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CMP process optimization using alkaline bulk copper slurry on a 300 mm Applied Materials Reflexion LK system 被引量:3
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作者 王辰伟 马锁辉 +2 位作者 刘玉岭 陈蕊 曹阳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第12期131-133,共3页
CMP process optimization for bulk copper removal based on alkaline copper slurry was performed on a 300 mm Applied Materials Reflexion LK system. Under the DOE condition, we conclude that as the pressure increases, th... CMP process optimization for bulk copper removal based on alkaline copper slurry was performed on a 300 mm Applied Materials Reflexion LK system. Under the DOE condition, we conclude that as the pressure increases, the removal rate increases and non-uniformity is improved. As the slurry flow rate increases, there is no significant improvement in the material removal rate, but it does slightly reduce the WIWNU and thus improve uniformity. The optimal variables are obtained at a reduced pressure of 1.5 psi and a slurry flow rate of 300 ml/min. Platen/carrier rotary speed is set at a constant value of 97/103 rpm. We obtain optimized CMP characteristics including a removal rate over 6452 A/min and non-uniformity below 4% on blanket wafer and the step height is reduced by nearly 8000 A/min in the center of the wafer on eight layers of copper patterned wafer, the surface roughness is reduced to 0.225 nm. 展开更多
关键词 cmp process optimization alkaline copper slurry design of experiment
原文传递
A signal processing method for the friction-based endpoint detection system of a CMP process
2
作者 徐驰 郭东明 +1 位作者 金洙吉 康仁科 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期138-142,共5页
A signal processing method for the friction-based endpoint detection system of a chemical mechanical polishing (CMP) process is presented. The signal process method uses the wavelet threshold denoising method to red... A signal processing method for the friction-based endpoint detection system of a chemical mechanical polishing (CMP) process is presented. The signal process method uses the wavelet threshold denoising method to reduce the noise contained in the measured original signal, extracts the Kalman filter innovation from the denoised signal as the feature signal, and judges the CMP endpoint based on the feature of the Kalman filter innovation sequence during the CMP process. Applying the signal processing method, the endpoint detection experiments of the Cu CMP process were carried out. The results show that the signal processing method can judge the endpoint of the Cu CMP process. 展开更多
