基于纳米二氧化硅浆料的化学机械抛光研究

化学机械抛光技术是当今时代能实现集成电路(IC)制造中晶圆表面全局平坦化的重要技术。集成电路芯片上各个功能元器件制作完成之后,需用金属导线按照特定的功能将其连接。金属铜具有低电阻率、高导热系数和优异的抗电迁移能力,是实现互连最为重要的金属材料。目前,主要采用双大马士革工艺实现芯片各元器件之间的铜导线互连,该工艺对每一层布线后铜的表面平整度有非常高的要求。因此,需采用合适的化学机械抛光技术对铜导线进行处理。研发了一款以纳米SiO_(2)为磨料的化学机械抛光液,可用于金属铜及其合金的化学机械抛光作业,浆料pH值在9—10之间且质量分数可调,研究了抛光液磨料含量和抛光工艺参数对其抛光铜片效果的影响。结果表明:抛光液中的纳米SiO_(2)磨粒原生粒径为(50±20)nm,比表面积为(50±10)m^(2)·g^(-1),粒径分布均匀,且能长时间保持稳定分布状态,经过约280 d的跟踪监测,浆料中SiO_(2)粒子中位粒径仅增大4.5%,浆料稳定性良好;抛光可实现单质铜表面亚纳米级精度,在抛光液磨料质量分数为25%、抛光加载压力为10 N、抛光头和抛光盘转速为150 r·min^(-1)且逆向旋转的工艺条件下,单质铜表面粗糙度最低,可达1.33 nm;单质铜的材料去除率最高可达160 nm·min^(-1),能够满足IC制造过程中晶圆表面快速平坦化加工的需求。

BASF与TMP合作开发CMP浆料

BASF公司称，它将与TMP公司合作开发用于铜和障壁化学机构平面化CMP浆料类电子材料，现已进入了联合开发和领证合约阶段。TMP是Top—pan Printing与TDK的合资企业。BASF提供用于半导体和平板显示屏行业的高纯化学品以及末端制造配方方面的专业知识。TMP则提供用于半导体与硬盘驱动行业的精细与精密度抛光和平坦化方面的专业知识。BASF公司的目标是在铜与障壁CMP浆料领域更高层次的创新。两家公司将共同把焦点放在生产改进上，将结合BASF存化学品与纳米技术的知识和市场经验，以及TMP的器材与产品知识。按照合约，巴斯夫公司会以TMP的技术为基础，向日本以外的客户提供浆料，资金细节没有透露。

水相体系纳米γ-AI_2O_3浆料的分散稳定性能研究

为确定配制稳定的纳米γ-Al2O3化学机械抛光(CMP)浆料的工艺条件,通过润湿性、Zeta电位及黏度的测定,研究了溶液pH值及添加分散剂等因素对水相体系纳米γ-Al2O3,悬浮液分散稳定性能的影响.结果表明,在纳米γ-Al2O3固含量为6%的浆料中,加入异丙醇胺作为分散剂,其用量为γAl2O3粉体质量的l%,同时控制浆料的pH值约为4时,纳米γ一Al2O3粉末的润湿性能最佳,此时浆料Zeta电位值较高,黏度较小;在该条件下成功获得长时间不沉降的稳定浆料.

电子化学品(下)

电子化学品特种气体业务也同样受到了影响。一年前,新一代晶片生产装置的建立使得NF3一直处于供不应求的状态。现货价格达到572.7美元/公斤。

半导体市场复苏预示电子化学品前景乐观

半导体市场自去年开始复苏，但电子化学品前景却喜忧参半。由于低K值绝缘材料增长强劲，光阻材料市场前景光明，可以预计美国的电子化学品市场在中期内会出现温和增长，而湿法化学品市场则保持相对平稳。

日本JSR开发出不使用稀土的半导体用研磨材料

日本JSR公司开发出不使用稀土的半导体电路平坦化用研磨材料（CMP浆料），对硅片表面为使半导体元件绝缘所嵌入的氧化物膜进行研磨。新型研磨材料使用二氧化硅替代原来的稀土氧化铈，并开发了与之相适应的研磨工艺。该工艺使用颗粒浓度等不同的2种研磨液，进行2次研磨，可获得与使用原来产品相同或以上的研磨质量。试验结果显示，