LV/HV兼容CMOS芯片与制程结构

LV/HV兼容CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容的CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到高电压。采用MOS集成电路芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。

LV/HV兼容Twice-Well CMOS芯片与制程结构

LV/HV兼容Twice-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100 V^700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用比通常浅双阱更深的阱,形成其漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。采用MOS芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。