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离子注入CMOSlK静态随机存贮器
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作者 蒋培成 杨华丽 《微处理机》 1985年第1期25-30,共6页
一、前言CMOS集成电路具有功耗低,抗干扰性能强,允许电源范围大和使用方便等优点,深受用户欢迎。在制作上,由于硅栅局部氧化、离子泾入和尺寸微细化,CMOS电路的集成度和性能进一步提高。国外。
关键词 离子注入 多晶硅 存贮器 cmoslk 流片 离子掺杂 存储器 本征吸杂 场氧化层 开启电压
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