种启动电流为0的CMOS低功耗电流源。电流源的启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,电路正常工作后启动电路会自动关断。仿真结果显示电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为0,整个电路功耗24.9μW。这种结构降低了整个电路的功耗,大大节省了芯片面积。电路基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,电源电压1.8 V,仿真软件为Hspice。
关键词
cmos电流源
启动电路
耗尽型MOSFET
低功耗
Keywords
cmos
current source
startup circuit
depletion-mode MOSFET
low power consumption
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源
被引量:
5
2
作者
刘国庆
于奇
刘源
宁宁
何波
罗静芳
杨谟华
机构
电子科技大学
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期763-766,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60072004)
文摘
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明,在-40-85℃温度范围内,温度系数为6.9ppm/℃;3.0~3.6V电压区间,电源电压调整率系10.6ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA/D转换器的研究设计,并可望应用于高精度模拟/混合信号系统的开发。
关键词
cmos
基准
电流
源
负温系数
电流
低温漂
低电
源
电压调整率
Keywords
cmos
current reference
Negative temperature coefficient current
Low temperature coefficient
Low line regulation
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种减小工艺参数影响的CMOS集成电流源设计方法与电路实现
被引量:
2
3
作者
郑鲲鲲
胡二虎
汪东旭
机构
上海交通大学电子工程系
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003年第5期49-50,75,共3页
文摘
本文利用Vtp提取电路、能隙基准电压源电路以及运算放大电路设计了一种电流源电路。使用CA-DENCESPECTRE仿真工具进行仿真,在TSMC0.35μm工艺的五种工艺边界条件TT、FF、FS、SF、SS)下,该电路输出电流变化小于8%,并且在同一工艺边界条件下输出电流随温度(-40~85℃)变化小于3%。
关键词
工艺参数
cmos
集成
电流
源
设计方法
电流
源
电路
数字集成电路
Keywords
Vtp extractor,margin status of process,current source
分类号
TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
几种典型的电流源结构和高精度基准电流源的设计
被引量:
3
4
作者
郭建宁
冯勇建
陈文芗
机构
厦门大学机电工程系
出处
《中国集成电路》
2006年第12期28-31,51,共5页
文摘
本文介绍并分析了几种典型的电流源结构,并设计了一种具有良好稳定性和高精度的CMOS基准电流源。在高精度的基准电流源电路中使用了带隙电路,使电路获得一个不受电源电压、温度和工艺参数影响的基准电压,然后通过电压—电流转换电路获得稳定的基准电流。HSPICE的仿真结果表明:当温度从-55℃到125℃变化时,电流输出仅变化了0.004。
关键词
cmos
基准
电流
源
带隙
基准电压
基准
电流
Keywords
cmos
current reference bandgap voltage reference current reference
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种启动电流为0的CMOS低功耗低成本电流源
陈斯
恽廷华
《信息化研究》
2009
0
下载PDF
职称材料
2
一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源
刘国庆
于奇
刘源
宁宁
何波
罗静芳
杨谟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
下载PDF
职称材料
3
一种减小工艺参数影响的CMOS集成电流源设计方法与电路实现
郑鲲鲲
胡二虎
汪东旭
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003
2
下载PDF
职称材料
4
几种典型的电流源结构和高精度基准电流源的设计
郭建宁
冯勇建
陈文芗
《中国集成电路》
2006
3
下载PDF
职称材料
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