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离子注入CMOSlK静态随机存贮器
1
作者
蒋培成
杨华丽
《微处理机》
1985年第1期25-30,共6页
一、前言CMOS集成电路具有功耗低,抗干扰性能强,允许电源范围大和使用方便等优点,深受用户欢迎。在制作上,由于硅栅局部氧化、离子泾入和尺寸微细化,CMOS电路的集成度和性能进一步提高。国外。
关键词
离子注入
多晶硅
存贮器
cmoslk
流片
离子掺杂
存储器
本征吸杂
场氧化层
开启电压
下载PDF
职称材料
题名
离子注入CMOSlK静态随机存贮器
1
作者
蒋培成
杨华丽
机构
中国科学院上海冶金研究所一室CMOS组
出处
《微处理机》
1985年第1期25-30,共6页
文摘
一、前言CMOS集成电路具有功耗低,抗干扰性能强,允许电源范围大和使用方便等优点,深受用户欢迎。在制作上,由于硅栅局部氧化、离子泾入和尺寸微细化,CMOS电路的集成度和性能进一步提高。国外。
关键词
离子注入
多晶硅
存贮器
cmoslk
流片
离子掺杂
存储器
本征吸杂
场氧化层
开启电压
分类号
TP2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
离子注入CMOSlK静态随机存贮器
蒋培成
杨华丽
《微处理机》
1985
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