关键词 cmp endpoint detection signal processing
原文传递
抛光时间对多层铜布线阻挡层CMP效果的影响
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作者 刘光耀 王辰伟 +4 位作者 周建伟 魏艺璇 张新颖 刘志 刘玉岭 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第2期298-304,共7页
为了提升多层铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)的平坦化效果,以获得平坦度高和质量好的表面,研究了不同抛光时间对阻挡层抛光后平坦化效果和表面质量的影响。CMP实验使用自主研发的碱性抛光液,固定抛光液组分不变,在60 s、40 s+20 s与30 s... 为了提升多层铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)的平坦化效果,以获得平坦度高和质量好的表面,研究了不同抛光时间对阻挡层抛光后平坦化效果和表面质量的影响。CMP实验使用自主研发的碱性抛光液,固定抛光液组分不变,在60 s、40 s+20 s与30 s+30 s三种不同抛光时间下对阻挡层材料和图形片进行了CMP实验。实验结果表明,改变抛光时间可以提高Cu去除速率和降低正硅酸乙酯(TEOS)去除速率;其中40 s+20 s抛光后碟形坑和蚀坑深度修正分别约为40 nm和20 nm;铜沟槽内铜线条剩余厚度为225.7 nm,基本与工业生产目标值225 nm相匹配;图形片CMP后表面缺陷数量降低至189颗;铜镀膜片抛光后表面粗糙度降低至0.351 nm。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 铜布线 阻挡层 抛光工艺 碱性抛光液 表面质量
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CMP中酸碱度对InSb晶片粗糙度的影响 被引量:3
4
作者 康海燕 刘玉岭 +3 位作者 武彩霞 苏艳勤 杨伟平 刘效岩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期734-736,共3页
InSb是一种重要的半导体材料。研究了在压力、流量等工艺参数一定的条件下,通过改变有机碱在抛光液中的体积分数,得到了不同pH值的抛光液。采用化学机械抛光(CMP)对InSb进行了表面加工,并在原子力显微镜下观测了抛光后晶片的表面粗糙度... InSb是一种重要的半导体材料。研究了在压力、流量等工艺参数一定的条件下,通过改变有机碱在抛光液中的体积分数,得到了不同pH值的抛光液。采用化学机械抛光(CMP)对InSb进行了表面加工,并在原子力显微镜下观测了抛光后晶片的表面粗糙度,找到了适宜InSb抛光的最佳pH值,从而达到降低InSb表面粗糙度的目的,最后分析和讨论了实验结果及其有机碱在CMP中的作用,最终实现了工艺参数的优化。 展开更多
关键词 锑化铟 pH值 粗糙度 化学机械抛光 抛光液 原子力显微镜 有机碱 表面加工
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氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势 被引量:6
5
作者 熊朋 王铮 +2 位作者 陈威 史霄 杨师 《电子工业专用设备》 2016年第1期10-14,共5页
综述了半导体材料氮化镓(Ga N)抛光技术的发展,介绍了Ga N晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了CMP亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行... 综述了半导体材料氮化镓(Ga N)抛光技术的发展,介绍了Ga N晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了CMP亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 GaN晶片 化学机械抛光 抛光工艺
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CMP工艺对Co/Cu去除速率及速率选择比的影响研究 被引量:5
6
作者 季军 何平 +3 位作者 潘国峰 王辰伟 张文倩 杜义琛 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期699-704,共6页
化学机械抛光(CMP)工艺中,选用了固定的抛光液组分,即3%体积百分比的FA/O型螯合剂、3%体积百分比的FA/O I型非离子表面活性剂、5% SiO_2。首先研究了不同抛光工艺参数,包括抛光压力、抛光头/抛光盘转速、抛光液流量等,对Co/Cu去除速率... 化学机械抛光(CMP)工艺中,选用了固定的抛光液组分,即3%体积百分比的FA/O型螯合剂、3%体积百分比的FA/O I型非离子表面活性剂、5% SiO_2。首先研究了不同抛光工艺参数,包括抛光压力、抛光头/抛光盘转速、抛光液流量等,对Co/Cu去除速率及选择比的作用机理。然后采用4因素、3水平的正交试验方法对抛光工艺进行优化实验,得到了较佳的工艺参数。在抛光压力为13.79kPa、抛光头/抛光盘转速为87/93r/min、抛光液流速为300mL/min的条件下,Co/Cu的去除速率选择比为3.26,Co和Cu的粗糙度分别为2.01、1.64nm。 展开更多
