期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
中芯国际在65和45纳米CMOS逻辑工艺上选择Kilopass OTP解决方案
1
《中国集成电路》 2009年第10期1-2,共2页
Kilopass科技公司和中芯国际宣布在嵌入式OTP的合作伙伴关系。Kilopass是中芯国际于65纳米和45纳米工艺的第一个嵌入式OTPNVM合作伙伴。Kilopass将于2009年底及2010年年中分别实现在中芯国际65纳米和45纳米OTP测试芯片的投片。
关键词 纳米工艺 cmos逻辑工艺 OTP 国际 合作伙伴关系 嵌入式 芯片
下载PDF
中芯国际65nm和45nm CMOS逻辑工艺选择Kilopass OTP嵌入式非挥发性内存硅智财(NVM)解决方案
2
作者 本刊通讯员 《电子与封装》 2009年第10期47-47,共1页
嵌入式非挥发性内存(NVM)硅智财(IP)的领先供货商Kilopass科技公司(Kilopass Technology Inc.)和世界领先的晶圆代工厂之一的中芯国际集成电路制造有限公司9月25日宣布在嵌入式OTP的合作伙伴关系。Kilopass是中芯国际于65nm和45n... 嵌入式非挥发性内存(NVM)硅智财(IP)的领先供货商Kilopass科技公司(Kilopass Technology Inc.)和世界领先的晶圆代工厂之一的中芯国际集成电路制造有限公司9月25日宣布在嵌入式OTP的合作伙伴关系。Kilopass是中芯国际于65nm和45nm工艺的第一个嵌入式OTPNVM合作伙伴。 展开更多
关键词 中芯国际集成电路制造有限公司 cmos逻辑工艺 非挥发性 嵌入式 内存 Technology 合作伙伴关系
下载PDF
Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器
3
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期432-432,共1页
世界项尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44... 世界项尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM(SRAM)在管脚上兼容,适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统,以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础,在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。 展开更多
关键词 非易失性铁电存储器 FRAM cmos逻辑工艺 工业控制系统 半导体产品 多功能打印机 自动导航系统 高容量
下载PDF
中国国家主席习近平见证集成电路新技术研发公司签约
4
《集成电路应用》 2015年第7期45-45,共1页
2015年6月23日,中芯国际集成电路制造有限公司与华为、比利时微电子研究中心(imec)、Qualcomm Incorporated的附属公司Qualcomm Global Trading Pte.Ltd.在人民大会堂举行签约仪式,宣布共同投资中芯国际集成电路新技术研发(上海... 2015年6月23日,中芯国际集成电路制造有限公司与华为、比利时微电子研究中心(imec)、Qualcomm Incorporated的附属公司Qualcomm Global Trading Pte.Ltd.在人民大会堂举行签约仪式,宣布共同投资中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司,开发下一代CMOS逻辑工艺,打造中国最先进的集成电路研发平台。 展开更多
关键词 中芯国际集成电路制造有限公司 研发平台 新技术 中国 QUALCOMM 习近平 cmos逻辑工艺 人民大会堂
下载PDF
新型存储器技术有望达到最高速度
5
作者 Gary Evan Jensen 《今日电子》 2004年第1期2-2,共1页
美国Tezzaron半导体公司近日发布了一种伪静态存储器原型,据报道,这种器件能实现1.3ns延迟时间,和每个针脚2Gb/s吞吐率。这种存储器增强的速度密度被认为是开发下一代测试设备和高速成像设备以及振兴L2和L3高速缓存的关键。
关键词 存储器 Tezzaron半导体公司 PSiRAM cmos逻辑工艺
下载PDF
FRAM将成为新一代非易失存储器技术
6
《电子与电脑》 2002年第12期148-148,共1页
关键词 FRAM 非易失存储器技术 德州仪器公司 cmos逻辑工艺
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部