CMOS驱动电路中信号延迟的精确计算

本文提出树形网络ＣＭＯＳ驱动电路中信号延迟相对精确的计算表达式，它考虑了不同延迟定义下ＣＭＯＳ驱动电路等效导通电阻及负载电容的影响，可用于ＶＬＳＩ互连线延迟的计算及时间驱动布图系统信号延迟计算中。

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。

MEMS光栅光调制器与CMOS驱动单片集成的研究

为了消除光栅光调制器阵列的交叉效应,提出利用post-CMOS工艺将光栅光调制器与CMOS驱动单片集成.介绍了单片集成器件的工作原理,详细分析了单片集成器件的关键参数.通过分析表明,在满足调制器响应频率条件下,通过改变悬臂梁的各个参数可以减小调制器的弹性系数,从而降低光栅光调制器的工作电压;在满足开关速度的条件下,较大存储电容具有更好的电压保持特性.利用中芯国际提供的0.18μm工艺设计包完成该单片集成器件的物理版图设计和仿真.最后,通过实验测得该器件的上升沿和下降沿时间分别为:36.8ns和36.4ns,且经过16.73ms的保持时间后压降为2.1V.实验结果与仿真结果具有较好的一致性,结果表明:加工的单片集成器件具有较快的开关速度和较好的电压保持特性,能够满足设计要求.

用CMOS驱动器设计微电机控制电路

介绍了逻辑输入CMOS四驱动器TC4469集成电路的技术特性和内部结构,以及设计简单实用、低成本、低功耗的直流伺服电动机、步进电动机、无刷直流电动机驱动电路的方法。

一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装

采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装。此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成。完成了WLCSP驱动器的设计,加工和电性能测试,并且对其进行了温度冲击、振动和剪切力测试等可靠性试验。结果表明,经过晶圆级封装的CMOS驱动器体积为1.8 mm×1.2 mm×0.35 mm,脉冲上升沿为2.3 ns,下降沿为2.5 ns,开关时间为10.6 ns。将WLCSP的驱动器安装至厚度为1 mm的FR4基板上,对其进行温度冲击试验及振动试验后,凸点正常无裂痕。无下填充胶时剪切力为20 N,存在下填充胶时,剪切力为200 N。

一种地端关断差分驱动CMOS射频整流器

采用SMIC 180nm工艺,设计了一种地端关断差分驱动CMOS射频整流器。通过切断能量传输路径,解决了传统可关断差分驱动CMOS射频整流器因短路电流较高导致关断功耗(POFF)较大的问题。搭建可重构3阶整流电路,验证该射频整流器的功能。仿真结果表明,相对于传统可关断差分驱动CMOS射频整流器,当输入电压VIN幅值为1V、负载电阻RL为10kΩ时,在零电压关断的情况下,该整流器的POFF下降了15.2dBm@953 MHz;在负电压关断情况下,POFF下降了24.5dBm@953MHz。该整流器满足射频能量收集系统中整流器低功耗待机的要求。

一个1.2V,9ppm/℃的CMOS带隙电压基准源

基于传统CMOS带隙电压基准源电路的分析，结合曲率补偿技术设计了一种带衬底驱动运算放大器的低电源电压的电压基准源电路，主体电路采用电流模式基准源结构，并结合所采用的衬底驱动运放作为基准源的负反馈运放。整个电路采用0.5ym标准CMOS工艺实现，在电源电压1．2V的条件下用HSpice进行仿真，仿真结果表明输出基准电压在-40-120℃范围内温度系数为9ppm／℃。

抗电磁干扰低电压CMOS放大器设计

基于CMOS体驱动,提出低电压放大器抗电磁干扰结构.电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级的等效输入跨导,通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性,采用双输入级结构保证放大器良好的交流特性,同时,对称拓扑结构保证了电路的高度对称性,实现了对称的转换速率.该设计采用电源电压为1V的0.35μm标准CMOS工艺实现.对该放大器的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证,并同传统体驱动放大器相比较.实验结果表明:该结构的电压失调小于50mV,10kHz频点的输出功率谱密度相比传统结构降低33dBm.

Micro-LED显示及其驱动技术的研究进展

微米发光二极管(Micro-LED)显示是一项新颖并有着广泛应用前景的技术,在显示技术中占有重要地位。MicroLED拥有亮度高、功耗低、寿命长、响应时间短和稳定性高等优点。可以应用于虚拟现实(Virtual Reality,VR)、增强现实(Augmented Reality,AR)、手机等微小型显示器,也可应用于家用电视、会议墙等中大型显示器,在显示领域具有较好的发展潜力。虽然Micro-LED显示应用前景广阔,但其技术尚不成熟,驱动技术面临生产成本高、资源分散等问题,限制了其产业化进程。本文回顾了自2000年以来Micro-LED显示技术的发展历程和研究成果,分析了阵列制备和倒装芯片集成技术,重点研究了Micro-LED显示驱动技术。Micro-LED显示驱动技术分为无源驱动和有源驱动方式,主要介绍了无源驱动的电路原理,有源驱动的互补金属氧化物半导体驱动技术、薄膜晶体管驱动技术以及有源像素驱动电路。

射频前端基准电流源低电压抗电磁干扰设计

基于CMOS体驱动,提出低电压基准电流源电路抗干扰设计,提高航管一次雷达射频前端接收电路的可靠性。电路采用体驱动技术实现低电源电压工作,采用敏感隔离结构提高电流镜电路抗干扰性能。设计采用电源电压为1 V的0.35μm标准CMOS工艺,对该基准电流源电路的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证,并同普通体驱动结构相比较。实验结果表明:当输入端存在3倍于参考电流大小的电磁干扰时,该结构的电流偏移小于0.3μA。

空间科学实验中三维立体目标显微信息获取技术

介绍了一种适用于空间科学实验的显微图像自动获取系统,对三维立体目标进行微米级尺度显微成像。文章通过对常用的自动调焦技术的对比分析,总结出适合复杂背景下,空间三维立体目标的自动调焦方法。根据该方法确定系统方案并研制原理样机。通过实验验证表明,系统能够准确获取三维立体目标的显微图像,图像清淅且一致性好。

一种应用于多阶射频整流器的MPPT技术

多阶射频整流器在射频能量收集系统中起着交流转直流的作用。当射频输入功率偏离某一数值时,多阶射频整流器的功率转换效率(PCE)迅速下降。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,提出一种最大功率点跟踪(MPPT)方法,使多阶射频整流器能够根据射频输入功率的大小自动配置阶数,从而在较宽的输入范围内保持较高的PCE。将该MPPT方法应用在3阶射频整流器上。结果表明,当工作频率为953 MHz、负载为50 kΩ、输入功率P_(IN)∈(-26.5 dBm,-7.5 dBm)时,该3阶射频整流器的平均PCE可达65%,相比传统3阶射频整流器,提升了约25%。

一种基于接收信号强度指示策略的射频能量收集器

基于0.18μm SMIC RF CMOS工艺,采用最新的低电压低功耗高效率的差分驱动CMOS整流器结构单元,设计了应用于无线体域网(WBAN)的无直流电源供电的射频能量收集器。提出通过接收信号强度指示的策略,来提升射频能量收集器对无线体域网中的射频能量的收集效率,扩大射频能量的可接收范围。基于这一技术,设计的射频能量收集器可以接收与转换-8 dBm^10 dBm的射频信号,输出2 V的较稳定电压,在-5 dBm电压转换效率VCE达到84.8%,能量转换率达到16.7%。