关键词 化学机械抛光工艺 正交试验 去除速率 速率选择比
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碱性条件下CMP参数对铝栅表面粗糙度的影响 被引量:3
7
作者 冯翠月 张文倩 刘玉岭 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第1期54-59,共6页
铝栅化学机械平坦化(CMP)是实现高k介质/金属栅结构的关键技术,决定了芯片上器件性能的完整性、可靠性。针对铝的特性,以质量传递和温度传递理论作为依据,采用控制化学作用与机械作用相平衡的平坦化技术路线,研究碱性条件下铝栅化学机... 铝栅化学机械平坦化(CMP)是实现高k介质/金属栅结构的关键技术,决定了芯片上器件性能的完整性、可靠性。针对铝的特性,以质量传递和温度传递理论作为依据,采用控制化学作用与机械作用相平衡的平坦化技术路线,研究碱性条件下铝栅化学机械抛光工艺参数对铝栅表面粗糙度的影响,以此确定铝栅粗抛过程的工艺参数。实验结果表明铝栅粗抛过程所需最优化工艺参数为:抛光头转速50 r/min,抛光液流量150 mL/min,抛光时间180 s,抛光机下压力3.0 psi(1 psi=6 895 Pa),此时原子力显微镜观察到的铝表面状态最好,表面粗糙度为2.08 nm,达到了较好的抛光效果。 展开更多
关键词 铝栅 碱性抛光液 化学机械平坦化(cmp) 粗糙度 抛光工艺
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缓存区工位和调度系统在CMP设备中的应用
8
作者 田洪涛 王嘉琪 +1 位作者 刘志伟 吴燕林 《电子工业专用设备》 2022年第5期53-55,共3页
介绍了一种半导体专用设备用的缓存装置及其调度方法,此调度方法适用于晶圆的多种工艺加工过程,针对设备在晶圆传输过程中遇到模块故障或者模块超时问题,合理的启用缓存区工位将有受损风险的晶圆收纳到缓存区,并在故障消除后将晶圆恢复... 介绍了一种半导体专用设备用的缓存装置及其调度方法,此调度方法适用于晶圆的多种工艺加工过程,针对设备在晶圆传输过程中遇到模块故障或者模块超时问题,合理的启用缓存区工位将有受损风险的晶圆收纳到缓存区,并在故障消除后将晶圆恢复至正常工艺流程的方法。该系统方法最大限度地保护晶圆的安全,同时也为快速恢复正常加工提供了保障。 展开更多
关键词 化学机械平坦化(cmp)设备 缓存区 调度流程
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雾化施液CMP工艺及材料去除机制研究 被引量:9
9
作者 王陈 李庆忠 +1 位作者 朱仌 闫俊霞 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期56-60,共5页
介绍通过雾化供液方式进行化学机械抛光(CMP)的工作原理以及试验装置设计,通过雾化供液抛光工艺试验考察该方法的抛光效果,分析其材料去除机制。结果表明,雾化施液CMP方法的抛光浆料利用率高,在达到去除率为257.5 nm/min,表面粗糙度小于... 介绍通过雾化供液方式进行化学机械抛光(CMP)的工作原理以及试验装置设计,通过雾化供液抛光工艺试验考察该方法的抛光效果,分析其材料去除机制。结果表明,雾化施液CMP方法的抛光浆料利用率高,在达到去除率为257.5 nm/min,表面粗糙度小于3.8 nm的抛光效果时,雾化抛光液消耗量仅为350 mL。雾化抛光材料去除机制是表面材料分子级氧化磨损去除,即通过抛光液中氧化剂的化学作用使表面原子氧化并弱化其结合键能,通过磨粒的机械作用将能量传递给表面分子,使表面分子的能量大于其结合键能而被去除。 展开更多
关键词 雾化施液 cmp 工艺试验 材料去除机制
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CMP超精密抛光元件兆声波清洗工艺和应用 被引量:4
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作者 刘玉林 《清洗世界》 CAS 2017年第12期43-45,共3页
分析了CMP后电子元件表面清洗存在的问题,综述了CMP后清洗技术的发展现状,详细阐述了兆声波清洗技术的原理、工艺流程、工艺参数及特点,介绍了兆声波清洗在CMP超精抛光加工技术中的应用与前景。
关键词 化学机械抛光 超精密抛光 兆声波 清洗工艺
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信息获取能力会影响果农的销售渠道选择吗? 被引量:2
11
作者 刘璇 霍学喜 《科学决策》 2023年第11期199-211,共13页
进入数字经济时代后,信息逐步成为影响农户行为决策的关键因素。本研究基于行为转变理论和计划行为理论,利用来自中国黄土高原优势产区1074户微观数据,通过运用Ordered Probit模型,实证检验信息获取能力对果农销售渠道选择的影响,并进... 进入数字经济时代后,信息逐步成为影响农户行为决策的关键因素。本研究基于行为转变理论和计划行为理论,利用来自中国黄土高原优势产区1074户微观数据,通过运用Ordered Probit模型,实证检验信息获取能力对果农销售渠道选择的影响,并进一步运用条件混合过程估计法(CMP方法)对模型进行了内生性检验。研究结果表明:(1)当前,传统销售渠道的中间商(果贩)仍然是果农销售农产品的主要方式;(2)信息获取能力对果农销售渠道的选择有显著正向影响,即信息工具使用水平对果农进入市场壁垒更高的销售渠道具有促进作用;(3)信息获取能力正向显著影响新、中生代苹果户群体对销售渠道的选择。因此,政府应在完善农村信息基础设施和信息服务体系的同时,优化升级农产品流通体系,重点对新生代农户开展信息技术培训,提升其信息获取能力。 展开更多
