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A multichannel thermal bubble-actuated impedance flow cytometer with on-chip TIA based on CMOS-MEMS
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作者 Shengxun Cai Jianqing Nie +2 位作者 Kun Wang Yimin Guan Demeng Liu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第5期41-49,共9页
Electrochemical impedance spectroscopy(EIS)flow cytometry offers the advantages of speed,affordability,and portability in cell analysis and cytometry applications.However,the integration challenges of microfluidic and... Electrochemical impedance spectroscopy(EIS)flow cytometry offers the advantages of speed,affordability,and portability in cell analysis and cytometry applications.However,the integration challenges of microfluidic and EIS read-out circuits hinder the downsizing of cytometry devices.To address this,we developed a thermal-bubble-driven impedance flow cytometric application-specific integrated circuit(ASIC).The thermal-bubble micropump avoids external piping and equipment,enabling high-throughput designs.With a total of 36 cell counting channels,each measuring 884×220μm^(2),the chip significantly enhances the throughput of flow cytometers.Each cell counting channel incorporates a differential trans-impedance amplifier(TIA)to amplify weak biosensing signals.By eliminating the parasitic parameters created at the complementary metal-oxidesemiconductor transistor(CMOS)-micro-electromechanical systems(MEMS)interface,the counting accuracy can be increased.The on-chip TIA can adjust feedback resistance from 5 to 60 kΩto accommodate solutions with different impedances.The chip effectively classifies particles of varying sizes,demonstrated by the average peak voltages of 0.0529 and 0.4510 mV for 7 and 14μm polystyrene beads,respectively.Moreover,the counting accuracies of the chip for polystyrene beads and MSTO-211H cells are both greater than 97.6%.The chip exhibits potential for impedance flow cytometer at low cost,high-throughput,and miniaturization for the application of point-of-care diagnostics. 展开更多
关键词 EIS flow cytometry cmos-mems thermal bubble LAB-ON-CHIP
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基于CMOS-MEMS工艺的小量程电容式压力传感器设计 被引量:6
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作者 张瑞 梁庭 +4 位作者 贾平岗 刘雨涛 王涛龙 王心心 熊继军 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第1期19-21,32,共4页
小量程压力传感器研制的主要目的是解决低压环境下的压力测量问题。结合CMOS-MEMS技术,提出了一种小量程电容式压力传感器设计方案。利用ANSYS软件分析了传感器压敏结构的静力学性能和动力学性能,验证了理论设计的可行性。传感器可动上... 小量程压力传感器研制的主要目的是解决低压环境下的压力测量问题。结合CMOS-MEMS技术,提出了一种小量程电容式压力传感器设计方案。利用ANSYS软件分析了传感器压敏结构的静力学性能和动力学性能,验证了理论设计的可行性。传感器可动上极板厚度仅为3μm,提高了小量程压力测量时的灵敏度,可以测量1~50 k Pa范围内的压力。研究了制备工程中的关键工艺,介绍了传感器芯片的加工流程。所设计的传感器制作简单,成本低廉,易于单片集成,拓展了MEMS压力传感器的小量程应用领域。 展开更多
关键词 小量程 电容式 cmos-mems 压力传感器
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CMOS-MEMS体硅集成陀螺的系统仿真
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作者 王佳 钱梁 +1 位作者 杨振川 闫桂珍 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期563-566,共4页
体硅MEMS和CMOS电路的单片集成技术是提高传感器性能的有效途径,但是集成技术会对陀螺的设计和CMOS电路的设计提出更高的要求。通过建立CMOS-MEMS体硅陀螺的等效电学模型,实现了对CMOS-MEMS体硅陀螺的系统级仿真。通过系统仿真,陀螺的... 体硅MEMS和CMOS电路的单片集成技术是提高传感器性能的有效途径,但是集成技术会对陀螺的设计和CMOS电路的设计提出更高的要求。通过建立CMOS-MEMS体硅陀螺的等效电学模型,实现了对CMOS-MEMS体硅陀螺的系统级仿真。通过系统仿真,陀螺的结构部分、电路部分、集成产生的寄生效应以及工艺误差得到了有效的分析,从而能够了解它们相互之间的影响,更好的指导CMOS-MEMS体硅集成器件的设计。 展开更多
关键词 陀螺电学模型 cmos-mems体硅陀螺 工艺误差 系统仿真
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基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究
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作者 张海华 吕玉菲 鲁中轩 《电子技术应用》 2018年第10期32-36,40,共6页
为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25μm/0.8μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS... 为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25μm/0.8μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的集成,需要采用COMS工艺兼容的MEMS工艺。为此,采用了RIE、Bosch工艺以及RIE和Bosch工艺结合的3种方法进行深槽刻蚀工艺的探索,并最终采用RIE和Bosch工艺结合的方法获得槽侧壁非常光滑的深槽形貌。 展开更多
关键词 cmos-mems工艺 高深宽比 深槽刻蚀 RIE和Bosch工艺
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MEMS-based thermoelectric infrared sensors: A review 被引量:12
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作者 Dehui XU Yuelin WANG +1 位作者 Bin XIONG Tie LI 《Frontiers of Mechanical Engineering》 SCIE CSCD 2017年第4期557-566,共10页
In the past decade, micro-electromechanical systems (MEMS)-based thermoelectric infrared (IR) sensors have received considerable attention because of the advances in micromachining technology. This paper presents ... In the past decade, micro-electromechanical systems (MEMS)-based thermoelectric infrared (IR) sensors have received considerable attention because of the advances in micromachining technology. This paper presents a review of MEMS-based thermoelectric IR sensors. The first part describes the physics of the device and discusses the figures of merit. The second part discusses the sensing materials, thermal isolation micro- structures, absorber designs, and packaging methods for these sensors and provides examples. Moreover, the status of sensor implementation technology is examined from a historical perspective by presenting findings from the early years to the most recent findings. 展开更多
关键词 thermoelectric infrared sensor cmos-mems THERMOPILE MICROMACHINING wafer-level package
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