关键词 信息获取能力 苹果种植户 农产品销售渠道 条件混合过程估计法(cmp方法)
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CMP工艺流程控制策略(英文)
12
作者 Lakshmanan Karuppiah Bogdan Swedek +1 位作者 Mani Thothadri Wei-yung Hsu 《电子工业专用设备》 2009年第1期19-27,共9页
化学机械抛光工艺控制和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟。测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了一个重要的角色,并且可以根据使用的测量技术、其在工艺流程中所处的位置以及类型和产生的数据量以不同... 化学机械抛光工艺控制和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟。测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了一个重要的角色,并且可以根据使用的测量技术、其在工艺流程中所处的位置以及类型和产生的数据量以不同的方法实现。述评并提出了一些从现场、延伸的现场、综合的测量技术、以及其对工艺流程控制的影响和普遍应用的测量技术的例子。并且还提出了65nm以及更小技术节点的测量技术以及工艺流程控制策略,在这些未来的技术中,晶片工艺控制以及每个晶圆片方法调整预计将更加苛刻。 展开更多
关键词 化学机械抛光 工艺控制 测量技术 流程控制技术
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CMP工艺流程控制策略综述(英文)
13
作者 Lakshmanan Karuppiah Bogdan Swedek +3 位作者 Mani Thothadri Wei-yung Hsu Thomas Brezoczky Avi Ravid 《电子工业专用设备》 2007年第10期1-9,13,共10页
化学机械抛光测量技术和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟。测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了一个重要的角色,并且可以根据所使用的测量技术、其在工艺流程中所处的位置以及类型和产生的数据量以不... 化学机械抛光测量技术和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟。测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了一个重要的角色,并且可以根据所使用的测量技术、其在工艺流程中所处的位置以及类型和产生的数据量以不同的方法实现。本文述评并提出了一些从现场、延伸的现场、综合的测量技术、以及其对工艺流程控制影响所普遍应用的测量技术的例子。并且还提出了65nm以及更小技术节点的测量技术以及工艺流程控制策略,在这些未来的技术中,晶片工艺控制以及每个晶圆片方法调整预计将更加苛刻。 展开更多
关键词 化学机械抛光 测量技术 综合测量 cmp工艺控制趋势
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CMP精准过程控制系统数据库的设计
14
作者 白琨 贾若雨 +1 位作者 李嘉浪 岳爽 《电子工业专用设备》 2020年第3期18-22,共5页
CMP设备通过精准过程控制系统(Precision Process Control,PPC)可以精准计算抛光时间。而在这一过程中,需要存储大量的抛光历史数据、晶圆厚度量测数据、计算中间值和模型配置信息等。这些数据信息数量巨大、关系复杂,并且在计算过程中... CMP设备通过精准过程控制系统(Precision Process Control,PPC)可以精准计算抛光时间。而在这一过程中,需要存储大量的抛光历史数据、晶圆厚度量测数据、计算中间值和模型配置信息等。这些数据信息数量巨大、关系复杂,并且在计算过程中需要快速获取相关数据。为了更好地适应了PPC的需求,可利用MySQL数据库对这些数据进行存储管理。通过需求分析和实体关系模型的建立,实现了数据库的设计。最终利用数据库实现了数据的有效管理及快速查询,并在机台稳定运行。 展开更多
关键词 化学机械抛光 精准过程控制 数据库
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用于新一代器件的最新STI和金属CMP浆料(英文)
15
作者 Toranosuke Ashizawa 《电子工业专用设备》 2004年第6期13-15,共3页
现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为... 现已开发出了用于浅沟道隔离穴STI雪、铜CMP和低k介质的新型材料。90nm以及下一代技术节点的新型器件要求在软接触CMP条件下减少缺陷率,改善片子表面形貌的衰减。获得的新材料展示了在CMP性能和街写特性方面的改进,因此这些材料被认为能够适应未来技术要求。这些材料的关键之处在于大颗粒尺寸的控制,进行平面化和金属抛光的化学控制以及将控制方法用于旋涂玻璃()材料。 展开更多
关键词 浅沟道隔离 金属CHP 低κ介质 CHP浆料 平坦化工艺
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雾化施液CMP工艺优化 被引量:3
16
作者 朱仌 李庆忠 王陈 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期684-688,共5页
通过改进抛光雾液供液系统,结合超声波雾化技术对原雾化施液CMP实验系统进行优化,并进行了工艺实验。通过单因素试验研究雾化参数对抛光结果的影响,利用正交试验得到最优工艺参数组合,并在相同条件下将雾化抛光与传统抛光进行比较。结... 通过改进抛光雾液供液系统,结合超声波雾化技术对原雾化施液CMP实验系统进行优化,并进行了工艺实验。通过单因素试验研究雾化参数对抛光结果的影响,利用正交试验得到最优工艺参数组合,并在相同条件下将雾化抛光与传统抛光进行比较。结果表明:该实验系统的最优参数组合为雾化器电压50 V、抛光压力8 psi(1 psi=6 895 Pa)、抛光盘转速为70 r/min,此时材料去除速率为171.853 nm/min,表面粗糙度为4.76 nm。与传统抛光相比材料去除速率稍低,但表面粗糙度要好,且抛光液消耗量(1.03 g/min)约为传统抛光(10 g/min)的1/10。由于雾化器将抛光液中分子结构打散形成大量雾液,从而减少抛光液中磨粒团聚,同时雾化液更能均匀分散吸附在抛光垫上,增加了参与抛光的有效磨粒数,有利于材料去除和形成高质量表面。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 雾化施液 去除速率 表面粗糙度 工艺优化
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用于先进的双嵌入和栓工艺的低缺陷钨CMP高性价比浆料(英文)
17
作者 Tun-YanLo LIChung-Liu +3 位作者 CHINHung-Chang SimonJ.Kirk PhilippeChelle AraiPeng 《电子工业专用设备》 2004年第6期16-21,共6页
介绍了用于钨双嵌入和钨栓CMP工艺的新型CMP3200TM氧化铝浆料,测试证明,这种浆料在110nm技术节点的钨CMP工艺应用中取得了理想的效果。通过对氧化铝粒子制造工艺的有效控制,获得了可满足110nm技术节点双嵌入和栓层钨CMP工艺要求的低缺陷... 介绍了用于钨双嵌入和钨栓CMP工艺的新型CMP3200TM氧化铝浆料,测试证明,这种浆料在110nm技术节点的钨CMP工艺应用中取得了理想的效果。通过对氧化铝粒子制造工艺的有效控制,获得了可满足110nm技术节点双嵌入和栓层钨CMP工艺要求的低缺陷率,高性价比的氧化铝蛐硝酸铁浆料。从而在价格竞争激烈的半导体制造领域,特别是代工市场引起了业界越来越多的关注。 展开更多
关键词 钨双嵌入工艺 钨栓工艺 CHP浆料 高性价比 低缺陷率 110nm技术节点
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用于130nm/90nm新工艺开发的铜CMP阻挡层磨料系统(英文)
18
作者 Christine Ye Michael Oliver +2 位作者 John Quanci Matt VanHanehem 《电子工业专用设备》 2003年第6期22-25,共4页
通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比。实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方。这种方法的优点是,如果改变集... 通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比。实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方。这种方法的优点是,如果改变集成方法或特殊膜层,可以很快地重新优化磨料。如SiN膜取代TEOW淀积氧化物膜,对新系统可以容易地重新优化磨料。介绍了几种磨料组分浓度的去除速率和选择比。 展开更多
关键词 新工艺术开发 cmp 磨料系统 选择比 去除速率
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石英晶片化学机械抛光工艺优化 被引量:2
19
作者 贾玙璠 朱祥龙 +3 位作者 董志刚 康仁科 杨垒 高尚 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第1期159-164,共6页
为同时优化化学机械抛光(CMP)后石英晶片平面度和表面粗糙度,进行化学机械抛光协调控制实验。分析了抛光时间、抛光转速和抛光压力对石英晶片平面度和表面粗糙度的影响,确定了最佳工艺参数。研究结果表明:石英晶片平面度和表面粗糙度都... 为同时优化化学机械抛光(CMP)后石英晶片平面度和表面粗糙度,进行化学机械抛光协调控制实验。分析了抛光时间、抛光转速和抛光压力对石英晶片平面度和表面粗糙度的影响,确定了最佳工艺参数。研究结果表明:石英晶片平面度和表面粗糙度都随抛光时间延长而优化,在150 min时,平面度和表面粗糙度都能达到稳定。抛光时间为150 min、抛光盘转速为50 r/min、抛光压力为53.5 N时,能使晶片同时得到较好的平面度和表面粗糙度,此时平面度为2.03μm,表面粗糙度为0.68 nm。 展开更多
关键词 石英晶片 化学机械抛光(cmp) 表面粗糙度 平面度 工艺优化
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ASA施胶在高化机浆配比文化纸生产中的应用
20
作者 蒋华林 唐彪 吴飞 《中华纸业》 CAS 2023年第16期40-43,共4页
简要介绍了A SA的反应过程,探讨了影响A SA施胶的影响因素,尤其是在高化学机械浆配比文化纸生产中的应用。对温度、p H值等关键因素在生产实践中进行了优化,包括用量比较及对ASA水解物的处理进行了研究。
关键词 中性施胶 ASA 反应过程 高化学机械浆配比
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